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GaSe및 GaTe계의 기계적 합금화 거동
최정보, 안중호, Choi. Jung Bo, Ahn. Jung-Ho 한국분말야금학회 한국분말야금학회지 5 Pages
한국분말야금학회 한국분말야금학회지 2014, Vol.21 No.5 338-342 (5 pages)
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가우스형 에바네슨트파의 광압에 의한 Mie 입자 결합체들의 회전
한국광학회 한국광학회지 1999, Vol.10 No.1 5-9 (5 pages)
파장이 532nm인 선형 파극된 Nd:YAG 레이저 광속을 Gadolimium Gallium Garnet 프리즘 면에서 전반시킬 때 형성된 에바네슨트파 석에 위차한 Mie 입자 결합체들이 광압에 의해 회전하는 것을 관찰하였다. 가우스 광속에 의한 에바슨트파의 최대 강도 지점에서 벗어난 곳에 위치한 3~5$mu extrm{m}$ 크기의 라텍스 또는 효모 결합체들이 0.1~1 rpm의 속도로 회전하엿는데, 두입자의 결합체는 광속의 진행 방향과 나란해질 때 회전이 멈추었으나 세입자 이상의 결합체들은 계속 회전하는 것을 볼 수 있었다. 본 실험 결과는 근접장 영역에서... -
LED 공정스크랩으로부터 Ga 회수를 위한 침출 거동 연구
박경수, 강이승, 이찬기, 엄성현, 홍현선, 심종길, 박정진, Park. Kyung-Soo, Kang. Lee Seung, Lee. Chan Gi, Uhm. Sunghyun, Hong. Hyun Seon, Shim. Jong-Gil, Park. Jeun 한국공업화학회 공업화학 4 Pages
한국공업화학회 공업화학 2014, Vol.25 No.4 414-417 (4 pages)
습식제련 기술을 통한 Ga의 재활용을 위해 고결정성 GaN으로 구성되어 있는 LED 공정스크랩의 침출 거동을 연구하였다. 고결정성 GaN은 산성 및 염기성 조건에서 매우 안정하여 침출이 어려운 물질로 알려져 있다. 따라서, 본 연구에서는 볼밀링을 통해 원료와 $Na_2CO_3$를 1:1 비율로 섞은 후 관상로를 이용해 $1000-1200^{circ}C$에서 열처리 하여 산화물로의 상변화를 유도하였다. 열처리 결과로써, $1100^{circ}C$에서 GaN은 약 73 wt%의 Ga을 포함하는 산화물로 상변화 되었다. 이러한 열처리 샘플은 $100^{circ}C$ 4 M HCl에서... -
침전법을 이용한 Ga2O3 분말의 합성
정종열, 김상훈, 강은태, 김진호, 한규성, 황광택, 조우석, Jung. Jong-Yeol, Kim. Sang-Hun, Kang. Eun-Tae, Kim. Jin-Ho, Han. Kyu-Sung, Hwang. Kwang-Teak, Cho. Woo-Seo 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 7 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2014, Vol.24 No.1 8-14 (7 pages)
본 연구에서는 InGaZnO 반도체를 제조하기 위하여 출발물질로 사용되는 $Ga_2O_3$분말을 침전법을 이용하여 합성하였다. 침전법의 공정 변수인 출발물질로 사용된 $Ga(NO_3)_3$의 농도와 aging 시간 및 온도를 제어하여 $Ga_2O_3$ 분말을 합성하고 그 물성을 분석하였다. TG-DSC 분석을 통하여 $Ga(OH)_3$의 산화온도 및 $Ga_2O_3$의 상전이 온도를 확인하였고, XRD 분석을 통해 $Ga_2O_3$의 결정구조와 결정성의 변화를 확인하였다. 또한 SEM 관찰을 통해 $Ga_2O_3$분말의 미세 구조와 평균 입도 및 입도 분포를 분석하였다. -
착체중합법을 이용한 Ga2O3 나노 분말의 합성
정종열, 김상훈, 강은태, 한규성, 김진호, 황광택, 조우석, Jung. Jong-Yeol, Kim. Sang-Hun, Kang. Eun-Tae, Han. Kyu-Sung, Kim. Jin-Ho, Hwang. Kwang-Teak, Cho. Woo-Seo 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 7 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2013, Vol.23 No.6 302-308 (7 pages)
본 연구에서는 InGaZnO 산화물 반도체를 제조하기 위한 출발물질 중 하나인 $Ga_2O_3$ 분말을 착체중합법을 이용하여 합성하였다. 함께 사용되는 다른 출발 물질인 $In_2O_3$와 ZnO 분말 입자가 수십 nm 크기로 제조되는 반면 $Ga_2O_3$ 분말입자는 아직까지 수 ${mu}m$ 크기의 입자가 사용되기 때문에 입도의 균일성을 확보하기 위해 착체중합법의 공정을 최적화하여 $Ga_2O_3$ 나노 분말을 합성하고 그 물성을 분석하였다. $Ga_2O_3$ 나노 분말 합성의 출발물질로 ethylene glycol, citric acid, $Ga(NO_3)_3$를 사용하였으며... -
Characterization of GaN thick layer grown by the HVPE: Comparison of horizontal with vertical growth
Lai. Van Thi Ha, Jung. Jin-Huyn, Oh. Dong-Keun, Choi. Bong-Geun, Eun. Jong-Won, Lim. Jee-Hun, Park. Ji-Eun, Lee. Seong-Kuk, Yi. Sung, Shi 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 4 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2008, Vol.18 No.3 101-104 (4 pages)
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X-대역 GaN HEMT Bare-Chip 펄스-전압 펄스-RF 수동 로드-풀 측정
신석우, 김형종, 최길웅, 최진주, 임병옥, 이복형, Shin. Suk-Woo, Kim. Hyoung-Jong, Choi. Gil-Wong, Choi. Jin-Joo, Lim. Byeong-Ok, Lee. Bok-Hyung 한국ITS학회 韓國ITS學會 論文誌 7 Pages
한국ITS학회 韓國ITS學會 論文誌 2011, Vol.10 No.1 42-48 (7 pages)
(Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor) bare-chip을 이용하여 X-대역에서 수동로드 풀(Passive load-pull)을 수행하였다. 열로 인한 특성 변화가 최소화 된 동작 조건을 얻기 위해 드레인 바이어스 전압과 입력 RF 신호를 펄스로 인가하였다. 전자기장 시뮬레이션과 회로 시뮬레이션을 병행하여, 와이어 본딩 효과를 고려하여 드레인 경계면에서의 정확한 임피던스 정합 회로를 구현하였다. 임피던스를 변화시키기 위해 마이크로스트립 라인 스터브의 길이가 조절 가능한 회로를 설계하였다. 펄스 로드 풀 실험 결과 8.5... -
GaN HEMT를 이용한 광대역 고효율 Class-J 모드 전력증폭기 설계
김재덕, 김형종, 신석우, 김상훈, 김보기, 최진주, 김선주, Kim. Jae-Duk, Kim. Hyoung-Jong, Shin. Suk-Woo, Kim. Sang-Hoon, Kim. Bo-Ki, Choi. Jin-Joo, Kim. Sun-Joo 한국ITS학회 韓國ITS學會 論文誌 8 Pages
한국ITS학회 韓國ITS學會 論文誌 2011, Vol.10 No.5 71-78 (8 pages)
본 논문은 GaN HEMT (Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor)를 이용하여 Class-J 모드를 적용한 고효율, 광대역 특성을 갖는 전력증폭기를 설계 및 제작하였다. 제안된 Class-J 모드 전력증폭기의 정합회로는 2차 고조파 임피던스가 리액턴스 성분만 갖도록 하였으며, 1.4 ~ 2.6 GHz 주파수대역내에서 연속파 (CW) 신호를 사용하여 $40{pm}1$ dBm의 출력 전력과 50 % 이상의 전력부가효율 (Power-Added Efficiency, PAE) 및 60 % 이상의 드레인 효율 (Drain Efficiency, DE)이 측정되었다. -
GaN HEMT를 이용한 고효율 스위칭 모드 도허티 전력증폭기 설계
최길웅, 김형종, 최진주, 김선주, Choi. Gil-Wong, Kim. Hyoung-Jong, Choi. Jin-Joo, Kim. Seon-Joo 한국ITS학회 韓國ITS學會 論文誌 8 Pages
한국ITS학회 韓國ITS學會 論文誌 2010, Vol.9 No.5 72-79 (8 pages)
Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor)를 이용하여 Class-E 스위칭 모드를 적용한 S-대역 레이더용 고효율 스위칭 도허티 전력증폭기를 설계 및 제작하였다. 제안된 도허티 전력증폭기는 캐리어 증폭기와 피킹 증폭기가 고효율 특성을 갖는 Class-E 스위칭 모드로 구성되었다. 측정을 위한 입력 RF 신호는 $100;{mu}s$의 펄스폭과 1 kHz의 PRF (Pulse Repetition Frequency)인 duty 10%인 펄스 신호를 사용하였다. 2.85 GHz의 주파수 대역에서 스위칭 도허티 전력증폭기 측정결과 포화전력에서 6 dB 떨어진 지점의 전력부가...