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$TEOS/O_3$ BPSG 막내의 Boron과 Phosphorus의 Stability 향상
정석철, 김완식, 박래학, 박진원, 나관구, 김우식 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1995, Vol.4 151-156 (6 pages)
0.5$mu$m 이하 급의 device에서 TEOS/O3 BPSG 박막을 층간절연막(Interlayer Dielectric)으로 사용하여, 평탄화를 위해 etchback 공정을 적용할 때 BPSG 박막이 가지는 구조적, 화학적 불안정성으로 인해 B,P 농도의 변화나 crack 발생 현상이 일어날 수 있다. 본 실험에서는 이러한 현상을 억제하기 위해 농도를 달리한 이층막의 증착, PR strip 시에 사용하는 wet chemical의 변경 및 증착후 치밀화(densificaiton)공정추가 등의 방법을 사용하였으며, 이에 따른 박막 특성의 변화를 조사하였다. -
BPSG 상에 화학증착된 구리박막의 후열처리에 의한 특성변화
전치훈, 김윤태, 백종태, 유형준, 김대룡, Jeon. Chi-Hun, Kim. Yun-Tae, Baek. Jong-Tae, Yu. Hyeong-Jun, Kim. Dae-Ryong 한국재료학회 한국재료학회지 9 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1996, Vol.6 No.12 1233-1241 (9 pages)
급속열처리하여 열처리 전후의 결정구조, 면저항, 미세구조의 박막특성 변화를 분석하였다. 후열처리된 구리박막에서는 결정성 및 (111) 배향의개선과 함께 결정립 성장이 확인되었으나, 구리의 표면산화반응과 BPSG 내로의 급속한 확산에 의해 전기적 특성의 개선은 미미하였다. 그리고 열처리 박막내에는 구리 실리사이드상의 형성이 발견되지 않았으며, 25$0^{circ}C$/90초의 저온 장시간 또는 55$0^{circ}C$/20초의 고온 단시간 조건에서 전형적으로 나타나는 Cu2O 상이 시편의 전기비저항 증가와 표면열화에 직접적으로 영향을... -
서브마이크론 CMOS DRAM의 소자 특성에 대한 BPSG Flow 열처리 영향
이상규, 김정태, 고철기, Lee. Sang-Gyu, Kim. Jeong-Tae, Go. Cheol-Gi 한국재료학회 한국재료학회지 7 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1991, Vol.1 No.3 132-138 (7 pages)
PMOS 경우는 차이가 없었다. NMOS와 PMOS의 파괴전압은 각각 $0.7mu extrm{m}$와 $0.8mu extrm{m}$ 이하에서 급격히 감소하였다. 그러나 $850^{circ}C/850^{circ}C$ flow의 경우에는 NMOS와 PMOS모두 문턱전압과 파괴전압은 채널길이 $0.7mu extrm{m}$까지 감소하지 않았다. Isolation전압은 BPSG flow온도 감소에 따라 증가하였다. 면저항과 접촉 저항은 BPSG flow온도가 $900^{circ}C$에서 $850^{circ}C$로 감소됨에 따라 급격히 증가되었다. 이와 같은 결과는 열처리 온도에 따라 dopant의 확산과 활성화에 관련 있는 것으로 생각된다.... -
BPSG막의 Flow 특성
홍성현, 이종무, 송성해 한국세라믹학회 요업학회지 9 Pages
한국세라믹학회 요업학회지 1989, Vol.26 No.3 381-389 (9 pages)
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HCl분위기에서 증기열처리된 BPSG 막의 평탄화효과에 관한 연구
한국세라믹학회 요업학회지 1986, Vol.23 No.4 55-61 (7 pages)
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A Study on the Fluorine Effect of Direct Contact Process in High-Doped Boron Phosphorus Silicate Glass (BPSG)
Kim. Hyung-Joon, Choi. Pyungho, Kim. Kwangsoo, Choi. Byoungdeog 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 6 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2013, Vol.13 No.6 662-667 (6 pages)
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가열용융 방법에 의한 Ge-BPSG 마이크로렌즈 어레이 제작
정진호, 오진경, 최준석, 최기선, 이형종, 배병성, Jeong. Jin-ho, Oh. Jin-Gyeong, Choi. Jun-Seok, Choi. Gi-Seon, Lee. Hyeong-Jong, Bae. Byeong-Seong 한국광학회 한국광학회지 5 Pages
한국광학회 한국광학회지 2005, Vol.16 No.4 340-344 (5 pages)
Ge이 첨가된 BPSG(Boro-Phospho-Silicate-Glass)막의 표면을 절단톱(dicing saw)을 이용하여 일정한 깊이로 절단함으로써 각 단위 마이크로렌즈 셀들을 형성시켰다. 또한 절단된 각 단위 마이크로렌즈 셀들을 가열용융(thermal reflow) 방법을 이용하여 $1200^{circ}C$에서 가열용응시킴으로써 직경이 $53.4{mu}m$인 마이크로렌즈 어레이를 제작할수 있었다. 이 때 렌즈간 간격은 $70{mu}m,$ 렌즈 두께는 약 $28.4{mu}m$이었다. 제작된 마이크로렌즈 어레이의 형상을 이미지-프로세스로 분석하였으며. 초점거리는 $62.2{mu}m$이었다. 본... -
초임계 이산화탄소를 이용한 웨이퍼의 건식 식각에서 알콜 첨가제의 효과
김도훈, 장명재, 임권택, Kim. Do-Hoon, Jang. Myoung-Jae, Lim. Kwon-Taek 한국청정기술학회 청정기술 7 Pages
한국청정기술학회 청정기술 2012, Vol.18 No.3 280-286 (7 pages)
있었다. BPSG를 제외하고는 메탄올이 가장 높은 식각률을 보여줬지만, BPSG의 SiN에 대한 식각 선택비는 이소프로판올이 가장 높았다. HF/py/MeOH 계의 건식 식각반응에서 반응 온도에 따라서 박막별 식각률이 증가하였다. 특히 반응 온도 증가에 따라 BPSG의 식각 속도의 증가폭이 매우 높게 나타났다. HF/py에 알콜 공용매를 첨가하여도 식각 부산물 감소에는 크게 효과가 없었다. HF/$H_2O$의 식각률이 HF/py/alcohol 보다 높게 나타났지만 HF/$H_2O$에 알콜 공용매를 첨가하였을 때는 오히려 식각률이 감소되었다. 캔틸레버 빔 구조를... -
이온 주입 공정시 발생한 실리콘 내 결함의 제어를 통한 $p^+-n$ 초 저접합 형성 방법
이길호, 김종철 한국진공학회 韓國眞空學會誌 11 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1997, Vol.6 No.4 326-336 (11 pages)
접합 형성 공정은 $^{49}BF_2^+$ 이온 주입 후 층간 절연막들인 TEOS(Tetra-Ethyl-Ortho-Silicate)막과 BPSG(Boro-Phospho-Silicate-Glass)막을 증착 후 BPSG막 평탄화를 위한 furnace annealing 공정으로 진행된다. 본 연구에서는 이러한 기존 공정과는 달리 층간 절연막 증착 전 저온 RTA첨가 방법, $^{49}BF_2^+$와 $^{11}B^+$ 을 혼합하여 이온 주입하는 방법, 그리고 이온 주입 후 잔류 산화막을 제거하고 MTO(Medium temperature CVD oxide)를 증착하는 방법을 제시하 였으며, 각각의 방법은 모두 이온 주입에 의한 실리콘... -
PMD(Pre-Metal Dielectric) 선형 질화막 공정의 최적화에 대한 연구
정소영, 김상용, 서용진 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 6 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2001, Vol.14 No.10 779-784 (6 pages)
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Fabrication of Field-Emitter Arrays using the Mold Method for FED Applications
Cho. Kyung-Jea, Ryu. Jeong-Tak, Kim. Yeon-Bo, Lee. Sang-Yun 한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 5 Pages
한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 2002, Vol.3 No.1 4-8 (5 pages)
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산화막위에 증착된 금속박막과 산화막과의 계면결합에 영향 미치는 열처리 효과
김응수, Kim. Eung Soo 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 6 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2004, Vol.41 No.1 15-20 (6 pages)
SEM (scanning electron microscopy), TEM (transmission electron microscopy), AES (auger electron spectroscopy)를 사용하여 조사하였다. BPSG 산화막위에 증착된 금속박막을 $650^{circ}C$ 이상에서 RTP anneal을 한 경우, BPSG 산화막과 금속박막의 계면결합상태가 좋지 않았고, BPSG 산화막과 금속박막의 계면에 phosphorus가 축적된 영역을 확인하였다. 반면에 PETEOS 산화막위에 증착된 금속박막의 경우, RTP anneal 온도에 관계없이 계면결합상태는 좋았다. 본 연구에서 BPSG 산화막위에 금속박막을 증착할 경우 RTP anneal... -
RTA 후 FA 공정을 포함한 $P^{+}$-n 박막 접합 특성
한명석, 김재영, 이충근, 홍신남, Han. Myeong-Seok, Kim. Jae-Yeong, Lee. Chung-Geun, Hong. Sin-Nam 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 7 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2002, Vol.39 No.5 16-22 (7 pages)
논문에서는 선비정질화 이온주입과 BPSG(boro-phosphosilicate glass)를 위한 FA(furnace anneal) 공정이 적용된 양질의 p+-n 박막 접합을 형성하는 공정 조건을 제시하였다. 단결정 실리콘 기판을 As과 Ge 이온으로 45keV와 3×1014cm-2로 주입하여 선비정질화 하였으며, p형 이온으로는 BF₂ 이온을 20keV, 2×1015cm-2로 주입하였다. 고온 열처리는 furnace와 급속 열처기로 수행하였으며, 급속 열처리 온도는 950∼1050℃이며 FA는 BPSG 공정을 위해 850℃/4O분간 수행하였다. 박막 접합의 특성을 고려하기 위해 접합깊이, 면저항 및... -
furnace 열처리와 질소 플라즈마 처리에 의한 유기화학증착법을 이용한 선택적 구리 증착
곽성관, 정관수, Gwak. Seong-Gwan, Jeong. Gwan-Su 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 7 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2000, Vol.37 No.3 27-33 (7 pages)
Vapor Deposition)으로 구리 박막을 증착하였다. 먼저 650℃∼750℃에서 열처리한 후 150℃에서 구리 박막을 증착시켰을 때 750℃에서 열처리한 경우 TiN 표면 위에만 선택적으로 구리 증착이 일어났다. 질소 플라즈마 처리를 한 경우도 마찬가지로 BPSG 위에 구리 핵 형성이 억제됨을 알 수 있었다. 플라즈마 처리 온도를 증가시킬수록 BPSG 위의 구리 핵 형성이 더 효과적으로 억제되었다. 열처리와 플라즈마 처리 후 증착된 기판 표면을 TOF-SIMS(Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry)로 분석하였을 때 플라즈마 처리가... -
초음파를 이용한 광학창 오염방지 모듈 개발
이창희, 전기문, 신재수, 윤주영, 조승현, 강상우, Lee. ChangHee, Jeon. KiMun, Shin. JaeSoo, Yun. JuYoung, Cho. Seonghyun, Kang. Sang-Woo 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2013, Vol.22 No.4 175-180 (6 pages)
방지하기 위한 모듈 개발에 관한 연구이다. 개발한 광학창 오염방지 모듈은 실시간으로 측정하는 ISPM 내 광학창 표면에 오염입자가 흡착되는 것을 방지하기 위한 장치로 적합한 초음파 모듈 개발이 성공적 연구의 핵심내용이다. 또한 그 효과를 극대화하기 위한 구조적인 최적화도 필요하지만 초음파 힘의 표면 전달효율 향상 기술도 개발이 필요한 핵심 기술이다. 개발된 광학창 오염방지 모듈이 장착된 ISPM은 양산용 증착공정 장비(BPSG 증착장비) 배기구에 설치되었으며, 공정조건 별 오염방지 모듈의 성능과 더불어 ISPM 측정...