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As과 Ga 빔 조사에 의해 세척된 Si(100) 기판 위에 GaAs 에피층 성장과 RHEED 패턴
임광국, 김민수, 임재영, Yim. Kwang-Gug, Kim. Min-Su, Leem. Jae-Young 한국표면공학회 한국표면공학회지 6 Pages
한국표면공학회 한국표면공학회지 2010, Vol.43 No.4 170-175 (6 pages)
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RHEED회절점의 강도변화에 따른 In/Si(111)에 대한 연구
곽호원, 이의완, 박동수, 이운환 한국진공학회 韓國眞空學會誌 5 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1997, Vol.6 No.2 172-176 (5 pages)
Si(111)7×7표면에 In을 증착시킬 때 기판온도와 증착량에 따른 표면구조의 변화를 RHEED(Reflection High Energy Electron Diffraction) 상(pattern)과 RHEED상의 회절반점 (spot)강도 변화를 관찰하여 조사하였다. Si(111) 기판온도를 400℃로 유지하면서 In을 증착 시킬 때 증착량이 약 0.1, 0.3, 0.5ML에서 각각 {{{{ SQRT { 3} }}× {{{{ SQRT { 3} }}, {{{{ SQRT { 31} }}× {{{{ SQRT { 31} }}, 4×1구조가 관찰 시작하였다. 기판온도 300°에서는 증착량이 약 0.2ML에서부터 4×1구조가 나타나고 0.8ML이상에서부터는... -
RHEED 반점의 강도변화를 이용한 Si(111)-Sn 표면조사
곽호원, 이의완 한국진공학회 韓國眞空學會誌 4 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1994, Vol.3 No.2 186-189 (4 pages)
Si(111)-7x7 표면에 Sn을 증착시킬 때 기판온도와 증착량에 따른 표면구조의 변화를 RHEED상 (pattern)과 RHEED상의 회절반점(spot) 강도변화를 관찰하여 조사하였다. Si(111) 기판오도를 $ 400^{circ}C$로 유지하면서 Sn을 증착시킬 때{{{{ SQRT { 3}$ imes$ SQRT { 3} 구조가 관찰되었으며 기판온도 $200^{circ}C$ 이하에서는 증착량에 따라 {{{{ SQRT { 3}$ imes$ SQRT { 3} }}, {{{{2 SQRT { 3} $ imes$2 SQRT { 3} }}, 구조들이 관찰되었다. RHEED 반점의 강도변화를 이용하여 Si(111)-Sn {{{{ SQRT { 3}$ imes$ SQRT { 3} 서의... -
RHEED 장치의 제작과 K, Cs/Si(111)계에 관한 연구
이경원, 안기석, 강건아, 박종윤, 이순보 한국진공학회 韓國眞空學會誌 7 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1992, Vol.1 No.1 43-49 (7 pages)
표면구조 분석장치의 하나인 RHEED(Reflection High Energy Electron Diffraction) 장치를 설계.제작하였다. 전자선의 에너지는 0에서 20keV까지 연속가변이 가능하도록 하였 으며 전자선의 접속은 자기렌즈를 이용하였다. 이 장치를 본 연구실에서 제작한 초고진공용 기에 장착하여 K, Cs/Si(111)계의 표면구조를 분석하였다. 깨끗한 Si(111)7 $ imes$ 7 표면을 가 지는 기판의 온도를 상온 및 20$0^{circ}C$ ~ $700^{circ}C$에서 K와 Cs를 증착시켰을 때 변화하는 표면 구조를 RHEED로 관찰하였다. K의 경우, 상온에서 Si(111)7 $... -
Rheed 반점강도의 변화를 이용한 Si(111)-Ad 표면조사
곽호원, 이의완, 이상윤, Kwak. Ho-Weon, Lee. Eui-Wan, Lee. Sang-Yun 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1994, Vol.4 No.6 638-643 (6 pages)
Au의 증착량과 기판온도에 따른 표면구조의 변화를 RHEED(Reflection High Energy Electron Diffraction)상(pattern)과 RHEED상의 회절반점(spot)강도변화를 이용하여 조사하였다. Si(111) $7 imes7$구조를 Au 를 0.1ML-0.4ML증착후에 기판을 $350^{circ}C$-$750^{circ}C$로 수초간 가열하면 $7 imes7$구조에서 $7 imes7$ + $5 imes2$의 혼합 구조로 변화하였으며 증착량 0.4ML-1.0ML에서는 RHEED상이 기판온도와 증착량에 따라 $5 imes2,alpha- sqrt{3} imes sqrt{3},eta- sqrt{3} imes sqrt{3}$의 구조들이 관찰되었다. $6... -
세라믹 표면 분석을 위한 반사전자현미경(REM) 및 고에너지반사전자회절(RHEED)
한국세라믹학회 세라미스트 2002, Vol.5 No.3 39-43 (5 pages)
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연속 reel-to-reel 공정을 이용한 IBAD-MgO template 제조
고경필, 하홍수, 김호겸, 유권국, 고락길, 문승현, 오상수, 유상임, Ko. K.P., Ha. H.S., Kim. H.K., Yu. K.K., Ko. R.K., Moon. S.H., Oh. S.S., Yoo. S.I. 한국초전도저온공학회 한국초전도·저온공학회논문지 4 Pages
한국초전도저온공학회 한국초전도·저온공학회논문지 2007, Vol.9 No.1 18-21 (4 pages)
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분자선에피택시에 의해 Si (100) 기판 위에 성장한 GaAs 에피층의 특성에 대한 기판 세척효과
조민영, 김민수, 임재영, Cho. Min-Young, Kim. Min-Su, Leem. Jae-Young 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2010, Vol.19 No.5 371-376 (6 pages)
$800^{circ}C$로 가열하였다. 이와 같은 세 가지 다른 조건으로 세척한 Si(100) 기판 위에 성장한 GaAs 에피층의 특성은 reflection high-energy electron diffraction (RHEED), atomic force microscope (AFM), double crystal x-ray diffraction (DXRD), photoluminescence (PL), photoreflectance(PR) 등으로 조사하였다. Ga 빔을 증착하여 세척한 Si 기판 위에 성장된 GaAs 에피층의 RHEED 패턴은 ($2{ imes}4$) 구조를 가지고 있었다. Ga 빔을 증착하여 세척한 Si 기판 위에 성장된 GaAs 에피층이 가장 좋은 결정성을 가지고 있었다. -
RAMBE를 사용하여 Si 기판 위에 성장된 AIN 박막의 결정성 분석
홍성의, 한기평, 백문철, 조경익, 윤순길 한국진공학회 韓國眞空學會誌 5 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2001, Vol.10 No.1 22-26 (5 pages)
성장온도 및 기판의 방향성에 따른 박막의 결정성 변화를 분석하였다. Reflection high energy electron diffraction(RHEED) 패턴을 이용하여 성장 중의 결정성을 관찰하였고, 성장 후에는 X-ray diffraction(XRD), double crystal X-ray diffraction(DCXD), transmission electron microscopy/diffraction(TEM/TED)분석을 하였다. $850^{circ}C$이상의 온도에서 Si(100)위에 성장된 AlN박막은 육방정계의 c축 방향으로 우선 배향되어 있음을 확인하였으며 Si(111)위에 성장된 AlN박막의 경우 AlN(0001)/Si(111), AlN(1100)/Si(110),... -
계면금속(Sn)이 흡착된 Ge(111)표면에서의 Ge의 층상성장에 대한 연구
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1998, Vol.7 No.2 77-81 (5 pages)
RHEED(Reflection High Energy Electron Diffraction)상(pattern)의 거울반사점 (specular spot) 강도의 주기적인 진동을 이용하여, 계면금속(surfactant)Sn을 흡착하지 않은 경우와 흡착한 경우 Ge(111)표면 위에서 Ge의 층상성장을 조사하였다. 계면금속을 흡착하지 않았을 경우, 기판온도 $200^{circ}C$에서 반점의 강도가 24ML정도 안정되게 진동하는 것으로 보 아, Ge층상성장의 최적온도로 생각되었다. 계면금속(Sn) 0.5ML를 Ge(111) 표면위에 흡착시 킨 후, Ge성장에서는 기판온도 $200^{circ}C$에서 성장초기에 불규칙한... -
알칼리금속이 흡착된 Si(111)$7 imes7$ 계의 초기 산화 과정 연구
황찬국, 안기석, 김정선, 박래준, 이득진, 장현덕, 박종윤, 이순보 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1997, Vol.6 No.2 159-164 (6 pages)
전 자 회절법(reflection high energy electron diffraction: RHEED)을 이용하여 상온과 고온(약 300~$500^{circ}C$)에서 알칼리금속(AM)/Si(111)7$ imes$7표면에 1 monolayer(ML)의 AM을 흡착시키면 Si(111)7$ imes$7표면에 비해 산소의 초기 부착 계수(initial sticking coefficient)와 산소의 포화량 은 증가하지 않았다. Si(111)7$ imes$7-AM표면에 산소의 주입량을 증가시키면서 측정한 O ls 스 펙트럼으로부터 AM이 흡착된 Si(111)7$ imes$7표면에 흡착되는 산소원자는 Si-O, AM-O 두 종 류의 결합형태를 가지는 것으로 생각되며... -
Diamond 박막 성장에 미치는 Si 표면 영향의 AES에 의한 연구
이철로, 신용현, 임재영, 정광화, 천병선, Lee. Cheol-Ro, Sin. Yong-Hyeon, Im. Jae-Yeong, Jeong. Gwang-Hwa, Cheon. Byeong-Seon 한국진공학회 韓國眞空學會誌 10 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1993, Vol.2 No.2 199-208 (10 pages)
다이아몬드 박막성장 거동을 관찰하였다. 표면 염마조건 변화에 따른 3가지 기판(A-Si, B-Si, C-Si)위에 동일한 성장조건으로 다이아몬드를 성장하였으며, 이때 형상인자와 관련된 자유에너지 관계는 ${Delta}G_{A-Si}<{Delta}G_{B-Si}<{Delta}G_{C-Si}$이다. AES, SEM, XRD, RHEED에 의해 각각의 박막 A, B, C를 조사한 결과, 핵생성 자유에너지가 가장 적은 A 박막은 (100) (110) 면이 지배적인 고품위 다이아몬드 박막이다. 자유에너지가 A에 비해 다소 적은 B 박막은 (111) 면이 지배적인 8면체 다이아몬드 박막이고, 자유에너지가... -
Si(111)$7{ imes}7$ 표면에서 Mg 성장양상 연구
안기석, 여환욱, 이경원, 이순보, 조용국, 박종윤 한국진공학회 韓國眞空學會誌 5 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1993, Vol.2 No.4 399-403 (5 pages)
imes$ 7 위에 Mg를 흡착시켜 표면구조의 변화를 RHEED(Reflection High Energy Electron diffraction) 와 XPS(X-ray PhotoelectronSpectroscopy)를 이용하여 연구하였다. RT ~20$0^{circ}C$까지의 기판온도에서 증착량의 증가에 따라 표면구조는 (7$ imes$7)에서 diffused (1$ imes$1) 그리고 (2 3 3 $ imes$2√3√3-R30$^{circ}$) 구조로 변화하였다. 또한, 기판온도를 증가시킴에 따라 (1$ imes$1), three domain(3$ imes$1) 등의 구조를 볼 수 있었고, 특히 , $450^{circ}C$의 기판온도에서는 single domain (3$ imes$1) 구조를 최초로... -
이온선보조증착에 의한 Si(100)기판에 정합성장된 $Si_{0.5}Ge_{0.5}$박막의 성장방식
박상욱, 백홍구, Park. Sang-Uk, Baek. Hong-Gu 한국재료학회 한국재료학회지 13 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1995, Vol.5 No.3 297-309 (13 pages)
대한 AFM(Atomic Force Microscopy), RHEED(Reflection High Energy Electron diffraction) 등의 분석결과 Si(100)기판위에 이온선보조증착에 의하여 성장된 $Si_{0.5}$Ge_{0.5}$</TEX>층은 Stranski-Kranstanov(SK)기구로 성장되며, 300eV, 10 $mu$A/$cm^{2}$의 Ar이온선을 조사시키는 경우 결정성이 향상되었고, SK 성장 방식의 임계두께가 증가하였다. Ar 이온선 조사에 의해 MBE에 의한 정합성장온도(55$0^{circ}C$-$600^{circ}C$)보다 훨씬 낮은 20$0^{circ}C$에서 정합성장이 가능하였으며, $x_{mn}$값은 10.5%로 MBE에 의한... -
Si(111) Homoepitaxial성장에서 중간금속이 미치는 영향
곽호원, 이의완, 박동수, 곽이상, 이충화, 김학봉, 이운환, Gwak. Ho-Won, Lee. Ui-Wan, Park. Dong-Su, Gwak. Lee-Sang, Lee. Chung-Hwa, Kim. Hak-Bong, Lee. Un-Hwan 한국재료학회 한국재료학회지 7 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1993, Vol.3 No.3 230-236 (7 pages)
불규칙적인 진동을 나타내다가 약 6ML정도부터 주기적인 진동으로 바뀜이 관찰되었다. 그러나, 중간금속인 Ag, Sn을 Si(111)위에 1ML흡착시키면 Ag의 경우 300~$600^{circ}C$, Sn의 경우 190~$860^{circ}C$의 시료온도에서 표면구조가 ${sqrt}{3}{ imes}{sqrt}{3}$구조로 바뀜이 RHEED상으로 관찰되었다. 그리고 난 후에 Si을 흡착시킬 경우 RHEED 상의 경면반사점 강도는 초기부터 주기적일 변화를 가짐이 관찰되었으며${sqrt}{3}{ imes}{sqrt}{3}$구조는 변함이 없었다. 또한 보다 낮은 시료 온도에서 많은 진동이 관찰되었다. 이는... -
원자층 제어 PLD를 이용한 산화물 자성 박막 연구의 동향
김봉주, 김복기, Kim. Bong-Ju, Kim. Bog-G. 한국자기학회 韓國磁氣學會誌 10 Pages
한국자기학회 韓國磁氣學會誌 2012, Vol.22 No.4 147-156 (10 pages)
관심이 높다. 그 중에서 원자층 두께를 조절할 수 있는 PLD 방법은 매우 폭넓은 관심을 받고 있다. 우리는 기존의 PLD 방법과 Reflection high energy electron diffraction(RHEED)을 이용하여 원자층 제어 PLD 방법을 구현하였다. 이러한 방법을 이용하여 산화물에서의 원자층 두께를 정밀하게 제어하는 방법에 관한 실험을 수행하였다. 이와 같은 실험방법이 가지는 다양한 조건을 제어하여 최소한의 결함을 가지고 결정의 화학적 조성에 근접하는 고품질의 박막을 구축하여 이를 바탕으로 다양한 실험을 수행하였다. 본 논문에서는... -
직충돌 이온산란 분광법(ICISS)에 의한 고체 표면구조의 해석(2): 반도체 재료의 표면구조 해석
황연, Hwang. Yeon 한국결정학회 한국결정학회지 7 Pages
한국결정학회 한국결정학회지 2008, Vol.19 No.1 7-13 (7 pages)
표면의 구조해석 방법에는 LEED(저에너지 전자선 회절법)나 RHEED(반사 고에너지 전자선 회절법) 등과 같이 표면의 2차원적 회절상을 해석하는 방법이 있고(역격자 공간의 해석), 또는 ISS(이온산란 분광법), RBS(러더포드 후방산란법) 등과 같이 표면 원자의 실공간에 대한 정보를 직접 얻는 방법이 있다. 실제로는 두 가지 종류의 분석법을 상호 보완적으로 조합하여 효율적인 구조해석을 수행한다. 본고에서는 직충돌 이온산란 분광법(ICISS: Impact Collision Ion Scattering Spectroscopy)에 대한 원리, 장치, 측정방법 등을 소개한... -
(1210) Gallium Nitride 단결정 박막의 결정구조 및 광학적 특성
황진수, 정필조, Hwang. Jin Soo, Chong. Paul Joe 한국결정학회 한국결정학회지 5 Pages
한국결정학회 한국결정학회지 1997, Vol.8 No.1 33-37 (5 pages)
사용한 HVPE(halide vapor phase epitaxy)방법에 의하여 $990^{circ}C$의 온도에서 성장시켰다. 이종적층막의 표면조직과 결정구조는 XRD, RHEED와 SEM으로 확인하였다. 결정구조가 확인된 (1210)면 GaN 단결정막의 광학적 특성은 PL과 Ra-man으로 관찰하였다. Raman 측정은 광학적포논에 기인된 활성모드를 결정축에 대하여 레이저빔의 편광과 진행방향에 의해 변화하는 것을 관찰하였다. Y(Z, Y & Z) X 방향에서의 측정은 $A_1(TO)=533;cm^{-1},;E_1(TO)=559;cm^{-1}$과 $E_2=568;cm^{-1}$ 모드에 기인된 Raman 스펙트럼을 관찰할 수... -
(0001), (10${ar{1}}$2)와 (11${ar{2}}$0) Sapphire 기판에서 Gallium Nitribe 단결정 박막의 성장
황진수, 알렉산 한국결정학회 한국결정학회지 9 Pages
한국결정학회 한국결정학회지 1994, Vol.5 No.1 24-32 (9 pages)
의하여 성장시키는 연구를 수행하였다. 박막의 표면조직과 결정구조는 XRD, RHEED와 SEM으로 분석하였으며, 성장된 막의 화학적 조성은 XPS로 관찰되었다. (1120) sapphire위에는 각각 (0001)과 (1120) GaN epitaxy 박막의 두가지 배향관계가 관찰되었다. (0001)면 GaN epitaxy 박막은 (0001)과 (1120)면 sapphire 기판위에서 1050℃ 의 고온으로 성장시킬 때 이차원적인 성장구조를 보여주였으며, (1120) sapphire 기판위에 성장된 (1011) GaN 박막이 주사전자현미경과 RHEED 분석결과 가장 좋은 표면조직과 결정구조를 보여주었다. -
자기조직화에 의한 InAs 양자점 구조 형성에 미치는 수소플라즈마의 효과
박용주, 김은규, 민석기 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 9 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 1996, Vol.6 No.3 351-359 (9 pages)
사용하여 InAs 양자점 구조형성에 미치는 수소플라즈마의 효과에 대하여 조사하였다. 자기조직화(self-organized)에 의해 GaAs 기판위에서 InAs 양자점의 형성을 RHEED(reflection high energy electron diffraction)로 관측한 결과 수소가스 및 수소플라즈마의 영향을 받지 않은 상태에서는 1.9 ML(monolayer)의 InAs 층성장(layer growth) 후에 형성되는데 비해 수소플아즈마를 조사한 상태에서는 약 2.6 ML의 InAs 층성장(layer growth) 후에 형성되는데 비해 수소플아즈마를 조사한 상태에서는 약 2.6 ML의 InAs층이 성장된 후 뒤늦게... -
AuGe 액체금속 이온이 주입된 n-GaAs의 물성연구
강태원, 이정주, 김송강, 홍치유, 임재영, 정관수, Kang. Tae-Won, Lee. Jeung-Ju, Kim. Song-Gang, Hong. Chi-Yhou, Leem. Jae-Young, Chung. Kwan-Soo 대한전자공학회 전자공학회논문지 8 Pages
대한전자공학회 전자공학회논문지 1989, Vol.26 No.6 63-70 (8 pages)
후 이 시료의 표면성분과 구조를 AES(Auger electron spectroscopy), RHEED(reflection high energy electron diffraction), SEM(scanning electron microscopy) and EPMA(electron probe microanalysis)등으로 조사하였으며 AES depth profile 실험결과를 이체충돌에 의한 Monte Carlo simulation과 비교하였다. AuGe 이온이 주입된 시료를 AES, EPMA로 측정한 결과 As의 preferential스피터링이 나타났으며 300$^{circ}$C로 열처리하면 Ga과 outdiffusion되었다. 또한 측정한 Au와 Ge의 depth profile은 이체충돌에 의한 Monte Carlo... -
MBE에 이한 GaAs 에피택셜층 성장
정학기, 이재진 대한전자공학회 電子工學會誌 7 Pages
대한전자공학회 電子工學會誌 1985, Vol.22 No.6 34-40 (7 pages)
표면상태를 SIMS (Seconde,y ion Mass ipectoscopy), AES(Auger Electron Spectroscopy) , SEM (Scanning Elect.on Mic,oscopy) , RHEED (Reflection High Energy Electron Diffraction) 등으로 조사한 결과 기판온도가 540℃일 때 가장 좋은 표면상태를 얻을 수 있었다. 또한 RH-EED관찰 결과 As 안정화된 표면을 관측할 수 있었으며 SIMS로 depth-Profile을 해 본 곁과, Ca 보다 As가 불안정함을 알았다. 또한 반선 회절 검사결과에서 기판온도가 520℃일때와 540℃일때 (400), (200)면에 단결정이 형성되었음을 알 수 있었다. -
$Gd_2$O_3:EU^{3+}$ 형광체 박막의 결정성에 따른 발광특성 연구
장문형, 최윤기, 정권범, 황보상우, 장홍규, 노명근, 조만호, 손기선, 김창해 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2003, Vol.12 No.4 275-280 (6 pages)
통하여 결정구조를 변화시켰다. 초기 생장시의 결정성은 고에너지 전자회절 (RHEED)을 통해 확인하고, X선 회절과 적외선 분광법을 이용하여 시료의 결정구조의 변화를 관측하였다. Near Edge X-ray Absorption Fine Structure (NEXAFS)를 통해 전자구조의 변화를 확인하였다. 이러한 변화들이 발광 특성에 미치는 영향을 Photoluminescence (PL), Cathodoluminescence (CL), 그리고 Vacuum Ultraviolet (VUV) spectrum으로 알아보았다. 본 연구는 결정구조에 의해 변화된 전자구조가 형광체 박막의 발광특성에 미치는 영향을 보고한다. -
Si(100) 기판 위에 성장돈 3C-SiC 박막의 물리적 특성
정귀상, 정연식 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 5 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2002, Vol.15 No.11 953-957 (5 pages)
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Epitaxial Growth of BSCCO Type Structure in Atomic Layer by Layer Deposition by Ion Beam Sputtering
Lee. Hee-Kab, Park. Yong-Pil, Kim. Jeong-Ho 한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 4 Pages
한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 2000, Vol.1 No.4 7-10 (4 pages)
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플라즈마분자선에피탁시법을 이용한 사파이어 기판 위 질화알루미늄 박막의 에피탁시 성장
이효성, 한석규, 임동석, 신은정, 임세환, 홍순구, 정명호, 이정용, Lee. Hyo-Sung, Han. Seok-Kyu, Lim. Dong-Seok, Shin. Eun-Jung, Lim. Se-Hwan, Hong. Soon-Ku, Jeong. Myou 한국재료학회 한국재료학회지 5 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2011, Vol.21 No.11 634-638 (5 pages)