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As과 Ga 빔 조사에 의해 세척된 Si(100) 기판 위에 GaAs 에피층 성장과 RHEED 패턴
임광국, 김민수, 임재영, Yim. Kwang-Gug, Kim. Min-Su, Leem. Jae-Young 한국표면공학회 한국표면공학회지 6 Pages
한국표면공학회 한국표면공학회지 2010, Vol.43 No.4 170-175 (6 pages)
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RHEED회절점의 강도변화에 따른 In/Si(111)에 대한 연구
곽호원, 이의완, 박동수, 이운환 한국진공학회 韓國眞空學會誌 5 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1997, Vol.6 No.2 172-176 (5 pages)
Si(111)7×7표면에 In을 증착시킬 때 기판온도와 증착량에 따른 표면구조의 변화를 RHEED(Reflection High Energy Electron Diffraction) 상(pattern)과 RHEED상의 회절반점 (spot)강도 변화를 관찰하여 조사하였다. Si(111) 기판온도를 400℃로 유지하면서 In을 증착 시킬 때 증착량이 약 0.1, 0.3, 0.5ML에서 각각 {{{{ SQRT { 3} }}× {{{{ SQRT { 3} }}, {{{{ SQRT { 31} }}× {{{{ SQRT { 31} }}, 4×1구조가 관찰 시작하였다. 기판온도 300°에서는 증착량이 약 0.2ML에서부터 4×1구조가 나타나고 0.8ML이상에서부터는... -
RHEED 반점의 강도변화를 이용한 Si(111)-Sn 표면조사
곽호원, 이의완 한국진공학회 韓國眞空學會誌 4 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1994, Vol.3 No.2 186-189 (4 pages)
Si(111)-7x7 표면에 Sn을 증착시킬 때 기판온도와 증착량에 따른 표면구조의 변화를 RHEED상 (pattern)과 RHEED상의 회절반점(spot) 강도변화를 관찰하여 조사하였다. Si(111) 기판오도를 $ 400^{circ}C$로 유지하면서 Sn을 증착시킬 때{{{{ SQRT { 3}$ imes$ SQRT { 3} 구조가 관찰되었으며 기판온도 $200^{circ}C$ 이하에서는 증착량에 따라 {{{{ SQRT { 3}$ imes$ SQRT { 3} }}, {{{{2 SQRT { 3} $ imes$2 SQRT { 3} }}, 구조들이 관찰되었다. RHEED 반점의 강도변화를 이용하여 Si(111)-Sn {{{{ SQRT { 3}$ imes$ SQRT { 3} 서의... -
RHEED 장치의 제작과 K, Cs/Si(111)계에 관한 연구
이경원, 안기석, 강건아, 박종윤, 이순보 한국진공학회 韓國眞空學會誌 7 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1992, Vol.1 No.1 43-49 (7 pages)
표면구조 분석장치의 하나인 RHEED(Reflection High Energy Electron Diffraction) 장치를 설계.제작하였다. 전자선의 에너지는 0에서 20keV까지 연속가변이 가능하도록 하였 으며 전자선의 접속은 자기렌즈를 이용하였다. 이 장치를 본 연구실에서 제작한 초고진공용 기에 장착하여 K, Cs/Si(111)계의 표면구조를 분석하였다. 깨끗한 Si(111)7 $ imes$ 7 표면을 가 지는 기판의 온도를 상온 및 20$0^{circ}C$ ~ $700^{circ}C$에서 K와 Cs를 증착시켰을 때 변화하는 표면 구조를 RHEED로 관찰하였다. K의 경우, 상온에서 Si(111)7 $... -
Rheed 반점강도의 변화를 이용한 Si(111)-Ad 표면조사
곽호원, 이의완, 이상윤, Kwak. Ho-Weon, Lee. Eui-Wan, Lee. Sang-Yun 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1994, Vol.4 No.6 638-643 (6 pages)
Au의 증착량과 기판온도에 따른 표면구조의 변화를 RHEED(Reflection High Energy Electron Diffraction)상(pattern)과 RHEED상의 회절반점(spot)강도변화를 이용하여 조사하였다. Si(111) $7 imes7$구조를 Au 를 0.1ML-0.4ML증착후에 기판을 $350^{circ}C$-$750^{circ}C$로 수초간 가열하면 $7 imes7$구조에서 $7 imes7$ + $5 imes2$의 혼합 구조로 변화하였으며 증착량 0.4ML-1.0ML에서는 RHEED상이 기판온도와 증착량에 따라 $5 imes2,alpha- sqrt{3} imes sqrt{3},eta- sqrt{3} imes sqrt{3}$의 구조들이 관찰되었다. $6... -
세라믹 표면 분석을 위한 반사전자현미경(REM) 및 고에너지반사전자회절(RHEED)
한국세라믹학회 세라미스트 2002, Vol.5 No.3 39-43 (5 pages)
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연속 reel-to-reel 공정을 이용한 IBAD-MgO template 제조
고경필, 하홍수, 김호겸, 유권국, 고락길, 문승현, 오상수, 유상임, Ko. K.P., Ha. H.S., Kim. H.K., Yu. K.K., Ko. R.K., Moon. S.H., Oh. S.S., Yoo. S.I. 한국초전도저온공학회 한국초전도·저온공학회논문지 4 Pages
한국초전도저온공학회 한국초전도·저온공학회논문지 2007, Vol.9 No.1 18-21 (4 pages)
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분자선에피택시에 의해 Si (100) 기판 위에 성장한 GaAs 에피층의 특성에 대한 기판 세척효과
조민영, 김민수, 임재영, Cho. Min-Young, Kim. Min-Su, Leem. Jae-Young 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2010, Vol.19 No.5 371-376 (6 pages)
$800^{circ}C$로 가열하였다. 이와 같은 세 가지 다른 조건으로 세척한 Si(100) 기판 위에 성장한 GaAs 에피층의 특성은 reflection high-energy electron diffraction (RHEED), atomic force microscope (AFM), double crystal x-ray diffraction (DXRD), photoluminescence (PL), photoreflectance(PR) 등으로 조사하였다. Ga 빔을 증착하여 세척한 Si 기판 위에 성장된 GaAs 에피층의 RHEED 패턴은 ($2{ imes}4$) 구조를 가지고 있었다. Ga 빔을 증착하여 세척한 Si 기판 위에 성장된 GaAs 에피층이 가장 좋은 결정성을 가지고 있었다. -
RAMBE를 사용하여 Si 기판 위에 성장된 AIN 박막의 결정성 분석
홍성의, 한기평, 백문철, 조경익, 윤순길 한국진공학회 韓國眞空學會誌 5 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2001, Vol.10 No.1 22-26 (5 pages)
성장온도 및 기판의 방향성에 따른 박막의 결정성 변화를 분석하였다. Reflection high energy electron diffraction(RHEED) 패턴을 이용하여 성장 중의 결정성을 관찰하였고, 성장 후에는 X-ray diffraction(XRD), double crystal X-ray diffraction(DCXD), transmission electron microscopy/diffraction(TEM/TED)분석을 하였다. $850^{circ}C$이상의 온도에서 Si(100)위에 성장된 AlN박막은 육방정계의 c축 방향으로 우선 배향되어 있음을 확인하였으며 Si(111)위에 성장된 AlN박막의 경우 AlN(0001)/Si(111), AlN(1100)/Si(110),... -
계면금속(Sn)이 흡착된 Ge(111)표면에서의 Ge의 층상성장에 대한 연구
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1998, Vol.7 No.2 77-81 (5 pages)
RHEED(Reflection High Energy Electron Diffraction)상(pattern)의 거울반사점 (specular spot) 강도의 주기적인 진동을 이용하여, 계면금속(surfactant)Sn을 흡착하지 않은 경우와 흡착한 경우 Ge(111)표면 위에서 Ge의 층상성장을 조사하였다. 계면금속을 흡착하지 않았을 경우, 기판온도 $200^{circ}C$에서 반점의 강도가 24ML정도 안정되게 진동하는 것으로 보 아, Ge층상성장의 최적온도로 생각되었다. 계면금속(Sn) 0.5ML를 Ge(111) 표면위에 흡착시 킨 후, Ge성장에서는 기판온도 $200^{circ}C$에서 성장초기에 불규칙한...