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$SiC/Si_3N_4$ 하이브리드 복합체이 제조 및 특성
강종봉, 조범래, 이수영, Gang. Jong-Bong, Jo. Beom-Rae, Lee. Su-Yeong 한국재료학회 한국재료학회지 8 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1996, Vol.6 No.4 428-435 (8 pages)
platelet은 Si3N4 기지 복합채의 치밀화를 저해하지 않고 초미립의 SiC 첨가는 Si3N4의 입성장을 효과적으로 억제하여 미세한 $eta$-Si3N4의 grain을 형성함을 관찰하였다. 초미립 SiC첨가를 통한 복합체의 강도 증진은 상대적으로 $eta$-Si3N4입자의 미세화에 의한 인성의 저하를 유도하나 SiC platelet을 첨가하여 급격한 강도 저하 없이 높은 인성을 갖는 하이브리드 복합체를 제조할 수 있었으며 SiC/Si3N4 하이브리드 복합체의 인성증진은 elongated $eta$-Si3N4와 platelet SiC의 debonding에 의한 grain pull-out 영향임을 알 수... -
$SiC/Si_3N_4$ 나노 복합체의 제조 및 기계적 특성
강종봉, 조범래, 이수영, Gang. Jong-Bong, Jo. Beom-Rae, Lee. Su-Yeong 한국재료학회 한국재료학회지 7 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1996, Vol.6 No.4 421-427 (7 pages)
초미립 SiC 분말을 2차상으로 Si3N4에 첨가하여 SiC/Si3N4 나노 복합체를 핫프레스법과 가스압소결고 제조하였다. 2차상으로 첨가한 SiC의 입자 크기가 $eta$-Si3N4 나노 복합체를 제조할 수 있었다. 사온에서 80$0^{circ}C$까지는 강도의 100$0^{circ}C$이상에서는 강도는 급격한 감소를 보였으며 이는 소결조제로 첨가한 AI2O3, Y2O3와 SiO2가 $eta$-Si3N4의 입계에 유리상을 형성하였기 때문에 해석된다. -
저항열원체 Pt 박막의 밀착력과 응집화 현상
이재석, 박효덕, 신상모, 박종완, Lee. Jae-Seok, Park. Hyo-Deok, Sin. Sang-Mo, Park. Jong-Wan 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1996, Vol.6 No.2 204-209 (6 pages)
없이 밀착력을 향상 시키기 위해서 AI, Si의 산화물을 adhesion promoting layer로 이용한 결과 매우 우수한 밀착력과 TCR을 보였다. 질소분위기 600-90$0^{circ}C$의 온도범위에서 행한 열처리를 통해 응집화현상을 관찰한 결과 응집화는 기판거칠기에 따라 다른 양상을 보였다. Si3N4등의 기판거칠기가 작은 adhesion promoting layer를 이용한 시편의 경우 고온인 90$0^{circ}C$에서 응집화 현상이 발생되었다. 표면거칠기가 큰 AI-Si 산화물을 adhesion promoting layer로 이용한 시편의 경우 비교적 저온인 $600^{circ}C$에서 응집화... -
비수계분산매체에서 질화규소와 소결첨가제 AlN 및 Nd$_2$O$_3$의 분산
김재원, 백운규, 윤경진 한국세라믹학회 요업학회지 10 Pages
한국세라믹학회 요업학회지 1999, Vol.36 No.2 210-219 (10 pages)
유기용매에서 질화규소 및 소결첨가제로 사용되는 AlN, Nd2O3 입자의 분산특성을 연구하였다. 분산안정화기구 및 유기공정첨가제와의 상호작용에 관한 연구를 수행하여 비수계 시스템에서 세라믹 입자의 분산성을 규명하였다. 현탁액의 물성특성은 산술된 Hamaker 상수 뿐 아니라 electrokinetic sonic amplitude 측정 및 유동학적 결과로부터 얻어진 흐름곡선을 이용하여 평가하였다. 유기용매 내에서 Si3N4, AlN 그리고 Nd2O3 분산안정화에 기여하는 정전기적 척력은 예상보다 컸으며, 이것은 유기용매의 물리화학적 특성에 의존함을... -
세라믹분체 표면에서 아크릴아마이드 중합(제1보) : 아마이드 고분자중합에 의한 질화규소 겔캐스팅 공정제어
류병환, 김은영, 이재도 한국세라믹학회 요업학회지 8 Pages
한국세라믹학회 요업학회지 1999, Vol.36 No.2 178-185 (8 pages)
Si3N4 겔캐스팅공정 제어를 위하여, 슬립 조성의 영향이 슬립의 점성특성과 성형체의 기계적 특성 및 소결체의 밀도에 미치는 영향에 대하여 조사하였다. 아크릴아마이드 모노머, 고분자전해질, 그리고 질화규소의 혼합물을 어트리터에 예비혼합한 후 볼밀링하여 슬립을 제조하였다. 개시제가 혼합된 슬립을 진공탈포하고 몰드에 주입하고 중합을 진행하였으며, 겔화된 슬립을 건조하여 성형체를 얻었다. 슬립의 특성과 성형체의 기계적 특성을 평가하기 위해, 슬립의 점도 측정과 직경방향 압축시험을 행하였다. 그 결과, near net... -
Si$_3$N$_4$ Whisker의 첨가량과 배열방향이 Si$_3$N$_4$ 복합 소결체의 기계적 특성에 미치는 영향
김창원, 박동수, 박찬 한국세라믹학회 요업학회지 7 Pages
한국세라믹학회 요업학회지 1999, Vol.36 No.1 43-49 (7 pages)
0~5 wt%의 $eta$-Si3N4 whisker를 첨가한 질화규소 가스압 소결체를 제작하였다. 첨가된 whisker들은 tape casting을 응용하여 tape 내에서 일방향으로 배열하였으며, 제작된 tape로부터 절취된 sheet들의 적층 과정을 변화하여 다양한 미세구조를 갖는 성형체를 제작하였다. 가스압 소결을 통하여 치밀화된 소결체의 조대결정립은 성형체의 whisker와 같은 방향성을 가졌으며, 소결수축률과 기계적 특성 등도 이러한 다양한 미세구조상의 특징과 일관된 결과를 나타내었다. Whisker를 일방향으로 배열하였을 경우, 소결수축률은 whisker... -
Cordierite/Microcopmposite 저온 소성 세라믹 기판재료
구본급 한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 10 Pages
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 1995, Vol.2 No.1 49-58 (10 pages)
유리와 borosilicate/Si3N4 복합분말을 사용하였다. Cordierite 유리조성은 무게비로 17.8MgO-23.1Al2O3-48.1ASiO2-5.0ZnO-1.0B2O3를 선택하였다. Borosilicate/Si3N4복합분말은 sol-gel법으로 a-si3N4 core 분말에 borosilicate 겔을 코팅하여 얻었다. 복합분말과 cordierite 유리 분말을 부피비로 0/100, 12.5/87.5 및 25/75의 조성으로 혼합하여 tape casting 에 의해 green sheet를 제작하였다. 이들 sheet들을 800~100$0^{circ}C$에서 2시간 소성하여 얻은 시편을 SEM, XRD, 밀도, 유전상수 등을 측정하여 저 유전율의... -
레이저 출력에 따른 레이저예열선삭된 질화규소의 기계적 특성
김종도, 이수진, 신동식, 서정, 이제훈, Kim. Jong-Do, Lee. Su-Jin, Shin. Ding-Sig, Suh. Jeong, Lee. Jae-Hoon 한국레이저가공학회 한국레이저가공학회지 5 Pages
한국레이저가공학회 한국레이저가공학회지 2009, Vol.12 No.4 12-16 (5 pages)
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Analysis of $Si_3N_4$ Ultra Fine Powder Using High-pressure Acid Digestion and Slurry Injection in Inductively Coupled Plasma Atomic Emission Spectrometry
김K.H., 김H.Y., 임H.B., Kim. K.H., Kim. H.Y., Im. H.B. 대한화학회 Bulletin of the Korean Chemical Society 5 Pages
대한화학회 Bulletin of the Korean Chemical Society 2001, Vol.22 No.2 159-163 (5 pages)
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Metamorphic HEMT에서 low-k Benzocyclobutene(BCB)를 이용한 표면 passivation 비교 연구
백용현, 오정훈, 한민, 최석규, 이복형, 이성대, 이진구, Baek. Yong-Hyun, Oh. Jung-Hun, Han. Min, Choi. Seok-Gyu, Lee. Bok-Hyung, Lee. Seong-Dae, Rhee. Jin-Koo 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 6 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2007, Vol.44 No.4 80-85 (6 pages)
benzocyclobutene (BCB)과 전통적인 passivation 물질인 Si3N4를 이용하여 GaAs를 기반으로 하는 $0.1{mu}m;{Gamma}$-gate InAlAs/InGaAs metamorphic high electron mobility transistors (MHEMTs)를 제작하였다. 제작된 MHEMT의 특성은 passivation 전과 후로 구분하여 비교하였다. Passivation후 BCB와 Si3N4를 이용한 경우 모두에서 passivation 이전에 비해 저하된 DC 및 RF 특성을 나타내었으나, BCB를 이용하여 passivation을 한 소자들이 전통적인 passivation 물질인 Si3N4를 이용한 소자들에 비해서 상대적으로 낮은 특성...