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Etch Rate of Oxide Grown on Silicon Implanted with Different Ion Implantation Conditions prior to Oxidation
Joung. Yang-Hee, Kang. Seong-Jun 한국해양정보통신학회 International journal of maritime information and communication sciences 3 Pages
한국해양정보통신학회 International journal of maritime information and communication sciences 2003, Vol.1 No.2 67-69 (3 pages)
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XPS Analysis of Oxide Etch Polymer in Inductively Coupled High Density Plasmas
Park. Jae-Hyun, Chung. Seoung-Woo, Kim. Jae-Jeong, Kim. Woo-Shik 한국재료학회 Fabrication and Characterization of Advanced Materials 5 Pages
한국재료학회 Fabrication and Characterization of Advanced Materials 1995, Vol.2 767-771 (5 pages)
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INVESTIGATION AND REDUCTION OF DAMAGE AND CONTAMINATION OF SILICON SURFACE IN HIGHLY SELECTIVE OXIDE ETCH PROCESSES
Kim. H.S., Nam. W.J., Park. H.H., Yoon. J.G., Whang. K.W., Yeom. G.Y. 한국재료학회 Fabrication and Characterization of Advanced Materials 6 Pages
한국재료학회 Fabrication and Characterization of Advanced Materials 1995, Vol.2 755-760 (6 pages)
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Buffered Oxide Etch 세정에 의한 다결정 실리콘 TFT의 전기적 특성 개선
남영묵, 배성찬, 최시영 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 6 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2004, Vol.41 No.8 31-36 (6 pages)
본 논문에서는 UV 처리와 BOE 세정을 이용하여 레이저 어닐링 전의 실리콘 표면에 자연 산화막을 제거하여 다결정 실리콘 TFT의 신뢰성을 향상시키는 방법을 제안하였다. 전처리 공정이 다결정 실리콘의 표면 거칠기에 미치는 영향을 AFM으로 측정하였으며, 다결정 실리콘 TFT의 전기적 특성인 스위칭 특성과 항복특성을 대형 유리기판의 위치와 전처리의 유무에 대해서 조사하였다. -
Highly stable amorphous indium.gallium.zinc-oxide thin-film transistor using an etch-stopper and a via-hole structure
Mativenga. M., Choi. J.W., Hur. J.H., Kim. H.J., Jang. Jin 한국정보디스플레이학회 Journal of information display 4 Pages
한국정보디스플레이학회 Journal of information display 2011, Vol.12 No.1 47-50 (4 pages)
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Capacitively Coupled Plasma Source를 이용한 Etcher의 상부 전극 온도 변화에 따른 Etch 특성 변화 개선
신한수, 노용한, 이내응, Shin. Han-Soo, Roh. Yong-Han, Lee. Nae-Eung 한국진공학회 韓國眞空學會誌 5 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2011, Vol.20 No.5 322-326 (5 pages)
가 직접 인가되는 capacitively coupled plasma source를 이용한 oxide layer etching 공정은 현재 반도체 제조 공정에서 매우 유용하게 사용되고 있는 방식이다. 그러나 디바이스의 사이즈가 점점 작아지면서 공정을 진행하기 위한 RF power도 커지고, plasma ignition 되는 electrode 사이의 간격도 점점 좁아지는 기술적 변화가 이루어지고 있다. 이러한 H/W의 변화에 따라 예상치 못한 문제들로 공정을 적용하는데 많은 문제점이 발생하고 있는데, 공정 진행 시에 plasma의 영향으로 인한 electrode의 온도 변화도 그 중 하나이다.... -
STI--CMP 공정에서 Torn oxide 결함 해결에 관한 연구
서용진, 정헌상, 김상용, 이우선, 이강현, 장의구 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 5 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2001, Vol.14 No.1 1-5 (5 pages)
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Dry Etching Characteristics of Zinc Oxide Thin Films in Cl2-Based Plasma
Woo. Jong-Chang, Ha. Tae-Kyung, Li. Chen, Kim. Seung-Han, Park. Jung-Soo, Heo. Kyung-Mu, Kim. Chang-Il 한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 4 Pages
한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 2011, Vol.12 No.2 60-63 (4 pages)
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Damage on the Surface of Zinc Oxide Thin Films Etched in Cl-based Gas Chemistry
Woo. Jong-Chang, Ha. Tae-Kyung, Li. Chen, Kim. Seung-Han, Park. Jung-Soo, Heo. Kyung-Mu, Kim. Chang-Il 한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 5 Pages
한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 2011, Vol.12 No.2 51-55 (5 pages)
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Characterization of via etch by enhanced reactive ion etching
Bae. Y.G., Park. C.S. 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 8 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2004, Vol.14 No.6 236-243 (8 pages)