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941.

치과보철용 자석재료의 전기화학적 안정성 개선효과

곽종하, 오상호, 최한철, 정재헌, Kwack. Jong-Ha, Oh. Sang-Ho, Choe. Han-Cheol, Chung. Chae-Heon 대한치과보철학회 대한치과보철학회지 14 Pages

대한치과보철학회 대한치과보철학회지 2006, Vol.44 No.5 628-641 (14 pages)

곽종하, 오상호, 최한철, 정재헌, Kwack. Jong-Ha, Oh. Sang-Ho, Choe. Han-Cheol, Chung. Chae-Heon 저

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942.

치과용 임플란트 나사의 풀림에 미치는 표면코팅 효과

구철인, 정재헌, 최한철, Koo. Cheol-In, Chung. Chae-Heon, Choe. Han-Cheol 대한치과보철학회 대한치과보철학회지 16 Pages

대한치과보철학회 대한치과보철학회지 2004, Vol.42 No.2 210-225 (16 pages)

구철인, 정재헌, 최한철, Koo. Cheol-In, Chung. Chae-Heon, Choe. Han-Cheol 저

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943.

$Si_3N_4$ 기판 위에 PECVD 법으로 형성한 Tungsten Nitride 박막의 특성

배성찬, 박병남, 손승현, 이종현, 최시영, Bae. Seong-Chan, Park. Byung-Nam, Son. Seung-Hyun, Lee. Jong-Hyun, Choi. Sie-Young 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D 9 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D 1999, No.0 17-25 (9 pages)

배성찬, 박병남, 손승현, 이종현, 최시영, Bae. Seong-Chan, Park. Byung-Nam, Son. Seung-Hyun, Lee. Jong-Hyun, Choi. Sie-Young 저

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사용하였을 때, 최고 160nm/min의 높은 성장률을 나타내었다. $WSi_3N_4$ 기판 위에서는 TiN이나 Si 위에서보다 높은 성장률을 나타내었다. $WN_x$ 박막의 순도를 AES로 측정해 본 결과 $NH_3$를 사용했을 때 고순도의 박막을 얻을 수 있었다. XRD 분석으로 순수한 다결정의 W가 비정질의 $WN_x$로 변화되는 것을 알 수 있었으며, 이것은 $WN_x$가 식각 공정시 미세 패턴 형성이 W보다 유리할 것이라는 것을 보여준다. TiN, NiCr, Al 등의 다양한 기판 위에 형성해 본 결과 Al 위에서 최대 $1.6 {mu}m$의 두꺼운 막이 형성되었다.
944.

(Substrate and pretreatment dependence of Cu nucleation by metal-organic chemical vapor deposition)

Kwak. Sung-Kwan, Lee. Myoung-Jae, Kim. Dong-Sik, Kang. Chang-Soo, Chung. Kwan-Soo 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. TE, 전문기술교육 9 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. TE, 전문기술교육 2002, Vol.39 No.1 22-30 (9 pages)

Kwak. Sung-Kwan, Lee. Myoung-Jae, Kim. Dong-Sik, Kang. Chang-Soo, Chung. Kwan-Soo 저

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Si, SiO2, TiN, W2N 기판 위에 (hfac)Cu(VTMS) 유기금속 전구체로 증착된 구리 핵을 조사하였다. 증착온도가 증가함에 따라, 기판 종류에 상관없이 180。C에서 구리 핵이 클러스터링으로 성장하는 메커니즘을 관찰하였다. 또한, HF용액으로 세척한 TiN 과 SiO2가 공존하는 기판에서 구리 핵의 선택성이 향상됨을 관찰하였다. TiN을 H2O2로 세척한 후 Dimethyldichlorosilane 처리했을 때 표면이 passivation됨을 확인하였다.
945.

지상라이다 데이터를 이용한 구조물 모델링 기법 연구

이경근, 정경훈, 김기두, Lee. Kyung-Keun, Jung. Kyeong-Hoon, Kim. Ki-Doo 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SP, 신호처리 8 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SP, 신호처리 2011, Vol.48 No.1 8-15 (8 pages)

이경근, 정경훈, 김기두, Lee. Kyung-Keun, Jung. Kyeong-Hoon, Kim. Ki-Doo 저

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본 논문에서는 지상라이다에서 획득한 3차원 점군데이터로부터 구조물을 모델링하는 알고리듬을 제안한다. 지상라이다 점군 데이터는 항공라이다의 경우와 달리 목표 구조물의 크기와 비슷한 다양한 장애물이 존재하고 데이터의 밀도, 거리 등의 특성이 다르기 때문에 항공라이다에서 사용된 기존의 알고리듬을 그대로 적용하기가 곤란하다. 제안한 방법에서는 색상정보와 호프변환을 이용하여 구조물을 추출하는 기법을 기반으로 주어진 필드데이터를 여러 개의 클러스터로 구분한다. 클러스터 데이터의 우선순위에 따라서 Delaunay...
946.

Nd:$YVO_4$ 레이저 빔을 이용한 인듐 주석 산화물 직접 묘화 기술

김광호, 권상직, Kim. Kwang-Ho, Kwon. Sang-Jik 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 5 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2008, Vol.45 No.11 8-12 (5 pages)

김광호, 권상직, Kim. Kwang-Ho, Kwon. Sang-Jik 저

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AC PDP에 사용되는 ITO 전극의 공정시간을 단축시키고 생산성을 향상시키기 위해서 Nd:$YVO_4$ laser를 사용하여 ITO 전극 패턴을 하였다. ITO etchant를 사용하여 ITO 전극패턴을 형성한 샘플과 비교해서 laser를 사용하여 제작한 샘플은 ITO 라인 끝 부분에 shoulder와 물결무늬가 형성되었다. shoulder와 물결무늬의 제거를 위해서 laser의 펄스반복율과 스캔 속도에 변화를 주었다. 또한 shoulder와 물결무늬를 갖는 ITO 전극이 PDP에 주는 영향을 알아보기 위해서 방전특성분석을 하였다. 실험결과 40 kHz와 500 mm/s를 기본...
947.

ITO 전극 형성 방법이 청색 발광 다이오드의 전기 광학적 특성에 미치는 영향

한재호, 김상배, 전동민, Han. Jae-Ho, Kim. Sang-Bae, Jeon. Dong-Min 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 8 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2007, Vol.44 No.11 43-50 (8 pages)

한재호, 김상배, 전동민, Han. Jae-Ho, Kim. Sang-Bae, Jeon. Dong-Min 저

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ITO(Indium Tin Oxide) 전극 형성방법은 ITO 박막 자체의 전기 광학적 특성 뿐 아니라 ITO를 전극으로 하는 청색 발광 다이오드(파장 469nm)의 전기 광학적 특성 및 신뢰성에도 큰 영향을 미침을 확인하였다. 세 가지 ITO 전극 형성 방법 즉 electron beam evaporation법과 sputtering법, 그리고 electron beam evaporation법으로 먼저 증착한 뒤에 sputtering법으로 증착한 hybrid법 등을 사용하여 청색 발광 다이오드를 제작한 다음에 ITO 박막의 특성과 aging에 따른 발광 다이오드의 전기 광학적 특성 변화를 고찰하였다. 그 결과,...
948.

furnace 열처리와 질소 플라즈마 처리에 의한 유기화학증착법을 이용한 선택적 구리 증착

곽성관, 정관수, Gwak. Seong-Gwan, Jeong. Gwan-Su 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 7 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2000, Vol.37 No.3 27-33 (7 pages)

곽성관, 정관수, Gwak. Seong-Gwan, Jeong. Gwan-Su 저

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선택성을 향상시키기 위해서 BPSG(Borophosphosilicate glass) 위에 형성한 TiN 패턴을 로(furnace) 열처리와 질소 플라즈마 처리를 한 후 유기 화학 기상 증착법(MOCVD； Metal Organic Chemical Vapor Deposition)으로 구리 박막을 증착하였다. 먼저 650℃∼750℃에서 열처리한 후 150℃에서 구리 박막을 증착시켰을 때 750℃에서 열처리한 경우 TiN 표면 위에만 선택적으로 구리 증착이 일어났다. 질소 플라즈마 처리를 한 경우도 마찬가지로 BPSG 위에 구리 핵 형성이 억제됨을 알 수 있었다. 플라즈마 처리 온도를 증가시킬수록 BPSG...
949.

초 저 소비전력 및 저 전압 동작용 FULL CMOS SRAM CELL에 관한 연구

이태정 대한전자공학회 電子工學會誌 12 Pages

대한전자공학회 電子工學會誌 1997, Vol.24 No.6 38-49 (12 pages)

이태정 저

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Transistor는 p+/p-well size 0.52mm까지 안정적인 Current Gain을 유지함을 알 수 있었다. Ti/TiN Local Interconnection의 Rs를 Polycide 수준으로 낮추는 것은 TiN deco시 Power를 증가시키고 Pressure를 감소시킴으로써 실현할 수 있었다. Static Noise Margin분석을 통해 Vcc 0.6V에서도 Cell의 동작 Margin이 있음을 확인할 수 있었으며, Load Device의 큰 전류로 Soft Error를 개선할수 있었다. 본 공정으로 제조한 1M Full CMOS SRAM에서 Low Vcc margin 1.0V, Stand-by current 1mA이하(Vcc=3.7V, 85℃기준) 를 얻을 수 있었다.
950.

FinFET 게이트 저항 압축 모델 개발 및 최적화

이순철, 권기원, 김소영, Lee. SoonCheol, Kwon. Kee-Won, Kim. SoYoung 대한전자공학회 Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers 8 Pages

대한전자공학회 Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers 2014, Vol.51 No.8 30-37 (8 pages)

이순철, 권기원, 김소영, Lee. SoonCheol, Kwon. Kee-Won, Kim. SoYoung 저

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방법을 적용하여 게이트 저항을 추출하여 제안하는 모델을 검증하였다. FinFET 게이트의 전기장이 수평 수직 방향으로 형성됨을 고려하여 모델링함으로써, FinFET 게이트 저항의 비선형성을 반영하였다. 현재 제작되고 있는 FinFET에서 게이트가 두 물질(Tungsten, TiN)로 적층된 구조일 수 있음을 고려하여, 비저항이 서로 다른 물질을 적층 시킨 구조에 대한 압축 모델을 개발하였다. 제안하는 모델을 사용하여, 게이트의 기하학적 구조 변수 변화에 따른 게이트 저항이 최소가 되는 fin의 수를 제안하였다. BSIM-CMG에 제안하는 모델을...

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