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Dishing and Erosion Evaluations of Tungsten CMP Slurry in the Orbital Polishing System
Lee. Sang-Ho, Kang. Young-Jae, Park. Jin-Goo, Kwon. Pan-Ki, Kim. Chang-Il, Oh. Chan-Kwon, Kim. Soo-Myoung, Jhon. Myung-S., Hur. Se-An, Ki 한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 4 Pages
한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 2006, Vol.7 No.4 163-166 (4 pages)
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제1 소구치 발치가 수반된 Class I 전돌 증례의 치료 전후 변화
장영일(Young-Il Chang), 이유현(Yu-Hyun Lee) 대한치과교정학회 The Korean Journal of Orthodontics 9 Pages
대한치과교정학회 The Korean Journal of Orthodontics 1996, 제 26권 제 5호 2 487-495 (9 pages)
본 연구는 제 1 소구치 발치로 양호하게 치료된 Class I 전돌 환자의 치료 전 안모 골격 특성과 치료 전후 변화를 조사하여 Class I 전돌 환자의 치료 계획 수립에 이용하고자 하였다. 서울대학교 병원 치과 진료부 교정과에서 내원하여 치열궁 길이 부조화의 양이 7.00mm를 넘지 않고 Class I 전돌 환자로 진단되어 상, 하악 제 1 소구치를 발거한 후 동일한 임상가에 의하여 동일 치료 기법으로 양호하게 치료된 환자 35명(여자 27명, 남자 8명)을 대상으로 치료 전후 측모 두부 방사선 사진을 계측하여 다음과 같은 결과를 얻었다. 1.... -
웨이퍼 레벨 Cu 본딩을 위한 Cu/SiO2 CMP 공정 연구
이민재, 김사라은경, 김성동, Lee. Minjae, Kim. Sarah Eunkyung, Kim. Sungdong 한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 5 Pages
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 2013, Vol.20 No.2 47-51 (5 pages)
Cu 본딩을 이용한 3D 적층 IC의 개발을 위해 2단계 기계적 화학적 연마법(CMP)을 제안하고 그 결과를 고찰하였다. 다마신(damascene) 공정을 이용한 $Cu/SiO_2$ 복합 계면에서의 Cu dishing을 최소화하기 위해 Cu CMP 후 $SiO_2$ CMP를 추가로 시행하였으며, 이를 통해 Cu dishing을 $100{sim}200{AA}$까지 낮출 수 있었다. Cu 범프의 표면거칠기도 동시에 개선되었음을 AFM 관찰을 통해 확인하였다. 2단 CMP를 적용하여 진행한 웨이퍼 레벨 Cu 본딩에서는 dishing이나 접합 계면이 관찰되지 않아 2단 CMP 공정이 성공적으로 적용되었음을... -
Cu-to-Cu 웨이퍼 적층을 위한 Cu CMP 특성 분석
송인협, 이민재, 김성동, 김사라은경, Song. Inhyeop, Lee. Minjae, Kim. Sungdong, Kim. Sarah Eunkyung 한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 5 Pages
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 2013, Vol.20 No.4 81-85 (5 pages)
개발 및 웨이퍼 warpage, 열적 기계적 신뢰성, 전력전달, 등 시스템적인 요소에 대한 연구개발이 동시에 진행되어야 한다. 본 연구에서는 웨이퍼 본딩에 가장 중요한 역할을 하는 Cu CMP (chemical mechanical polishing) 공정에 대한 특성 분석을 진행하였다. 8인치 Si 웨이퍼에 다마신 공정으로 Cu 범프 웨이퍼를 제작하였고, Cu CMP 공정과 oxide CMP 공정을 이용하여 본딩 층 평탄화에 미치는 영향을 살펴보았다. CMP 공정 후 Cu dishing은 약 $180{AA}$이었고, 웨이퍼 표면부터 Cu 범프 표면까지의 최종 높이는 약 $2000{AA}$이었다. -
Cu-Cu 패턴 직접접합을 위한 습식 용액에 따른 Cu 표면 식각 특성 평가
박종명, 김영래, 김성동, 김재원, 박영배, Park. Jong-Myeong, Kim. Yeong-Rae, Kim. Sung-Dong, Kim. Jae-Won, Park. Young-Bae 한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 7 Pages
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 2012, Vol.19 No.1 39-45 (7 pages)
$SiO_2$의 단차 및 Chemical Mechanical Polishing(CMP)에 의한 Cu의 dishing된 정도를 분석 하였다. 실험 결과 BOE 및 HF 습식 식각 시간이 증가함에 따라 단차가 증가 하였고, BOE가 HF보다 더 식각 속도가 빠른 것을 확인하였다. BOE 및 HF 습식 식각 후 Cu의 dishing도 식각시간 증가에 따라 감소하였다. 식각 후 산화막 유무를 알아보기 위해 Cu표면을 X-선 광전자 분광법(X-ray Photoelectron Spectroscopy, XPS)를 이용하여 분석 한 결과 HF습식 식각 후 BOE습식 식각보다 Cu표면산화막이 상대적으로 더 얇아 진 것을 확인하였다. -
웨이퍼 레벨 3D Integration을 위한 Ti/Cu CMP 공정 연구
김은솔, 이민재, 김성동, 김사라은경, Kim. Eunsol, Lee. Minjae, Kim. Sungdong, Kim. Sarah Eunkyung 한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 5 Pages
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 2012, Vol.19 No.3 37-41 (5 pages)
ultra low-k 유전체와 호환성이 좋은 Ti barrier를 선호하는데, Ti barrier는 전기화학적으로 Cu CMP 슬러리에 영향을 받는 경우가 많다. 본 연구에서는 웨이퍼 레벨 Cu 본딩 기술을 위한 Ti/Cu 배선 구조의 Cu CMP 공정 기술을 연구하였다. 다마싱(damascene) 공정으로 Cu CMP 웨이퍼 시편을 제작하였고, 두 종류의 슬러리를 비교 분석 하였다. Cu 연마율(removal rate)과 슬러리에 대한 $SiO_2$와 Ti barrier의 선택비(selectivity)를 측정하였으며, 라인 폭과 금속 패턴 밀도에 대한 Cu dishing과 oxide erosion을 평가하였다. -
기계-화학적 연마 공정을 이용한 실리콘 전계방출 어레이의 제작
이진호, 송윤호, 강승열, 이상윤, 조경의 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1998, Vol.7 No.2 88-93 (6 pages)
전자방출 특성 을 분석하였다. 실리콘 전계방출 소자를 제작하기 위해 실리콘을 두단계로 이루어진 건식식 각과 산화공정으로 팁을 뾰족하게 만들었으며, 게이트를 형성하기 위하여 고 선택비를 가지 는 CMP공정을 사용하였으며, 연마 시간과 연마 압력의 변화로 게이트 높이와 개구의 직경 을 쉽게 조절할 수 있었다. 또한, CMP공정시 발생되는 디싱(dishing)문제를 산화막 마스킹 을 사용함으로 해결하여 자동 정렬된 게이트전극의 개구를 깨끗하게 형성할 수 있었다. 제 작된 에미터의 높이와 팁끝의 반경은 각각 1.1$mu$m,... -
텅스텐 CMP에서 디싱 및 에로젼 결함 감소에 관한 연구
박범영, 김호윤, 김구연, 김형재, 정해도, Park. Boumyoung, Kim. Hoyoun, Kim. Gooyoun, Kim. Hyoungjae, Jeong. Haedo 한국정밀공학회 한국정밀공학회지 8 Pages
한국정밀공학회 한국정밀공학회지 2005, Vol.22 No.2 38-45 (8 pages)
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Local/Global Planarization of Polysilicon Micropatterns by Selectivity Controlled CMP
Shin. Woon-Ki, Park. Sung-Min, Kim. Hyoung-Jae, Joo. Suk-Bae, Jeong. Hae-Do 한국정밀공학회 International journal of precision engineering and manufacturing 6 Pages
한국정밀공학회 International journal of precision engineering and manufacturing 2009, Vol.10 No.3 31-36 (6 pages)
