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Strain-free AlGaN/GaN 자외선 센서용 나노선 소자 연구
안재희, 김지현, Ahn. Jaehui, Kim. Jihyun 한국화학공학회 Korean chemical engineering research 4 Pages
한국화학공학회 Korean chemical engineering research 2012, Vol.50 No.1 72-75 (4 pages)
Strain-free AlGaN/GaN 나노선을 기판에 분산시킨 후 E-beam lithography(EBL)를 이용해 단일 나노선 자외선 센서를 제작하였다. 나노선의 구조적, 광학적 특성을 분석하기 위해 focused ion beam(FIB), photoluminescence, micro-Raman spectroscopy를 이용하여 나노선의 strain 및 형태를 조사하였다. 자외선 센서로서의 특성 여부를 확인하기 위하여 빛을 차단 한 조건과 자외선을 조사하는 조건하에서 current-voltage(I-V) 특성을 측정하였으며 각각 9.0 ${mu}S$과 9.5 ${mu}S$의 전기전도도(conductance)를 얻었다. 자외선 조사... -
사파이어 기판 위에 성장된 AlGaN 에피층의 광 흡수 특성
김제원, 박영균, 김용태, 최인훈 한국진공학회 韓國眞空學會誌 5 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1999, Vol.8 No.2 153-157 (5 pages)
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Composition and interface quality control of AlGaN/GaN heterostructure and their 2DEG transport properties
Kee. Bong, Kim. H.J., Na. H.S., Kwon. S.Y., Lim. S.K., Yoon. Eui-Joon 한국진공학회 The Journal of Korean vacuum science & technology 5 Pages
한국진공학회 The Journal of Korean vacuum science & technology 2000, Vol.4 No.3 81-85 (5 pages)
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AlGaN/InGaN HEMTs의 고성능 초고주파 전류 특성
이종욱 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 7 Pages
한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 2004, Vol.15 No.8 752-758 (7 pages)
특성을 분석하였다. 게이트 전극 길이가 0.5 $mu$m로 제작된 소자는 비교적 평탄한 전류 전달 특성을 나타내었으며 최대 전류 880 mA/mm, 최대 전달정수 156 mS/mm, 그리고 $f_{r}$와 $f_{MAX}$는 각각 17.3 GHz와 28.7 GHz가 측정되었다. 또한 표면 처리되지 않은 AlGaN/InGaN/HEMT의 경우 기존의 AlGaN/GaN HEMT와는 달리 펄스 전류 동작 상태에서 전류 와해 현상(current collapse)이 발생하지 않음이 확인되었다. 이 연구 결과는 InGaN를 채널층으로 사용할 경우 표면에 존재하는 트랩에 의한 전류 와해 현상이 발생하지 않는... -
AlGaN/GaN HEMT의 채널폭 스케일링에 따른 협폭효과
임진홍, 김정진, 심규환, 양전욱, Lim. Jin Hong, Kim. Jeong Jin, Shim. Kyu Hwan, Yang. Jeon Wook 한국전기전자학회 전기전자학회논문지 6 Pages
한국전기전자학회 전기전자학회논문지 2013, Vol.17 No.1 71-76 (6 pages)
본 연구에서는 AlGaN/GaN HEMT (High electron mobility transistor)를 제작하고 채널폭의 감소에 따른 특성의 변화를 고찰하였다. AlGaN/GaN 이종접합구조 기반의 기판 위에 채널의 길이는 $1{mu}m$, 채널 폭은 각각 $0.5{sim}9{mu}m$가 되도록 전자선 리소그라피 방법으로 트랜지스터를 제작하였다. 게이트를 형성하지 않은 상태에서 채널의 면저항을 측정한 결과 sub-${mu}m$ 크기로 채널폭이 작아짐에 따라 채널의 면저항이 급격히 증가하였으며, 트랜지스터의 문턱전압은 $1.6{mu}m$와 $9{mu}m$의 채널폭에서 -2.85 V 이었으며... -
Sapphire SiC, Si 기판에 따른 AlGaN/GaN HEMT의 DC 전기적 특성의 시뮬레이션과 분석
김수진, 김동호, 김재무, 최홍구, 한철구, 김태근, Kim. Su-Jin, Kim. Dong-Ho, Kim. Jae-Moo, Choi. Hong-Goo, Hahn. Cheol-Koo, Kim. Tae-Geun 한국전기전자학회 전기전자학회논문지 7 Pages
한국전기전자학회 전기전자학회논문지 2007, Vol.11 No.4 272-278 (7 pages)
및 고온 분야의 반도체 분야에 널리 이용되고 있는 AlGaN/GaN 고 전자 이동도 트랜지스터 (High Electron Mobility Transistor, HEMT) 에 대해 DC (direct current) 특성과 열 특성을 기판을 달리하며 시뮬레이션을 수행하였다. 일반적으로 HEMT 소자의 전자 이동도 및 열전도 특성은 기판의 영향이 그 특성을 크게 좌우한다. 이러한 문제점으로 인해 GaN 기반의 HEMT 소자의 기판에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 따라서, 일반적인 Drift-Diffusion 모델과 열 모델을 이용하여 Si, sapphire, SiC (silicon carbide)으로 각각 기판을... -
${N_2}O$ 플라즈마에 의한 AlGaN/GaN HEMT의 누설전류 감소
양전욱, Yang. Jeon-Wook 한국전기전자학회 전기전자학회논문지 6 Pages
한국전기전자학회 전기전자학회논문지 2007, Vol.11 No.4 152-157 (6 pages)
본 연구에서는 AlGaN/GaN HEMT (High electron mobility transistor)를 제작하고 20 mTorr의 챔버 압력과 15 sccm의 ${N_2}O$ 유량, 40 W의 RF 전력의 조건으로 원거리에서 형성된 플라즈마로 소스와 드레인 영역을 10초${sim}$120초 동안 처리하여 HEMT의 전기적 특성을 관찰하였다. 상온에서 ${N_2}O$ 플라즈마에 처리한 경우 HEMT의 특성이 변화하지 않았으나 $200^{circ}C$의 온도에서 10초 동안 처리한 경우 게이트 길이가 1um, 소스와 드레인 사이의 거리가 4um인 HEMT의 게이트 누설전류가 246 nA로부터 1.2 pA로 크게 감소하였다.... -
Al의 열산화 방법을 이용한 AlGaN/GaN 구조의 표면 Al2O3 패시베이션 효과
김정진, 안호균, 배성범, 박영락, 임종원, 문재경, 고상춘, 심규환, 양전욱, Kim. Jeong-Jin, Ahn. Ho-Kyun, Bae. Seong-Bum, Pak. Young-Rak, Lim. Jong-Won, Moon. Jae-Kyung, Ko. 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 5 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2012, Vol.25 No.11 862-866 (5 pages)
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누설전류를 줄이기 위한 원형 AlGaN/GaN 쇼트키 장벽 다이오드
김민기, 임지용, 최영환, 김영실, 석오균, 한민구, Kim. Min-Ki, Lim. Ji-Yong, Choi. Young-Hwan, Kim. Young-Shil, Seok. O-Gyun, Han. Min-Koo 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 5 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2009, Vol.22 No.9 751-755 (5 pages)
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AlGaN/GaN 이종접합구조의 표면누설전류에 관한 연구
석오균, 최영환, 임지용, 김영실, 김민기, 한민구, Seok. O-Gyun, Choi. Young-Hwan, Lim. Ji-Yong, Kim. Young-Shil, Kim. Min-Ki, Han. Min-Koo 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 5 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2009, Vol.22 No.8 654-658 (5 pages)
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트렌치 구조의 소스와 드레인 구조를 갖는 AlGaN/GaN HEMT의 DC 출력특성 전산모사
정강민, 이영수, 김수진, 김동호, 김재무, 최홍구, 한철구, 김태근, Jung. Kang-Min, Lee. Young-Soo, Kim. Su-Jin, Kim. Dong-Ho, Kim. Jae-Moo, Choi. Hong-Goo, Hahn. Cheol-K 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 4 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2008, Vol.21 No.10 885-888 (4 pages)
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AlGaN/GaN HFETs의 기술개발 동향과 응용
김종욱, 이재승, 신진호 한국전기전자재료학회 전기전자재료 8 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료 2001, Vol.14 No.11 3-10 (8 pages)
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Optimization of Ohmic Contact Metallization Process for AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor
Wang. Cong, Cho. Sung-Jin, Kim. Nam-Young 한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 4 Pages
한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 2013, Vol.14 No.1 32-35 (4 pages)
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The Field Modulation Effect of a Fluoride Plasma Treatment on the Blocking Characteristics of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
Kim. Young-Shil, Seok. O-Gyun, Han. Min-Koo, Ha. Min-Woo 한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 4 Pages
한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 2011, Vol.12 No.4 148-151 (4 pages)
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Correlation between Physical Defects and Performance in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor Devices
Park. Seong-Yong, Lee. Tae-Hun, Kim. Moon-J. 한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 5 Pages
한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 2010, Vol.11 No.2 49-53 (5 pages)
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Piezoelectric효과와 열 효과 모델링을 고려한 AlGaN/GaN HFET의 DC 특성
박승욱, 황웅준, 신무환, Park. Seung-Wook, Hwang. Woong-Joon, Shin. Moo-Whan 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2003, Vol.13 No.12 769-774 (6 pages)
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분자선증착법으로 성장된 AlGaN 에피층의 표면 형상 분석
김제원, 최인훈, 박영균, 김용태, Kim. Je-Won, Choe. In-Hun, Park. Yeong-Gyun, Kim. Yong-Tae 한국재료학회 한국재료학회지 5 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1999, Vol.9 No.9 878-882 (5 pages)
분자선증착법으로 (0001) 사파이어 기판 위에 $Al_xGa_1-_xN$ 에피층을 AlN 몰비를 변화시키면서 성장시켰다. AlN 몰비는 0.16에서 0.76까지 변화시켰으며 X선의 회절 실험과 Rutherford backscattering spectroscopy 방법을 이용하여 AlN 몰비를 결정하였다. $Al_xGa_1-_xN$ 에피층의 깊이 방향의 조성 변화를 관찰하였으며 스퍼터 시간에 대해 각 원소가 일정한 원자 농도를 가짐을 알 수 있었다. AlN 몰비의 증가에 따른 표면 특성의 변화를 관찰하기 위하여 atomic force microscopy 측정을 수행하였다. 표면에서의 입자 모양이 AlN... -
AlGaN/GaN이중 이종접합구조의 광여기 유도방출 특성
김선태, 문동찬, Kim. Seon-Tae, Mun. Dong-Chan 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1995, Vol.5 No.4 445-450 (6 pages)
AIN 완충층을 이용하여 대기압 유기금속에피텍셜 (MOVPE)법으로 사파이어 기판위에 성장시킨 AlGaN/GaN 이중 이종접합구조(double heterostructure : DH)의 고밀도 광여기에 의한 자외선 영역에서의 단면모드 유도방출 특성에 대하여 조사하였다. 실온에서 여기광 밀도 200kW/$cm^{2}$에서 방출된 AlGaN/GaN DH의 유도방출 피크파장과 반치폭은 각각 369nm와 22.4meV이었으며, 80K의 온도에서는 각각 360.1nm와 13.4meV이었다. 고밀도 광여기에 의하여 단면모드 자외영역 유도방출을 얻기에 필요한 입사광 밀도의 임계치는 실온과 80K의... -
AlGaN/GaInN 이중 이종접합구조의 광여기 유도방출과 편광특성
김선태, 문동찬, Kim. Seon-Tae, Mun. Dong-Chan 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1995, Vol.5 No.4 420-425 (6 pages)
AlGaN/GaInN 이중이종접합구조(double heterostructure :DH)를 대기압 유기금속기상에 피텍셜(MOVPE)법으로 AIN 와충층을 이용하여 사파이어 기판위에 성장하고, 실온에서의 광여기법에 의한 청색영역의 단면모드 유도방출특성과 편광특성을 조사하였다. 여기광원의 광밀도가 증가함에 따라 청색 영역에서의 유도방출 피크는 낮은 에너지 쪽으로 이동하였고, 유도방출 피크파장은 여기광밀도가 200kW/$cm^{2}$일때 402nm 이었으며, 스펙트럼의 반치폭은 18meV 이었다. 또한 유도방출에 필요한 여기광밀도의 임계치는 130 kW/$cm^{2}$... -
HVPE에 의해 성장된 AlGaN epi layer의 특성
정세교, 전헌수, 이강석, 배선민, 윤위일, 김경화, 이삼녕, 양민, 안형수, 김석환, 유영문, 천성학, 하홍주, Jung. Se-Gyo, Jeon. Hun-Soo, Lee. Gang-Seok, Bae. Seon-Min, Yun. Wi-Il, Kim. Kyoun 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 4 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2012, Vol.22 No.1 11-14 (4 pages)
위해서는 고품질의 AlGaN 층이 필요하지만 GaN 층위에 AlGaN 층을 성장하는 것은 이들의 격자상수와 열팽창계수 차이로 인해 어렵다. 본 논문에서, multi-sliding boat법이 적용된 혼합소스 HVPE법을 이용하여 GaN template 위에 LED 구조를 성장하였다. 활성층의 Al 조성을 조절함으로써 AlGaN의 격자상수 변화와 광학적 변화를 관찰하고자 하였다. 에피 성장을 위해 HCl과 $NH_3$ 가스를 혼합소스 표면으로 흘려주었고, 수송가스로는 $N_2$를 사용하였다. 소스영역과 성장영역의 온도는 각각 900과 $1090^{circ}C$로 안정화하였다. 성장... -
AlGaN/GaN HEMT 의 DC 및 RF 특성 최적화
손성훈, 김태근, Son. Sung-Hun, Kim. Tae-Geun 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 5 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2011, Vol.48 No.9 1-5 (5 pages)
DC 및 RF 특성을 최적화 하기위해서 2차원 소자 시뮬레이터를 이용하여 연구를 진행하였다. 먼저, AlGaN층의 두께, Al mole fraction 의 변화에 따른 2차원 전자가스 채널의 농도변화가 생기는 현상을 바탕으로 DC특성을 분석하였다. 다음 게이트, 소스, 드레인 전극의 크기와 위치 변화에 따른 RF 특성을 분석하였다. 그 결과 Al mole fraction이 0.2몰에서 0.45몰로 증가할수록 전달이득(transconductance, $g_m$) 과 I-V 특성이 향상됨을 확인하였다. 한편 AlGaN층의 두께가 10nm에서 50nm로 증가할수록 I-V특성은 향상되지만 $g_m$은... -
게이트 필드플레이트 구조 최적화를 통한 AlGaN/GaN HEMT 의 항복전압 특성 향상
손성훈, 김태근, Son. Sung-Hun, Kim. Tae-Geun 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 5 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2011, Vol.48 No.5 1-5 (5 pages)
논문에서는 AlGaN/GaN HEMT의 항복 전압 특성 향상을 위해 2차원 소자 시뮬레이터를 통하여 게이트 필드 플레이트 구조를 최적화하였다. 필드플레이트 길이, 절연체 종류, 절연체 두께 변화 등의 세가지 변수를 이용하여 시뮬레이션을 진행하였으며 그에 따른 전기장 분포의 변화와 항복전압 특성을 확인하였다. 필드플레이트 구조를 최적화 시킴으로서 게이트 에지부분과 필드플레이트 에지부분에 집중 되어있던 전기장이 효과적으로 분산된다. 그에 따라 애벌런치 효과가 줄어들게 되어 항복전압 특성이 향상된다. 결론적으로 최적화된... -
고내압 전력 스위칭용 AlGaN/GaN-on-Si HEMT의 게이트 전계판 구조 최적화에 대한 이차원 시뮬레이션 연구
이호중, 조준형, 차호영, Lee. Ho-Jung, Cho. Chun-Hyung, Cha. Ho-Young 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 7 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2011, Vol.48 No.12 8-14 (7 pages)
본 논문에서는 이차원 소자 시뮬레이션을 활용하여 주어진 게이트-드레인 간격에서 AlGaN/GaN-on-Si HEMT (high electron mobility transistor) 의 고항복전압 구현을 위한 게이트 전계판의 최적화 구조를 제안하였다. 게이트 전계판 구조를 도입하여 게이트 모서리의 전계를 감소시켜 항복전압을 크게 증가시킬 수 있음을 확인 하였으며, 이때 전계판의 길이와 절연막의 두께에 따라 게이트 모서리와 전계판 끝단에서 전계분포의 변화를 분석하였다. 최적화를 위하여 시뮬레이션을 수행한 결과, 1 ${mu}m$ 정도의 짧은 게이트... -
사다리꼴 게이트 구조를 갖는 고내압 AlGaN/GaN HEMT
김재무, 김수진, 김동호, 정강민, 최홍구, 한철구, 김태근, Kim. Jae-Moo, Kim. Su-Jin, Kim. Dong-Ho, Jung. Kang-MIn, Choi. Hong-Goo, Hahn. Cheol-Koo, Kim. Tae-Geun 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 5 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2009, Vol.46 No.4 10-14 (5 pages)
향상시키기 위한 사다리꼴 게이트 구조의 AlGaN/GaN HEMT구조를 제안하였으며 그 실현 가능성을 2차원 소자 시뮬레이터를 통해 조사하였다. 사다리꼴 게이트 구조의 사용으로 드레인 방향의 게이트 모서리 부근에서 나타나는 전계의 집중을 효과적으로 분산되는 것이 시뮬레이션 결과에서 확인 되었다. 제안된 사다리꼴 게이트 AlGaN/GaN HEMT 소자 구조에서 2DEG 채널을 따라 형성되는 전계의 피크값은 4.8 MV/cm 에서 3.5 MV/cm 로 기존 구조의 AlGaN/GaN HEMT에 비해 30% 가량 감소하였으며, 그 결과로 인해 항복 전압은 49 V 에서 69 V... -
압전 및 자발 분극을 고려한 단채널 AlGaN/GaN HEMT의 전류-전압 특성에 관한 해석적 모델
오영해, 지순구, 서정하, Oh. Young-Hae, Ji. Soon-Koo, Suh. Chung-Ha 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 10 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2005, Vol.42 No.12 103-112 (10 pages)
압전 및 자발 분극 효과를 내포한 단채널 n-AlGaN/GaN HEMT의 전류-전압 특성을 도출하고자 AlGaN 및 GaN층 내에서 분극을 고려한 2차원 Poisson 방정식의 해법을 제안하였다. AlGaN 및 GaN층에서의 2차원적 전위 변화를 채널전류의 연속조건과 컨시스턴트하게 도출하기 위해서 GaN영역에 형성된 양자 우물을 통해 흐르는 전자에 대한 전계-의존 이동도를 고려하였다. 도출된 표현식은 동작 전압 전 영역과 장/단채널 소자에 대하여 일괄적으로 적용될 수 있을 것으로 보이며, 계산 결과로부터 2차원 전위 분포 변화 효과를 고려하기 위한... -
RF Dispersion and Linearity Characteristics of AlGaN/InGaN/GaN HEMTs
Lee. Jong-Uk 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 6 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2004, Vol.41 No.11 29-34 (6 pages)
RF dispersion 특성을 조사하였다. 전극 길이가 0.5 ㎛인 AlGaN/InGaN HEMT는 최대 전류 밀도가 730mA/mm, 최대 전달정수가 156 mS/mm인 비교적 우수한 DC 특성과 함께, 기존의 AlGaN/GaN HEMT와는 달리 높은 게이트 전압에도 완만한 전류 전달 특성을 보여 선형성이 우수함을 나타내었다. 또한 여러 다른 온도에서 측정한 펄스 전류 특성에서 소자 표면에 존재하는 트랩에 의한 전류 와해 (current collapse) 현상이 발생되지 않음을 확인하였다. 이 연구 결과는 InGaN를 채널층으로 하는 GaN HEMT의 경우 선형성이 우수하고, 고전압 RF... -
AlGaN/GaN-on-Si 전력스위칭소자의 자체발열 현상에 관한 연구
김신영, 차호영, Kim. Shin Young, Cha. Ho-Young 대한전자공학회 Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea 7 Pages
대한전자공학회 Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea 2013, Vol.50 No.2 91-97 (7 pages)
높은 전류밀도를 갖는 AlGaN/GaN 전력소자는 소자 동작 시에 발생하는 자체발열 현상으로 인해 소자의 전류-전압특성이 저하된다. 특히 열전도도가 낮은 Si 기판을 사용할 경우 더욱 심각한 문제를 발생시킨다. 본 논문에서는 Si기판에 성장한 AlGaN/GaN-on-Si 웨이퍼를 사용하여 전력소자를 제작하였으며, 채널 폭과 Si기판의 두께에 따른 자체 발열 현상을 측정과 시뮬레이션을 통하여 분석하였다. 그리고 이를 기반으로 다채널을 갖는 대면적 전력소자 설계에서 최대전류를 얻기 위하여 열방출을 효과적으로 할 수 있는 구조를... -
산화갈륨 희생층을 이용한 AlGaN/GaN-on-Si HFET의 특성 개선 연구
이재길, 차호영, Lee. Jae-Gil, Cha. Ho-Young 대한전자공학회 Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers 5 Pages
대한전자공학회 Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers 2014, Vol.51 No.2 33-37 (5 pages)
본 논문에서는 AlGaN/GaN HFET의 누설전류 특성을 개선하고자 산화갈륨 희생층 공정을 이용한 새로운 패시베이션 공정을 제안하였다. 오믹 전극 형성시 고온 열처리 과정으로 인해 갈륨의 표면 손상이 불가피하다. 표면 손상을 방지하기 위해 보편적으로 선표면처리 공정을 사용하기도 하지만 이러한 방법만으로는 표면 손상을 완전히 없애기 어렵다. 본 연구에서 새롭게 제안된 산화갈륨 희생층을 이용한 공정 방법은 고온 열처리 후 손상된 표면에 $O_2$ 플라즈마 처리를 통해 산화갈륨층을 형성한 뒤, 염화수소를 이용하여... -
Temperature-Dependent Instabilities of DC characteristics in AlGaN/GaN-on-Si Heterojunction Field Effect Transistors
Keum. Dong-Min, Choi. Shinhyuk, Kang. Youngjin, Lee. Jae-Gil, Cha. Ho-Young, Kim. Hyungtak 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 6 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2014, Vol.14 No.5 682-687 (6 pages)
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Device Performances Related to Gate Leakage Current in Al2O3/AlGaN/GaN MISHFETs
Kim. Do-Kywn, Sindhuri. V., Kim. Dong-Seok, Jo. Young-Woo, Kang. Hee-Sung, Jang. Young-In, Kang. In Man, Bae. Youngho, Hahm. Sung-Ho, Lee 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 8 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2014, Vol.14 No.5 601-608 (8 pages)
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Investigation of Buffer Traps in AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors Using a Simple Test Structure
Jang. Seung Yup, Shin. Jong-Hoon, Hwang. Eu Jin, Choi. Hyo-Seung, Jeong. Hun, Song. Sang-Hun, Kwon. Hyuck-In 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 6 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2014, Vol.14 No.4 478-483 (6 pages)
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Effect of electron-beam irradiation on leakage current of AlGaN/GaN HEMTs on sapphire
Oh. Seung Kyu, Song. Chi Gyun, Jang. Taehoon, Kwak. Joon Seop 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 5 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2013, Vol.13 No.6 617-621 (5 pages)
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Device Characteristics of AlGaN/GaN MIS-HFET using $Al_2O_3$ Based High-k Dielectric
Park. Ki-Yeol, Cho. Hyun-Ick, Lee. Eun-Jin, Hahm. Sung-Ho, Lee. Jung-Hee 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 6 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2005, Vol.5 No.2 107-112 (6 pages)
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Progress in Novel Oxides for Gate Dielectrics and Surface Passivation of GaN/AlGaN Heterostructure Field Effect Transistors
Abernathy. C.R., Gila. B.P., Onstine. A.H., Pearton. S.J., Kim. Ji-Hyun, Luo. B., Mehandru. R., Ren. F., Gillespie. J.K., Fitch. R.C., Sew 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 8 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2003, Vol.3 No.1 13-20 (8 pages)
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사파이어 기판을 사용한 AlGaN/GaN 고 전자이동도 트랜지스터의 정전기 방전 효과
하민우, 이승철, 한민구, 최영환, Ha. Min-Woo, Lee. Seung-Chul, Han. Min-Koo, Choi. Young-Hwan 대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 5 Pages
대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 2005, Vol.54 No.3 109-113 (5 pages)
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높은 항복 전압 특성을 가지는 이중 게이트 AlGaN/GaN 고 전자 이동도 트랜지스터
하민우, 이승철, 허진철, 서광석, 한민구, Ha. Min-Woo, Lee. Seung-Chul, Her. Jin-Cherl, Seo. Kwang-Seok, Han. Min-Koo 대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 5 Pages
대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 2005, Vol.54 No.1 18-22 (5 pages)
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High-Voltage AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors Using Thermal Oxidation for NiOx Passivation
Kim. Minki, Seok. Ogyun, Han. Min-Koo, Ha. Min-Woo 대한전기학회 Journal of electrical engineering & technology 6 Pages
대한전기학회 Journal of electrical engineering & technology 2013, Vol.8 No.5 1157-1162 (6 pages)
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Pt/AlGaN Schottky-Type UV Photodetector with 310nm Cutoff Wavelength
김보균, 김정규, 박성종, 이헌복, 조헌익, 이용현, 한윤봉, 이정희, 함성호, Kim. Bo-Kyun, Kim. Jung-Kyu, Park. Sung-Jong, Lee. Heon-Bok, Cho. Hyun-Ick, Lee. Young-Hyun, Hahn. 한국센서학회 센서학회지 6 Pages
한국센서학회 센서학회지 2003, Vol.12 No.2 66-71 (6 pages)
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HVPE 방법에 의해 r-plane 사파이어 기판 위의 선택 성장된 GaN/AlGaN 이종 접합구조의 특성
홍상현, 전헌수, 한영훈, 김은주, 이아름, 김경화, 황선령, 하홍주, 안형수, 양민, Hong. S.H., Jeon. H.S., Han. Y.H., Kim. E.J., Lee. A.R., Kim. K.H., Hwang. S.L., Ha. H., Ahn. H.S 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 5 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2009, Vol.19 No.1 6-10 (5 pages)
vapor phase epitaxy)방법으로 선택성장(SAC: selective area growth) GaN/AlGaN 이종접합구조의 발광다이오드를 r-plane 사파이어 기판 위에 제작하였다. SAG-GaN/AlGaN DH(double heterostructure)는 고온 GaN 버퍼층, Te 도핑된 AlGaN n-클래딩층. Gan 활성층. Mg 도핑된 AlGaN p-클래딩층. Mg 도핑된 GaN p-캡층으로 구성되어있다. GaN/AlGaN 이종접합구조의 발광다이오드의 특성을 알아보기 위해 SEM을 통한 구조적 분석과 전류-전압 측정(I-V: current-voltage measurement), 전류-광출력(EL: electroluminescence) 측정을 통하여... -
Multi-sliding boat 방식을 이용한 혼합소스 HVPE에 의한 InGaN/AlGaN 이종 접합구조의 성장
장근숙, 김경화, 황선령, 전헌수, 최원진, 양민, 안형수, 김석환, 유재은, 이수민, Jang. K.S., Kim. K.H., Hwang. S.L., Jeon. H.S., Choi. W.J., Yang. M., Ahn. H.S., Kim. S.W., Yoo. 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 4 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2006, Vol.16 No.4 162-165 (4 pages)
HVPE(hydride vapor phase epitaxy) 방법으로 InGaN/AlGaN의 이종접합구조(heterostructure)의 LED (light emitting diode)를 선택성장(SAG : selective area growth)하였다. InGaN/AlGaN 이종접합구조를 혼합소스 HVPE로 연속 성장하기 위하여 새로운 디자인의 multi-sliding boat를 도입하였다. SAG-InGaN/AlGaN LED의 상온 EL(electroluminescence) 특성은 주입전류가 20mA일 때 중심파장은 425nm였다. Multi-sliding boat를 이용한 혼합소스 HVPE 방법이 질화물 반도체 LED를 성장하는 유용한 방법이 될 수 있음을 확인하였다. -
Cr/n-AlGaN/GaN Schottky Contact에서 높은 쇼트키 장벽 형성 메카니즘에 관한 연구
남효덕, 이영민, 장자순, Nam. Hyo-Duk, Lee. Yeung-Min, Jang. Ja-Soon 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 5 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2011, Vol.24 No.4 266-270 (5 pages)
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Al0.3Ga0.7N/GaN 및 Al0.3Ga0.7N/GaN/Al0.15Ga0.85N/GaN 이종접합 구조에서 운반자 구속 효과와 이차원 전자가스의 광학적 특성
곽호상, 이규석, 조현익, 이정희, 조용훈, Kwack. H.S., Lee. K.S., Cho. H.E., Lee. J.H., Cho. Y.H. 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2008, Vol.17 No.4 359-364 (6 pages)
금속 유기화학 증착기 (metal-organic chemical vapor deposition)를 이용하여 사파이어 기판 위에 $Al_{0.3}Ga_{0.7}N$/GaN 및 $Al_{0.3}Ga_{0.7}N/GaN/Al_{0.15}Ga_{0.85}N/GaN$ 이종접합 구조들을 성장하고, 이들 시료의 전자와 정공들 간의 구속 효과를 조사하기 위하여 광학적, 구조적 특성을 비교하였다. 저온 (10 K) photoluminescence 실험으로부터 $Al_{0.3}Ga_{0.7}N$/GaN 단일 이종접합 구조의 경우 3.445 eV에서 단일의 이차원 전자가스 (two-dimensional electron gas; 2DEG) 관련된 발광을 관찰한 반면,... -
저온 성장 AlN 층이 삽입된 Al0.55Ga0.45N/AlN/GaN 이종접합 구조의 구조적 특성 및 이차원 전자가스의 광학적 특성
곽호상, 이규승, 김희진, 윤의준, 조용훈, Kwack. H.S., Lee. K.S., Kim. H.J., Yoon. E., Cho. Y.H. 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2008, Vol.17 No.1 34-39 (6 pages)
층이 삽입된 $Al_{0.55}Ga_{0.45}N$/LT-AlN/GaN 이종접합 구조에 대하여 이차원 전자가스 (two-dimensional electron gas, 2DEG) 관련된 photoluminescence (PL) 신호를 관찰하였다. 이 시료에 대하여 온도 변화에 따른 PL 실험을 수행하여 100 K 근방까지 2DEG 관련된 PL 신호를 관찰하였다. 여기광 세기에 따른 PL 실험을 통하여 ~3.411 eV에서 나타난 2DEG PL 신호와 함께 ${sim}3.437eV$에서도 PL 신호가 관측되었는데, 이는 AlGaN/LT-AlN/GaN 계면에 형성된 2DEG 버금띠와 Fermi 에너지 준위에서의 재결합 특성으로 각각 해석되었다. -
분극 엔지니어링을 통한 상시불통형 질화알루미늄갈륨 이종접합 전계효과 트랜지스터 설계
차호영, 성혁기, Cha. Ho-Young, Sung. Hyuk-Kee 한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 6 Pages
한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 2012, Vol.16 No.12 2741-2746 (6 pages)
본 연구에서는 기존의 질화알루미늄갈륨/질화갈륨 이종접합 구조에서 강한 분극현상으로 인하여 구현하기 어려웠던 상시불통형 소자를 질화알루미늄갈륨 기판 혹은 버퍼층을 이용하여 구현하는 방법을 제안한다. 질화알루미늄갈륨 기판 혹은 버퍼층 위에 더 높은 Al 몰분율을 갖는 장벽층을 성장하고 최상부에 질화갈륨 층을 추가 성장하여 분극전하를 상쇄시키는 방법을 이용하여 선택적으로 게이트 아래의 채널만 공핍시켜 상시불통형 소자를 구현할 수 있다. 이를 통하여 본 연구에서는 상용 전력소자에서 요구하는 게이트 문턱전압 2... -
전력증폭기용 SiC 기반 GaN TR 소자 제작
김상일, 임병옥, 최길웅, 이복형, 김형주, 김륜휘, 임기식, 이정희, 이정수, 이종민, Kim. Sang-Il, Lim. Byeong-Ok, Choi. Gil-Wong, Lee. Bok-Hyung, Kim. Hyoung-Joo, Kim. Ryun-Hwi, 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 8 Pages
한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 2013, Vol.24 No.2 128-135 (8 pages)
본 논문에서는 Si가 도핑된 Modulation-doped AlGaN/GaN 이종 접합 구조를 가지는 전력증폭기용 MISHFET 소자를 제작하였다. 제작된 GaN TR 소자는 6H-SiC(0001)의 Substrate 위에 성장시켰으며, 180 nm의 gate length를 가진다. 제작된 소자를 측정한 결과, 837 mA/mm의 최대 드레인 전류 특성, 177 mS/mm의 $g_m$(Tranconductance)을 가지며, $f_T$는 45.6 GHz, $f_{MAX}$는 46.5 GHz로 9.3 GHz에서 1.54 W/mm의 전력 밀도와 40.24 %의 PAE를 가지는 것으로 확인되었다.