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FET 스위치 모델을 이용한 E급 주파수 체배기 특성 해석
주재현, 구경헌, Joo. Jae-Hyun, Koo. Kyung-Heon 한국항행학회 한국항행학회논문지 6 Pages
한국항행학회 한국항행학회논문지 2011, Vol.15 No.4 596-601 (6 pages)
모델로 근사하여 특성을 해석하고자 하였다. FET를 입력에 의해 동작하는 스위치 및 기생소자로 모델링하고 E급 주파수 체배기의 정합소자 값을 유도하였다. ADS시뮬레이터를 이용하여 출력 전압과 전류 파형 및 효율을 시뮬레이션하고 기생성분에 따른 변화를 연구하였다. 기생 커패시턴스, 저항, 인덕턴스에 의한 영향을 시뮬레이션하였으며 입력주파수 2.9GHz, 바이어스전압 2V일 때, 출력주파수 5.8GHz에서 기생커패시턴스가 0pF에서 1pF으로 변화함에 따라 드레인효율은 98%에서 28%로 감소하여 기생커패시턴스 CP가 FET의 기생 성분... -
이중게이트 FET를 이용한 광대역 하이브리드 믹서 설계
김철준, 이강호, 구경헌, Jin. Zhe-Jun, Lee. Kang-Ho, Koo. Kyung-Heon 한국항행학회 한국항행학회논문지 7 Pages
한국항행학회 한국항행학회논문지 2005, Vol.9 No.2 103-109 (7 pages)
FET 구조를 이용하여 광대역 하이브리드 믹서를 RF신호와 LO신호를 출력단과 격리하는 저역통과필터와 같이 설계하였다. 저역통과필터는 1.5-5.5GHz에서 RF와 LO신호에 대하여 40dBc의 억압특성을 나타낸다. 이중게이트 FET 믹서는 두 개의 FET를 캐스코드 구조로 연결하여 설계하였으며, 첫번째 FET는 선형영역에서 동작되고 두번째 FET는 포화영역에서 동작한다. 입력매칭은 1.5-5.5GHz에서 높은 변환이득을 갖도록 설계하였다. 설계된 믹서는 IF를 21.4MHz로 고정시키고 0dBm의 국부발진기 전력에서 1.5-5.5GHz 대역에서 7dB이상의... -
DR 2개를 이용한 Push-Push FET DRO의 출력 증가
김인석, 조치성, 한용인, Kim. Ihn S., Jo. Chisung, Han. Yongin 한국항행학회 한국항행학회논문지 5 Pages
한국항행학회 한국항행학회논문지 2003, Vol.7 No.1 1-5 (5 pages)
본 논문에서는 9개의 전형적인 Push-Push FET DRO(Dielectric Resonator Oscillator: 유전체 공진기 발진기)의 드레인단에 게이트단에서 이용했던 동일한 DR을 첨가하여 출력전력과 위상 잡음특성변화를 실험적으로 조사하였다. 9개 발진기는 10 GHz의 기본주파수를 이용하여 20 GHz를 발생할 수 있도록 설계되었고, 출력단에는 3개의 다른 종류의 전력 결합기를 채택했는데, 이들 각각에 대해 측정하였다. 결과적으로 Push-Push FET DRO의 출력전력은 DR을 첨가함으로 향상되어질 수 있는 것과 위상잡음특성은 DR을 첨가하기 전과 대체로... -
20 GHz Push-Push FET 유전체 공진기 발진기 설계 및 실현
정재권, 김인석, Jung. Jae Kwon, Kim. Ihn Seok 한국항행학회 한국항행학회논문지 11 Pages
한국항행학회 한국항행학회논문지 2002, Vol.6 No.1 52-62 (11 pages)
20 GHz Push-Push FET 유전체 공진기 발진기를 설계 제작하고 그 특성을 조사 연구하였다. 기본 주파수 10 GHz를 억제하고 제 2 고조파 주파수를 이용하는 20 GHz Push-Push 발진기를 $TE_{01{delta}}$ 모드의 유전체 공진기와 GaAs MESFET를 두께 H = 20 mil(${varepsilon}_r$=2.52) 테프론기판 위에 장착하는 구조로 설계하고 제작하였다. Wilkinson 전력결합기를 이용하여 제작된 발진기는 20 GHz에서 출력 전력이 5.67 dBm, 기본 주파수 억압특성은 -29.33 dBc, 위상 잡음은 100 kHz offset에서 -105.5 dBc/Hz 특성을 나타내었으며, T... -
ZnO 나노와이어를 이용한 FET 소자 제작 및 특성 평가
김경원, 오원석, 장건익, 박동원, 이정오, 김범수, Kim. K.W., Oh. W.S., Jang. G.E., Park. D.W., Lee. J.O., Kim. B.S. 한국표면공학회 한국표면공학회지 4 Pages
한국표면공학회 한국표면공학회지 2008, Vol.41 No.1 12-15 (4 pages)
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다중BOX분할기법을 이용한 MOS FET의 강반전층내에서의 수직전계해석
노영준, 김철성 한국통신학회 한국통신학회논문지. The Journal of Korea Information and Communications Society. 네트워크 및 서비스 8 Pages
한국통신학회 한국통신학회논문지. The Journal of Korea Information and Communications Society. 네트워크 및 서비스 2000, Vol.25 1469-1476 (8 pages)
증가형 MOS FET에서 강반저의 경우 드레인 전류는 모두 드리프트에 기인하여 흐르기 때문에 I-V모델링시 수직전계와 수평전계를 함께 고려하여야한다. 특히 게이트전압 인가시 발생되는 수직전계는 표면이동도에 영향을 크게 주고 이로 인해서 캐리어들의 정상적인 흐름이 저해되는데 본 논문에서 제안한 다중 box분할법에 의하여 반전층의 깊이를 구하여 이동도 모델에 영향을 크게 미치는 반전층 내에서의 수직전계를 수치해석하였다. -
Source Coupled FET Logic을 이용한 4:1 병렬 ADC 설계
윤몽한, 임명호, 이상원, 이형재 한국통신학회 한국통신학회논문지 8 Pages
한국통신학회 한국통신학회논문지 1990, Vol.15 No.6 467-474 (8 pages)
본 연구에서는 기존의 SCFL(Source Coupled FET Logic)회로보다 고속 저전력 특성을 지닌 회로를 설계하였다. 설계된 SCFL을 이용하여 4:1 병렬 A/D 컨버터를 구성, 시뮬레이션 한 결과 비교기(Comparator 혹은 양자화기)는 66MHz 입력신호와 2GHz 샘플링 주파수에서 Integral Nonlinearity는 $pm$28mV로 한계치 $pm$68mV 보다 훨씬 작으며, ADC 설계시 150여개의 소자를 줄여 전력소비 0.43mW를 실현케 하였다. -
비대칭 결합선로를 이용한 GaAs FET 증폭기의 설계
강희창, 진연강 한국통신학회 한국통신학회논문지 9 Pages
한국통신학회 한국통신학회논문지 1989, Vol.14 No.2 146-154 (9 pages)
비대칭2선 마이크로스트립선으로 구성된 DC블록(비대칭 DC블록)을 GaAs FET의 입력과 출력측에 사용하여 임피던스 정합을 시키는 새로운 증폭기 설계방법을 제시하였다. 중심파수 4(GHz)에 대하여 대칭이 되는 주파수특성을 얻을 수 있었다. 비대칭 DC블록은 ulcorner케패시터의 DC블록의 역할뿐만 아니라 임피던스 정합도 할 수 있다는 큰 장점으로 MC 및 MMIC 용으로 사용 가능하다. -
GaAs FET를 이용한 저잡음증폭기 설계에 관한 연구
전광일, 주창복, 박정기 한국통신학회 한국통신학회논문지 7 Pages
한국통신학회 한국통신학회논문지 1986, Vol.11 No.2 101-107 (7 pages)
Packaged GaAs FET를 利用한 12GHz帶 마이크로波 低雜音增幅器를 設計, 製作하였다. 實驗結果 使用周波數帶域에서 雜音指數 2.3dB 以下, 電力利得 15~18.2dB, 入.出力側 VSWR 약 2.5의 것을 얻었다. 中心周波數 帶域이 약간 높은 쪽으로 shift 되어 있고 VSWR가 약간 높게 되어 있으나 이것은 앞으로 마이크로스트 線의 길이와 補償, 修訂등으로 改善될 수 있을 것으로 생각된다.로 생각된다. -
휴대전화기용 GaAs FET 고주파전력증폭기
염경환, 이승학 한국통신학회 정보통신 : 한국통신학회지 11 Pages
한국통신학회 정보통신 : 한국통신학회지 1995, Vol.12 No.1 59-69 (11 pages)
이동통신에 대한 수요가 급증하고 있는 이즈음 Battery의 효율적인 사용이 휴대 전화기에 있어서 중요한 문제점으로 부각되고 있다. 본 논문은 LTI에서 1991년 후반부터 개발을 시작 1992년에 개발완료한 아날로그 방식의 5.8V 휴대전화기용 고주파전력 증폭기에 관한 것으로 이것의 일반적인 설계 방법과, 시험 및 생산 방법을 기술하고자 한다. 이와 같이 설계된 고주파 전력증폭기는 양산성이 있으며, 효율 60% typ. 출력 31.5dBm 이상 그리고 2차 3차, 및 4차 고조파가 모두 30 dBc 미만이며 그 외에 load missmatch, Noise, Spurious...