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White Light Generation from Single Gallium Oxide Nanoparticles co-doped with Rare-Earth Metals
Patil. Prashant, Park. Jinsung, Lee. Seung Yong, Park. Jong-Ku, Cho. So-Hye 한국진공학회 Applied science and convergence technology 5 Pages
한국진공학회 Applied science and convergence technology 2014, Vol.23 No.5 296-300 (5 pages)
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Anomalous Stress-Induced Hump Effects in Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide TFTs
Kim. Yu-Mi, Jeong. Kwang-Seok, Yun. Ho-Jin, Yang. Seung-Dong, Lee. Sang-Youl, Lee. Hi-Deok, Lee. Ga-Won 한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 3 Pages
한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 2012, Vol.13 No.1 47-49 (3 pages)
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전해채취에 의한 Gallium의 정제기술
최영종, 황수현, 전덕일, 한규성, Choi. Young-Jong, Hwang. Su-Hyun, Jeon. Deok-Il, Han. Kyu-Sung 한국자원리싸이클링학회 資源리싸이클링 : 한국자원리싸이클링학회지 5 Pages
한국자원리싸이클링학회 資源리싸이클링 : 한국자원리싸이클링학회지 2014, Vol.23 No.6 63-67 (5 pages)
갈륨은 주로 산화물 반도체용 타겟이나 LED 칩을 만드는 중요한 소재로 사용하고 있는데 아직까지 폐기물로부터 재자원화에 의한 순환량이 매우 낮다. 이로 인해 갈륨을 함유하고 있는 대부분의 폐자원은 해외로 유출되고 원재료는 수입에 의존하고 있다. 따라서 희유금속인 갈륨을 함유하고 있는 저품위 갈륨으로부터 갈륨을 회수하여 고순도화하는 방법을 연구 하였다. 전처리 과정으로 스크랩을 미분쇄하여 산으로 침출하였다. 침출액내 인듐은 치환으로 석출시켜 분리한 후 알칼리를 사용하여 갈륨과 아연을 수산화물로 침전시켜 여과... -
Ultraviolet and visible light detection characteristics of amorphous indium gallium zinc oxide thin film transistor for photodetector applications
Chang. Seong-Pil, Ju. Byeong-Kwon 한국인터넷방송통신학회 Journal of Advanced Smart Convergence(JASC) 4 Pages
한국인터넷방송통신학회 Journal of Advanced Smart Convergence(JASC) 2012, Vol.1 No.1 61-64 (4 pages)
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Improved Electrical Properties of Indium Gallium Zinc Oxide Thin-Film Transistors by AZO/Ag/AZO Multilayer Electrode
No. Young-Soo, Yang. Jeong-Do, Park. Dong-Hee, Kim. Tae-Whan, Choi. Ji-Won, Choi. Won-Kook 한국센서학회 Journal of sensor science and technology 6 Pages
한국센서학회 Journal of sensor science and technology 2013, Vol.22 No.2 105-110 (6 pages)
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Ne, Ar, Kr 가스를 사용하여 제작한 스퍼터 Gallium 도프 ZnO 박막의 전기적 특성
송풍근, 류봉기, 김광호, Song. Pung-Keun, Ryu. Bong-Ki, Kim. Kwang-Ho 한국세라믹학회 한국세라믹학회지 8 Pages
한국세라믹학회 한국세라믹학회지 2002, Vol.39 No.10 935-942 (8 pages)
Ga 첨가된 ZnO(GZO) 박막을 5.7 wt%의 $Ga_2O_3$를 ZnO에 첨가된 세라믹 GZO 타켓을 사용하여 직류 마그넷 스퍼터에 의해 실온의 유리 기판위에 제작했다. 각각 질량이 서로 다른 Ne, Ar, Kr 가스의 다양한 전압(total gas pressure)에서 제작한 GZO 박막에 대하여, 타켓의 에로젼 영역(B영역)과 비에로젼 영역(A영역)에 대향하는 박막 영역의 전기적 특성을 조사했다. 가스 종류와 관계없이 B 영역의 대향부분은 비에로젼 영역과 비교해서, 홀 이동도와 캐리어 밀도의 감소에 의해 상대적으로 높은 비저항값을 보였다. Ne 가스를 사용한... -
결함밀도가 낮은 Gallium Nitride Epitaxy 막 제조
한국결정학회 한국결정학회지 1998, Vol.9 No.2 131-137 (7 pages)
GaN buffer 층은 반응원료인 trimethyl gallium(TMG)과 NH3 가스를 교호식펄스공급(alternating pulsative supply, APS)방법에 의해 만들었다. AlN buffer/6H-SiC 위에 초기단계에 형성되는 GaN 섬은 APS처리에 의해 크기가 커지는 것을 AFM(atomic force microscope)으로 관찰하였다. Buffer 층의 역할은 그 위에 성막시킨 GaN epitaxy 막의 결정성과 결함밀도에 의해 조사하였다. 성막된 GaN의 결정구조와 결정성은 DCXRD(double crystal X-ray diffractormeter)에 의해 측정되었다. 결정결함은 EPD(etching pit density)를 측정하는... -
(1210) Gallium Nitride 단결정 박막의 결정구조 및 광학적 특성
황진수, 정필조, Hwang. Jin Soo, Chong. Paul Joe 한국결정학회 한국결정학회지 5 Pages
한국결정학회 한국결정학회지 1997, Vol.8 No.1 33-37 (5 pages)
(1012)면 사파이어 기판위에서 성장되는 (12f10)면 GaN 이종적층막의 광학적 특성을 연구하였다. GaN 이종적층막은 $Ga/HC1/NH_3/He$계를 사용한 HVPE(halide vapor phase epitaxy)방법에 의하여 $990^{circ}C$의 온도에서 성장시켰다. 이종적층막의 표면조직과 결정구조는 XRD, RHEED와 SEM으로 확인하였다. 결정구조가 확인된 (1210)면 GaN 단결정막의 광학적 특성은 PL과 Ra-man으로 관찰하였다. Raman 측정은 광학적포논에 기인된 활성모드를 결정축에 대하여 레이저빔의 편광과 진행방향에 의해 변화하는 것을 관찰하였다. Y(Z, Y &... -
(0001), (10${ar{1}}$2)와 (11${ar{2}}$0) Sapphire 기판에서 Gallium Nitribe 단결정 박막의 성장
황진수, 알렉산 한국결정학회 한국결정학회지 9 Pages
한국결정학회 한국결정학회지 1994, Vol.5 No.1 24-32 (9 pages)
(0001),(1012) 및 (1120)면 sapphire 기판위에 성장되는 (0001), (1120) 및 (1011)면 GaN epitaxy 박막을 Ga/HCI/NH3/He 계를 사용한 HVPE(halide vapor phase epitaxy)방법에 의하여 성장시키는 연구를 수행하였다. 박막의 표면조직과 결정구조는 XRD, RHEED와 SEM으로 분석하였으며, 성장된 막의 화학적 조성은 XPS로 관찰되었다. (1120) sapphire위에는 각각 (0001)과 (1120) GaN epitaxy 박막의 두가지 배향관계가 관찰되었다. (0001)면 GaN epitaxy 박막은 (0001)과 (1120)면 sapphire 기판위에서 1050℃ 의 고온으로 성장시킬 때... -
The Study on Complex of Gallium Bromide with Ethyl Bromide in Aniline and in o-Chloroaniline under High Vacuum
김영철, 김세경, 구덕자, 임종완, Kim. Young Cheul, Kim. Se Kyung, Koo. Deog Ja, Lim. Jong Wan 대한화학회 대한화학회지 7 Pages
대한화학회 대한화학회지 1991, Vol.35 No.5 480-486 (7 pages)
아닐린 및 o-클로로아닐린 용액내에서 브롬화에탄의 용해도를 5, 1.5$^{circ}$ 및 25$^{circ}$C에서 브롬화칼륨이 존재할 때와 존재하지 않을 때의 두 경우에 대하여 각각 측정하여 보았다. 브롬화칼륨이 존재하지 않을 때에 o-클로로아닐린에서 브롬화에탄의 용해도가 아닐린에서 보다 크다. 이것은 브롬화에탄과 o-클로로아닐린의 상호작용이 아닐린보다 더 강하다는 것을 나타낸다. 그리고 브롬화칼륨이 존재할 경우에는 용액내에서 브롬화에탄과 브롬화칼륨이 불안정한 착물이 생성된다. 이 착물을 여러 경우로 가정하여 계산하여 본... -
The Interaction of Gallium Iodide with n-Propyl Iodide in Nitrobenzene and m-Xylene on High Vacuum
김영철, 구덕자, Kim. Young Choul, Koo. Deog Ja 대한화학회 대한화학회지 7 Pages
대한화학회 대한화학회지 1991, Vol.35 No.4 301-307 (7 pages)
니트로벤젠 및 m-크실렌 용액내에서 1-요오드화프로판의 용해도를 8$^{circ}$, 15$^{circ}$및 25$^{circ}C$에서 요오드화칼륨이 존재할 때와 존재하지 않을 때의 두 경우에 대하여 각각 측정하여 보았다. 요오드화칼륨이 존재하지 않을 때에 m-크실렌에서 1-요오드화프로판의 용해도가 니트로벤젠에서 보다 크다. 이것은 1-요오드화프로판과 m-크실렌의 상호작용이 니트로벤젠보다 더 강하다는 것을 나타낸다. 그리고 요오드화칼륨이 존재할 경우에는 용액내에서 1-요오드화프로판과 요오드화칼륨이 불안정한 착물이 생성된다. 이 착물을... -
Kinetics of the Bromine-Exchange Reaction of Gallium Bromide with Isopropyl Bromide in Nitrobenzene
최상업, Choi. Sang-Up 대한화학회 대한화학회지 5 Pages
대한화학회 대한화학회지 1970, Vol.14 No.1 85-89 (5 pages)
방사성 브롬으로 표시한 브롬화이소프로필을 사용하여 니트로벤젠 용액내에서 브롬화칼륨과 브롬과이소프로필 사이에 일어나는 브롬교환반응의 속도를 19$^{circ},;25^{circ}$및 40$^{circ}C$에서 측정하였다. 본 실험의 결과는 이 브롬교환반응이 브롬화갈륨에 관하여 2차 반응이고 브롬화이소프로필에 관하여 1차 반응임을 보여준다. 19$^{circ}C$에서의 반응속도 상수 값이 $k_3=3.2{ imes}10^{-2}l^2{cdot}mole^{-2}sec^{-1}$임을 알았다. 그리고 반응속도상수와 온도와의 관계로부터 이 교환반응에 대한 활성화에너지, 활성화엔탈피... -
Synthesis and Characterization of Gallium Nitride Powders and Nanowires Using Ga(S2CNR2)3(R = CH3, C2H5) Complexes as New Precursors
Jung. Woo-Sik, Ra. Choon-Sup, Min. Bong-Ki 대한화학회 Bulletin of the Korean Chemical Society 5 Pages
대한화학회 Bulletin of the Korean Chemical Society 2005, Vol.26 No.1 131-135 (5 pages)
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Molecular Orbital Calculations for the Formation of GaN Layers on Ultra-thin AlN/6H-SiC Surface Using Alternating Pulsative Supply of Gaseous Trimethyl Gallium (TMG) and NH$_3$
성시열, 황진수, Seong. Si Yeol, Hwang. Jin Su 대한화학회 Bulletin of the Korean Chemical Society 5 Pages
대한화학회 Bulletin of the Korean Chemical Society 2001, Vol.22 No.2 154-158 (5 pages)
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Reaction of Lithium Gallium Hydride with Selected Organic Compounds Containing Representative Functional Groups
최정훈, 윤문영, 윤종훈, 정동원, Choe. Jeong Hun, Yun. Mun Yeong, Yun. Jong Hun, Jeong. Dong Won 대한화학회 Bulletin of the Korean Chemical Society 6 Pages
대한화학회 Bulletin of the Korean Chemical Society 1995, Vol.16 No.5 416-421 (6 pages)
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Kinetics of the Bromine-Exchange Reaction of Gallium Bromide with i-Butyl Bromide in 1,2,4,-Trichlorobenzene and in Nitrobenzene
Kwun. Oh-Cheun, Kim. Young-Cheul, Choi. Sang-Up 대한화학회 Bulletin of the Korean Chemical Society 4 Pages
대한화학회 Bulletin of the Korean Chemical Society 1981, Vol.2 No.4 138-141 (4 pages)
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Kinetics of the Bromine-Exchange Reaction of Gallium Bromide with n-Propyl Bromide in 1,2,4-Trichlorobenzene and in Nitrobenzene
Kwun. Oh-Cheun, Kim. Young-Cheul, Choi. Sang-Up 대한화학회 Bulletin of the Korean Chemical Society 4 Pages
대한화학회 Bulletin of the Korean Chemical Society 1981, Vol.2 No.3 86-89 (4 pages)
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종양 진단에 있어서 Gallium및 Thallium 스캔의 이용
이강욱, Lee. Kang-Wook 대한핵의학회 大韓核醫學會誌 10 Pages
대한핵의학회 大韓核醫學會誌 1993, Vol.27 No.1 1-10 (10 pages)
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Fluoride, Bisphosphonate 및 Gallium이 상아질 흡수 억제에 미치는 영향
백은영, 유윤정, 노병덕, 최윤정, 이승종, Baek. Eun-Young, Yu. Yun-Jung, Roh. Byoung-Duck, Choi. Yun-Jeong, Lee. Seung-Jong 대한치과보존학회 大韓齒科保存學會誌 21 Pages
대한치과보존학회 大韓齒科保存學會誌 1997, Vol.22 No.2 575-595 (21 pages)
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Gallium Arsenide의 집적회로의 기술동향과 시장 전망
대한전자공학회 電子工學會誌 1987, Vol.14 No.1 47-55 (9 pages)
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속립성 결핵의 $^{67}Gallium$ Scan 소견
이명섭, 김응조, 홍인수, 성기준, 박현주, Lee. Myeong-Seob, Kim. Eung-Jo, Hong. In-Soo, Sung. Ki-Jun, Park. Hyun-Ju 대한핵의학회 大韓核醫學會誌 5 Pages
대한핵의학회 大韓核醫學會誌 1992, Vol.26 No.1 111-115 (5 pages)
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$^{67}Gallium$ 스캔으로 진단된 활동성 신장결핵 1예
조태봉, 김철우, 김소연, 김영중, 조민구, Cho. Tae-Bong, Kim. Chul-Woo, Kim. So-Yon, Kim. Young-Jung, Cho. Min-Koo 대한핵의학회 大韓核醫學會誌 6 Pages
대한핵의학회 大韓核醫學會誌 1987, Vol.21 No.1 83-88 (6 pages)