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Ion-Implanted E-IGFET의 Doping Profile과 Threshold 전압과의 관계에 관한 연구(I)
손상희, 오응기, 곽계달, Son. Sang-Hui, O. Eung-Gi, Gwak. Gye-Dal 대한전자공학회 電子工學會誌 7 Pages
대한전자공학회 電子工學會誌 1984, Vol.21 No.4 58-64 (7 pages)
이온주입형 E-IGFET에서 이온주입층내 불순물 profile을 임의의 형태로 가정하였으며, 가정한 불순물 profile을 이용하여 threshold 전압에 대한 간단한 model을 유도하였다. 유도한 model을 이용하여 Gaus-sian-profile일 때의 threshold 전압치를 구하였고, 실제의 측정 data와 비교하였을 때 일치함을 확인할 수 있었다. 더불어, box-profile일 때의 threshold 전압치의 오차를 계산해 보았다. 또한, substrate-bias에 의한 threshold 전압의 변화를 simulation하였으며. 계산과정에서 이온주입층의 깊이 D를 구하는 새로운 방법을... -
Substrate Doping Concentration Dependence of Electron Mobility Enhancement in Uniaxial Strained (110)/<110> nMOSFETs
Sun. Wookyung, Choi. Sujin, Shin. Hyungsoon 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 7 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2014, Vol.14 No.5 518-524 (7 pages)
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Gate All Around Metal Oxide Field Transistor: Surface Potential Calculation Method including Doping and Interface Trap Charge and the Effect of Interface Trap Charge on Subthreshold Slope
Najam. Faraz, Kim. Sangsig, Yu. Yun Seop 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 8 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2013, Vol.13 No.5 530-537 (8 pages)
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Analytical Characterization of a Dual-Material Double-Gate Fully-Depleted SOI MOSFET with Pearson-IV type Doping Distribution
Kushwaha. Alok, Pandey. Manoj K., Pandey. Sujata, Gupta. Anil K. 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 10 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2007, Vol.7 No.2 110-119 (10 pages)
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The Effect of Microstructure Nonuniformity on the Electrical Characteristics of ZnO Varistors with $Al_2$O$_3$ doping
Han. Se-Won, Cho. Han-Goo 대한전기학회 KIEE international transactions on electrophysics and applications 6 Pages
대한전기학회 KIEE international transactions on electrophysics and applications 2003, No.0 140-145 (6 pages)
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Effect of Ga-doping on the properties of ZnO films grown on glass substrate at room temperature by radio frequency magnetron sputtering
김금채, 이지수, 이수경, 김도현, 이성희, 문주호, 전민현, Kim. G.C., Lee. J.S., Lee. S.K., Kim. D.H., Lee. S.H., Moon. J.H., Jeon. M.H. 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2008, Vol.17 No.1 40-45 (6 pages)
유리기판 위에 약 500 nm 의 두께로 성장된 ZnO층의 구조적, 광학적, 전기적 성질에 미치는 갈륨도핑의 영향에 대하여 연구 하였다. 다결정 ZnO 와 GZO 층은 상온에서 radio frequency magnetron sputtering 법을 사용하여 성장되었다. 투과전자현미경 (TEM)과 x-ray 회절분석 (XRD)에 의하면, 갈륨이 도핑된 ZnO 박막의 결정성은 ZnO에 비하여 향상되었고 (002)방향을 따라 우선성장 되었음이 발견되었다. GZO 박막의 투과도는 가시광 영역에서 ZnO 박막에 비해 약 10% 정도 향상된 것으로 나타났다. PL 분석에 따르면, NBE emission...