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공통 게이트 MESFET를 이용한 전치왜곡 선형화기 설계에 관한 연구
김갑기 한국해양정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 5 Pages
한국해양정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 2003, Vol.7 No.7 1369-1373 (5 pages)
전력증폭기의 비선형성에 의해 채널간의 상호 변조 왜곡성분이 주로 발생하는 CDMA 시스템에서는 선형 전력증폭기가 요구된다. 본 논문에서는 평형 MESFET 전치왜곡 선형화기가 추가된 형태의 선형 전력증폭기를 통한 선형화 방법을 제안하였다. 제안된 선형화기는 한국 PCS주파수 대역에서 G1㏈가 12.1㏈이고 P1㏈가 30㏈m인 A급 전력증폭기에 연결하여 시뮬레이션 하였다. 종단전력증폭기에 1850MHz와 1851.23MHz의 2-tone 신호를 인가한 결과 3차 혼변조가 약 22㏈ 개선되었다. -
저잡음 GaAs MESFET의 최적화 설계를 위한 파라미터 추출
한국항해항만학회 韓國航海學會誌 1992, Vol.16 No.3 65-76 (12 pages)
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GaAs MESFET을 이용한 MMIC SPST 스위치 설계
이명규, 윤경식, 형창희, 김해천, 박철순 한국통신학회 한국통신학회논문지. The Journal of Korea Information and Communications Society. 통신이론 및 시스템 9 Pages
한국통신학회 한국통신학회논문지. The Journal of Korea Information and Communications Society. 통신이론 및 시스템 2002, Vol.27 371-379 (9 pages)
본 논문에서는 동작주파수 범위가 DC에서부터 3GHz인 MMIC SPST(Single Pole Single Throw) 스위치를 설계 및 제작하였다. 스위치 회로 설계에 앞서 성능을 정확히 예측하기 위하여 스위치 소자의 소신호 및 대신호 모델이 필요하며, 새로이 제안된 스위치 소자의 소신호 등가회로 모델 파라미터들은 측정된 5-파라미터로부터 최적화 기법을 사용하여 추출하였다. 이때 예측된 초기값과 경계구간을 사용함으로써 최적화 기법이 가지고 있는 문제점을 보완하였다. 대신호 모델은 측정된 DC 데이터로부터 경험식의 파라미터들을... -
GaAs MESFET를 이용한 ISM 대역 MMIC SPDT 스위치 설계
박훈, 윤경식, 지홍구, 김해천, Park. Hun, Yun. Kyung-Sik, Ji. Hong-Koo, Kim. Hae-Cheon 한국통신학회 한국통신학회논문지. The journal of Korea Information and Communications Society. 무선통신 6 Pages
한국통신학회 한국통신학회논문지. The journal of Korea Information and Communications Society. 무선통신 2003, Vol.28 179-184 (6 pages)
MMIC SPDT 스위치를 제안하였으며, 이를 ETRI에서 지원하는 IDEC MPW의 0.5㎛ GaAs MESFET으로 제작하였다. 이 SPDT 스위치 수신경로의 삽입손실은 3GHz에서 1.518dB, 5.75GHz에서 1.777dB이고, 격리도는 3GHz에서 38.474dB, 5.75GHz에서 29.125dB로 측정되었다. 그리고, 송신경로의 삽입손실은 3GHz에서 0.961dB, 5.75GHz에서 1.162dB이고, 격리도는 3GHz에서 23.259dB, 5.75GHz에서 16.632dB였다. 비대칭구조의 스위치는 대칭구조에 비하여 수신경로의 격리도가 3GHz에서 15.9dB, 5.75GHz에서 11.9dB 정도 개선되었으며, 삽입손실은 약... -
단순화한 GaAs MESFET 주파수 혼합기에서 바이어스와 발진신호에 대한 IMR의 고찰
류연국, 허균, 홍의석 한국통신학회 한국통신학회논문지 7 Pages
한국통신학회 한국통신학회논문지 1994, Vol.19 No.8 1571-1577 (7 pages)
본 논문은 상향 주파수 변환에 의한 12GHz/14GHz의 주파수혼합기를 설계 구현하였다. 두 입력신호의 전력레벨 및 바이어스에 의한 고조파 및 상호변조 전력레벨의 변화를 고찰, 이를 이용하여 전력레벨의 상호변조(Intermodulation ratio : IMR)비를 얻어 구현된 주파수혼합기의 정확한 동작조건을 보였다. 결과적으로 얻은 최적의 동작조건은 신호의 전력레벨이 -30[dBm]이하이며, 국부발진 전력레벨은 -2[dBm]이하였다. 그때의 바이어스 조건은 $V_{DS}$ 가 2.7[V]이며, $V_{GS}$는 -0.2[V]였다. -
갈륨비소 MESFET를 이용한 고이득 연산 증폭기의 입력단 설계
김학선, 김은노, 이형재 한국통신학회 한국통신학회논문지 12 Pages
한국통신학회 한국통신학회논문지 1992, Vol.17 No.1 68-79 (12 pages)
고속 아날로그 시스템,위성통신시스템, video signal processing 및 processing 및 optical fiber interface 회로등에서 높은 전자이동도로 인하여 고주파 툭성이 우수한 GaAs 연산 증폭기는 필수적인 구성 요소이다. 하지만, 낮은 전달컨덕턱스 및 low frequency dispersion등의 현상 때문에 높은 전압이득을 얻을 수 없다는 단점을 가지고 있다. 따라서 본 논문에서는 GaAs MESFETfmf 이용한 증폭기의 이득을 증가시키기 위한 기법을 비교분석하고 기존의 전류미러와 새로운 구성의 전류 미러를 설계하여 회로의 안정화를 꾀하였다.... -
InGaAs APD/GaAs MESFET를 이용한 광 수신 전치증폭기의 설계
이영철, 신철재 한국통신학회 한국통신학회논문지 13 Pages
한국통신학회 한국통신학회논문지 1991, Vol.16 No.11 1071-1083 (13 pages)
본 논문에서는 InGaAs APD와 GaAs MESFET를 이용하여 광 수신 전치증폭기의 설계와 제작에 대하여 논의 하였다. 3단 전달 임피던스형 광 수신 전치 증폭기에 대하여 분석하였으며 마이크로스트립을 이용하여 실현 시켰다. 실현된 광수 신전치 증폭기의 성능을 컴퓨터 시뮬레이션에 의하여 예측할 수 있었으며 이론값을 실험한 결과와 비교하였다. 설계 제작한 혼합 마이크로파 집적회로 형태의 광 수신 전치 증폭기는 대역폭이 380MHz이었으며 565Mb/s, $BER10^9$에서 수신기의 감도는 -40.6dBm을 보였다. -
GaAs MESFET 모델 매개변수 추출에 관한 연구
박의준, 박진우 한국통신학회 한국통신학회논문지 12 Pages
한국통신학회 한국통신학회논문지 1991, Vol.16 No.7 628-639 (12 pages)
GaAs MESFET 모델의 정확한 매채변수 값을 구하기 위하여 바이어스 의존성을 바탕으로 3가지 바이어스 변화에 대한 S-,파라미터 측정만으로 모델 매개변수를 추출할 수 있는 새로운 계산 방법을 제시한다. Weighted Broyden update방법의 최적화 과정에서 얻어지는 오차 함수에 대한 매개 변수의 검토를 이용하여 전형 및 비전형 매개 변수의 유일해를 결정한다. 제안된 방법을 적용하기 위해 Marterka & Kacprzak 모델을 사용하였으며 추출한 매개변수 값의 정당성을 측정치와 비교함으로서 입증하였다. -
Modified Materka Model를 이용한 4H-SiC MESFET 대신호 모델링
이수웅, 송남진, 범진욱 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 9 Pages
한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 2001, Vol.12 No.6 890-898 (9 pages)
Modified Materka-Kacprzak 대신호 MESFET(Metal Semiconductor Field Effect Transistor) model을 사용하여 4H-SiC MESFET의 대신호 모델링을 수행하였다. Silvaco사의 소자 시뮬레이터인 ATLAS를 사용하여 4H-SiC MESFET 소자 시뮬레이션을 수행하고, 이 결과를 modified Materka 대신호 모델을 사용하여 모델링 하였다. 시뮬레이션 및 모델링 결과는 -8 V의 pinch off 전압과 $V_{GS}$ =0 V, $V_{DS}$ =25 V에서 $I_{DSS}$270 mA/mm, $G_{m}$ =52.8 ms/mm를 얻을 수 있었고, 전력 특성 시뮬레이션을 통해 2GHz, $V_{GS}$ =-4V,...