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01.

GaInP/GaAs/Ge 3중 접합 태양전지 배열기의 정지궤도에서 전력 성능 평가

구자춘, 박희성, 이나영, 천이진, 차한주, 문건우, 나성웅, Koo. Ja-Chun, Park. Hee-Sung, Lee. Na-Young, Cheon. Yee-Jin, Cha. Han-Ju, Moon. Gun-Woo, Ra. Sung-Woong 한국항공우주학회 韓國航空宇宙學會誌 8 Pages

한국항공우주학회 韓國航空宇宙學會誌 2014, Vol.42 No.12 1057-1064 (8 pages)

구자춘, 박희성, 이나영, 천이진, 차한주, 문건우, 나성웅, Koo. Ja-Chun, Park. Hee-Sung, Lee. Na-Young, Cheon. Yee-Jin, Cha. Han-Ju, Moon. Gun-Woo, Ra. Sung-Woong 저

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탑재하고 2010년 6월 26일에 발사되었다. 태양기간 동안 인공위성에서 요구되는 전력은 태양전지 배열기 윙에서 생성된다. 태양전지는 Spectrolab사의 적층법을 사용한 RWE Space사의 Gaget 2로 명명되는 GaInP/GaAs/Ge 3중 접합 셀이다. 본 논문은 정지궤도 비행 데이터에 대한 경향을 분석한 결과를 바탕으로 설계수명 말기에서 태양전지 배열기의 전력 성능을 평가하였다. 설계수명 말기에서 예측한 태양전지 배열기의 전력 성능은 태양전지 배열기 제작사가 제공한 전력 성능과 비교하였다. 경향분석 결과를 통해 태양전지 셀은...
02.

Optimization of the tunnel Diode for GaAs/Ge Tandem Solar Cell

양수미, 오병성, 이만근, 차인수, Yang. S.M., O. B.G., Lee. M.G., Cha. In-Su 한국태양에너지학회 태양에너지 9 Pages

한국태양에너지학회 태양에너지 1998, Vol.18 No.1 35-43 (9 pages)

양수미, 오병성, 이만근, 차인수, Yang. S.M., O. B.G., Lee. M.G., Cha. In-Su 저

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03.

GE 7FA+e DLN-2.6 가스터빈 연소기 연구 : Part II 모형 덤프 연소기 설계

오정석, 김민기, 허필원, 이장수, 윤영빈, Oh. Jeong-Seog, Kim. Min-Ki, Heo. Pil-Won, Lee. Jang-Soo, Yoon. Young-Bin 한국추진공학회 한국추진공학회지 9 Pages

한국추진공학회 한국추진공학회지 2008, Vol.12 No.5 51-59 (9 pages)

오정석, 김민기, 허필원, 이장수, 윤영빈, Oh. Jeong-Seog, Kim. Min-Ki, Heo. Pil-Won, Lee. Jang-Soo, Yoon. Young-Bin 저

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복합 화력발전소에서 운용중인 GE 7FA+e 가스터빈 DLN-2.6 연소기는 기동초기 연소진동과 yellow plume 현상이 발생하고 있는데 이러한 특성을 분석하고 모형 덤프 연소기 설계에 반영하기 위한 상사인자 고찰이 본 연구의 목적이다. 실연소기 분석을 통하여 $120{sim}140Hz$에서 일어나는 연소진동은 cold flow에서 덤프 모드로 발생되었으며 이것의 모사를 위해 노즐 출구 이전의 빈 공간인 plenum을 설계하였다. 또한 주요 상사인자로 노즐의 회전수, 연료-공기 혼합거리, 노즐과 덤프면의 면적비, 노즐출구에서의 속도와 당량비, 연료...
04.

GE 7FA+e DLN-2.6 가스터빈 연소기 연구 : Part Ⅰ 운전조건 최적화

오정석, 김민기, 허필원, 이장수, 윤영빈, Oh. Jeong-Seog, Kim. Min-Ki, Heo. Pil-Won, Lee. Jang-Soo, Yoon. Young-Bin 한국추진공학회 한국추진공학회지 8 Pages

한국추진공학회 한국추진공학회지 2008, Vol.12 No.5 43-50 (8 pages)

오정석, 김민기, 허필원, 이장수, 윤영빈, Oh. Jeong-Seog, Kim. Min-Ki, Heo. Pil-Won, Lee. Jang-Soo, Yoon. Young-Bin 저

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서인천 복합 화력발전소의 GE 7FA+e DLN-2.6 가스터빈 연소기 튜닝을 실시하였다. DLN-2.6 연소기는 기동초기 저출력 조건에서 yellow plume 현상과 정상상태보다 높은 수준의 연소진동이 발생하는 문제점이 있었다. 본 논문의 목적은 기동초기의 yellow plume과 연소진동의 발생 원인을 규명하여 실 연소기를 안정적으로 운용할 수 있는 최적의 운전 조건을 제시하는 것이다. 실연소기 튜닝과정을 통해 얻은 자료를 분석한 결과 기동초기 모드 3($20{sim}30MW$)에서 PM 1 노즐에서의 과농한 혼합기(${phi}{sim}1$)에 의해 yellow plume이...
05.

MODELING AND SIMULATION OF GE:GE DETECTOR CHARACTERISTICS FOR ASTRO-F/FIS

Kim. Minjin, Pak. Soojong, Kaneda. Hidehiro, Nakagawa. Takao, Jeong. Woong-Seob, Oh. Sang Hoon, Matsuura. Shuji, Patrashin. M.A., Lee. H 한국천문학회 천문학회보 1 Pages

한국천문학회 천문학회보 2002, Vol.27 No.2 56-56 (1 pages)

Kim. Minjin, Pak. Soojong, Kaneda. Hidehiro, Nakagawa. Takao, Jeong. Woong-Seob, Oh. Sang Hoon, Matsuura. Shuji, Patrashin. M.A., Lee. H 저

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06.

Ge 기판 위에 HfO2 게이트 산화물의 원자층 증착 중 In Situ 질소 혼입에 의한 전기적 특성 변화

김우희, 김범수, 김형준, Kim. Woo-Hee, Kim. Bum-Soo, Kim. Hyung-Jun 한국진공학회 韓國眞空學會誌 8 Pages

한국진공학회 韓國眞空學會誌 2010, Vol.19 No.1 14-21 (8 pages)

김우희, 김범수, 김형준, Kim. Woo-Hee, Kim. Bum-Soo, Kim. Hyung-Jun 저

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Ge channel의 사용에 주요한 장애가 되어왔다. 특히, Ge 기판 위에 고품질의 계면 특성을 갖는 게이트 절연막의 제조는 필수 요구사항이다. 본 연구에서, $HfO_xN_y$ 박막은 Ge 기판 위에 플라즈마 원자층 증착법(plasma-enhanced atomic layer deposition, PEALD)을 이용하여 증착되었다. 플라즈마 원자층 증착공정 동안에 질소는 질소, 산소 혼합 플라즈마를 이용한 in situ 질화법에 의하여 첨가되었다. 산소 플라즈마에 대한 질소 플라즈마의 첨가로 성분비를 조절함으로써 전기적 특성과 계면 성질을 향상시키는데 초점을 맞추어서...
07.

AFM을 이용한 Si (001) 표면에 Ge 나노점의 형성과 성장과정에 관한 연구

박정식, 이상현, 최명섭, 송덕수, 이성수, 곽동욱, 김도형, 양우철, Park. J.S., Lee. S.H., Choia. M.S., Song. D.S., Leec. S.S., Kwak. D.W., Kim. D.H., Yang. W.C. 한국진공학회 韓國眞空學會誌 8 Pages

한국진공학회 韓國眞空學會誌 2008, Vol.17 No.3 226-233 (8 pages)

박정식, 이상현, 최명섭, 송덕수, 이성수, 곽동욱, 김도형, 양우철, Park. J.S., Lee. S.H., Choia. M.S., Song. D.S., Leec. S.S., Kwak. D.W., Kim. D.H., Yang. W.C. 저

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Ge 나노점이 형성되기 시작하였다. Ge 증착량을 증가시킴에 따라 초기 나노점은 긴 지붕모양(elongated hut)구조로 형성되었고, 점차 크기가 증가함에 따라, 피라미드(pyramid), 돔(dome), 더 큰 Superdome 구조로 변형되었다. 초기 피라미드 형태의 나노점 평균크기는 ${sim}20nm$이였으며, 가장 큰 superdome의 평균크기는 ${sim}310nm$ 이상이었으며, 크기가 증가함에 따라 표면 밀도는 $4{ imes}10^{10}cm^{-2}$에서 $5{ imes}10^8cm^{-2}$로 감소하였다. 상대적으로 고온인 $650^{circ}C$에서 Ge을 증착했을 경우, 피라미드 구조는...
08.

Pseudo-MOSFET을 이용한 SiGe-on-SOI의 Ge 농도에 따른 기판의 특성 평가 및 열처리를 이용한 전기적 특성 개선 효과

박군호, 정종완, 조원주, Park. Goon-Ho, Jung. Jong-Wan, Cho. Won-Ju 한국진공학회 韓國眞空學會誌 4 Pages

한국진공학회 韓國眞空學會誌 2008, Vol.17 No.2 156-159 (4 pages)

박군호, 정종완, 조원주, Park. Goon-Ho, Jung. Jong-Wan, Cho. Won-Ju 저

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기판 위에 에피택셜 성장법으로 SiGe층을 형성하였으며 compressive SiGe층의 Ge 농도는 각각 16.2％, 29.7％, 34.3％, 56.5％ 이다. 실험결과 Ge 농도가 증가함에 따라 누설전류가 증가하는 특성을 보였으며 threshold voltage는 nMOSFET의 경우 3V에서 7V로 이동하였으며 pMOSFET의 경우도 -7 V에서 -6 V로 이동하는 특성을 보였다. 급속 열처리 공정 (rapid thermal anneal) 후에 매몰 산화층과 기판 계면간의 스트레스에 의한 포획준위가 발생하여 소자특성이 열화되었지만, $H_2/N_2$ 분위기에서 후속 열처리 공정 (post RTA anneal)...
09.

자외선 광여기 전자현미경을 이용한 Si 표면 위에 Ge 나노구조의 성장 동역학에 관한 실시간 연구

조우성, 양우철, Cho. W.S., Yang. W.C. 한국진공학회 韓國眞空學會誌 8 Pages

한국진공학회 韓國眞空學會誌 2007, Vol.16 No.2 145-152 (8 pages)

조우성, 양우철, Cho. W.S., Yang. W.C. 저

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관찰되었다. 또한, 계속적인 Ge 증착 두께를 증가시킴에 따라 표면에는 새로운 island가 형성되지 않고, 기존의 island들이 점차 길이 방향으로 크기가 증가하면서 [$33ar{2}$] 방향으로 배열하였다. 이와 같은 Ge 나노구조의 형성과 형태 변화는 나노구조 형성과정에서 변형이완(strain relaxation)과 가원자(adatom)의 표면 동역학적 효과와 깊은 관련이 있는 것으로 분석된다. 유전자를 갖는 계통들은 벼 생육시기 전 과정에서 벼흰잎마름병균에 대해 저항성 정도가 현저하게 증가되었다. 결론적으로, 저항성의 안정화를 위해서는...
10.

계면금속(Sn)이 흡착된 Ge(111)표면에서의 Ge의 층상성장에 대한 연구

곽호원 한국진공학회 韓國眞空學會誌 5 Pages

한국진공학회 韓國眞空學會誌 1998, Vol.7 No.2 77-81 (5 pages)

곽호원 저

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최적온도로 생각되었다. 계면금속(Sn) 0.5ML를 Ge(111) 표면위에 흡착시 킨 후, Ge성장에서는 기판온도 $200^{circ}C$에서 성장초기에 불규칙한 진동이 나타났으며, 반점강 도의 주기적인 운동이 흡착하지 않은 경우 보다 더 큰 진폭으로 38ML이상까지 관찰되었으 며 Ge이 성장하는 동안 d2$ imes$2 구조의 변화가 없었다. 이는 계면금속이 교환작용으로 성장표 면 쪽으로 편석(segregation)하면서 흡착원자의 표면확산 거리를 저해시켜 3차원적 핵성장 에 의한 층상성장을 저해하고 대신 2차원적 성장을 도우는 것으로 생각된다.
11.

Investigation on Preparation of Ge Quantum Dots in $SiO_2$ Thin Films

Chen. Jing, Wu. Xuemei, Jin. Zongming, Yao. Weiguo 한국진공학회 韓國眞空學會誌 5 Pages

한국진공학회 韓國眞空學會誌 1998, Vol.7 No.1 197-201 (5 pages)

Chen. Jing, Wu. Xuemei, Jin. Zongming, Yao. Weiguo 저

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12.

Epitaxial Growth of Ge on Si(100) and Si(111) Surfaces

강윤호, 국양, Khang. Yun-Ho, Kuk. Young 한국진공학회 韓國眞空學會誌 5 Pages

한국진공학회 韓國眞空學會誌 1993, Vol.2 No.2 161-165 (5 pages)

강윤호, 국양, Khang. Yun-Ho, Kuk. Young 저

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Si(100)와 Si(111) 표면에 에피 성장시킨 Ge의 기하학적, 전기적 구조가 scanning tunneling microscope로 연구되었다. Ge 원자는 scanning tunneling spectroscopy와 bias 전압을 달리한 STM 상에서 Si 원자와 구별되었다. 이것을 이용하여 Ge의 성장 형태를 연구하였다. (2${ imes}$1) 재배열 구조를 가진 (100) 표면에서 Ge 성장층은 720K에서 B형의 step edge로부터 주로 성장하였다. (111) 표면에서도 주로 step edge에서 성장하였으며, Ge의 양과 annealing 온도에 따라 (5${ imes}$5)와 (7${ imes}$7)구조가 보였다.
13.

Low temperature electron mobility property in Si/$Si_{1-x}Ge_{x}$ modulation doped quantum well structure with thermally grown oxide

Kim. Jin-Young 한국진공학회 The Journal of Korean vacuum science & technology 7 Pages

한국진공학회 The Journal of Korean vacuum science & technology 2000, Vol.4 No.1 11-17 (7 pages)

Kim. Jin-Young 저

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14.

Atomic Layer Deposition of HfO2 Films on Ge

Cho. Young Joon, Chang. Hyo Sik 한국진공학회 Applied science and convergence technology 4 Pages

한국진공학회 Applied science and convergence technology 2014, Vol.23 No.1 40-43 (4 pages)

Cho. Young Joon, Chang. Hyo Sik 저

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15.

GE Lighting 경기장 조명 사례 1. 창원 자전거 경기장의 조명 2. 미국 메이저리그 경기장의 조명

이호원 한국조명전기설비학회 照明·電氣設備學會誌 19 Pages

한국조명전기설비학회 照明·電氣設備學會誌 2000, Vol.14 No.1 33-51 (19 pages)

이호원 저

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16.

Oscillator Strength of Normal-incidence Intersubband Absorption in Conduction Bands of Si and Ge Quantum Wells Using Polarization

Lee. Chanho 한국정보과학회 Journal of electrical engineering and information science 6 Pages

한국정보과학회 Journal of electrical engineering and information science 1998, Vol.3 No.1 80-85 (6 pages)

Lee. Chanho 저

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17.

무엇이 기업을 강하게 만들 수 있는가 - GE의 사례를 중심으로

한국전자산업진흥회, . Korea Electronics Association 한국전자정보통신산업진흥회 전자진흥= Journal of Korean electronics 8 Pages

한국전자정보통신산업진흥회 전자진흥= Journal of Korean electronics 1999, Vol.19 No.8 40-47 (8 pages)

한국전자산업진흥회, . Korea Electronics Association 저

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18.

GE/RCA의 합병 ㆍ전략 전개

한국전자산업진흥회, . Korea Electronics Association 한국전자정보통신산업진흥회 전자진흥= Journal of Korean electronics 2 Pages

한국전자정보통신산업진흥회 전자진흥= Journal of Korean electronics 1987, Vol.7 No.7 40-41 (2 pages)

한국전자산업진흥회, . Korea Electronics Association 저

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19.

RF 마그네트론 스퍼트링에 의한 Ga 와 Ge가 도핑된 ZnO 박막 특성의 온도효과

정일현, Jung. Il-Hyun 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 5 Pages

한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2011, Vol.24 No.7 584-588 (5 pages)

정일현, Jung. Il-Hyun 저

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20.

Capacitance-voltage Characteristics of MOS Capacitors with Ge Nanocrystals Embedded in HfO2 Gate Material

Park. Byoung-Jun, Lee. Hye-Ryeong, Cho. Kyoung-Ah, Kim. Sang-Sig 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 7 Pages

한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2008, Vol.21 No.8 699-705 (7 pages)

Park. Byoung-Jun, Lee. Hye-Ryeong, Cho. Kyoung-Ah, Kim. Sang-Sig 저

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21.

고농도의 Ge 함량을 가진 Biaxially Strained SiGe/Si Channel Structure의 정공 이동도 특성

정종완, Jung. Jong-Wan 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 5 Pages

한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2008, Vol.21 No.1 44-48 (5 pages)

정종완, Jung. Jong-Wan 저

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22.

Si1-xGex 층의 건식산화 동안 Ge 재 분포와 상호 확산의 영향

신창호, 이영훈, 송성해, Shin. Chang-Ho, Lee. Young-Hun, Song. Sung-Hae 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 7 Pages

한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2005, Vol.18 No.12 1080-1086 (7 pages)

신창호, 이영훈, 송성해, Shin. Chang-Ho, Lee. Young-Hun, Song. Sung-Hae 저

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23.

완화된 또는 응력변형을 겪는 Ge과 ${Ge_{0.8}}{Sn_{0.2}}$에서 전자와 정공의 상태밀도 유효질량과 전도도 유효질량

박일수, 전상국 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 8 Pages

한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2000, Vol.13 No.8 643-650 (8 pages)

박일수, 전상국 저

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24.

Screening 현상 및 broadening 현상이 p형 Si과 Ge의 이동도에 미치는 효과

전상국 한국전기전자재료학회 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 8 Pages

한국전기전자재료학회 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 1997, Vol.10 No.6 581-588 (8 pages)

전상국 저

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25.

Ge-Se-Bi chalcogenide glass의 비정질 및 결정화에 따른 전기전도도의 변화

이명원, 강원호, 박창만, 이기암 한국전기전자재료학회 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 9 Pages

한국전기전자재료학회 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 1993, Vol.6 No.2 175-183 (9 pages)

이명원, 강원호, 박창만, 이기암 저

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결정상을 관찰 할 수 있었다. 박막화는 위의 실험에 사용된 Bulk sample을 사용하여 박막을 제작하였으며 유리화 영역은 Ge 15 at%, Se 70 at% 이상, Bi가 10 at% 이하일 때 비정질화가 용이하였다. Bulk의 경우 Ge를 20 at%로 고정시 Bi의 at% 함량이 증가함에 따라 전기전도도가 증가했으며 Bi가 7.5 at%이상일때 급격한 전도도의 증가를 가져왔다. 박막의 경우엔 Bulk sample보다 Bi의 함량이 증가시 더욱 큰 전도도의 증가를 가져왔다. G $e_{20}$S $e_{77.5}$B $i_{2.5}$ 저성의 결정화 경우 330.deg.C에서 4hr 유지시킨 경우가 가장...
26.

Characterization of Conduction Mechanism in Cu Schottky Contacts to p-type Ge

Kim. Se Hyun, Jung. Chan Yeong, Kim. Hogyoung 한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 4 Pages

한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 2014, Vol.15 No.6 324-327 (4 pages)

Kim. Se Hyun, Jung. Chan Yeong, Kim. Hogyoung 저

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27.

INTERFACIAL REACTION AND ELELECTRICAL PROPERTY OF Ge/Ni/ZnSe FOR BLUE LASER DIODE

Kim. D.W., Park. H.S., Kwak. J.S., Lee. S.M., Baik. H.K. 한국재료학회 Fabrication and Characterization of Advanced Materials 6 Pages

한국재료학회 Fabrication and Characterization of Advanced Materials 1995, Vol.2 875-880 (6 pages)

Kim. D.W., Park. H.S., Kwak. J.S., Lee. S.M., Baik. H.K. 저

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28.

게르마늄 시용에 따른 녹두 생육 및 부위별 Ge 함량 변화

김동관, 천상욱, 정선요, 이경동, 김관수, 임요섭, Kim. Dong-Kwan, Chon. Sang-Uk, Jung. Sun-Yo, Lee. Kyung-Dong, Kim. Kwan-Su, Rim. Yo-Sup 한국작물학회 Korean journal of crop science 7 Pages

한국작물학회 Korean journal of crop science 2007, Vol.52 No.4 380-386 (7 pages)

김동관, 천상욱, 정선요, 이경동, 김관수, 임요섭, Kim. Dong-Kwan, Chon. Sang-Uk, Jung. Sun-Yo, Lee. Kyung-Dong, Kim. Kwan-Su, Rim. Yo-Sup 저

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본 연구는 게르마늄 함유 녹두 생산을 위해 게르마늄의 효과적인 처리방법과 이행특성 등을 구명하고자 수행하였다. 1. 액상 게르마늄(7 mg/l) 개화기 엽면살포구 1, 2차 수확 종실의 게르마늄 함량은 각각 38.7, $14.1{mu}g/kg$로 입상 게르마늄(7 mg/kg)을 기비와 함께 시용하는 것보다 각각 2.5, 2.3배 많다. 2. 게르마늄 3.5, 7, 14, 28 mg/l 를 개화기 엽면살포구 1, 2차 수확 종실의 게르마늄 함량은 각각 $14.9{sim}77.8{mu}g/kg,;6.9{sim}26.7{mu}g/kg$로 엽면살포 농도에 비례하여 많았으나 1차 수확 종실이 2차 수확 종실에...
29.

B2 구조 FeX(X = Al, Si, Ni, Ga, Ge, Sn) 합금의 자기변형에 대한 제일원리계산

이선철, 권오룡, 홍순철, Lee. Sunchul, Kwon. Oryong, Hong. Soon Cheol 한국자기학회 韓國磁氣學會誌 5 Pages

한국자기학회 韓國磁氣學會誌 2013, Vol.23 No.4 117-121 (5 pages)

이선철, 권오룡, 홍순철, Lee. Sunchul, Kwon. Oryong, Hong. Soon Cheol 저

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= Al, Si, Ni, Ga, Ge, Sn) 합금의 자기변형계수를 제일원리계산으로 수행하여 Fe 기반 합금이 희토류 원소 기반 자기변형 물질인 Terfenol을 대체할 수 있는 가능성을 탐색하였다. 계산방법으로 자성 연구에 가장 적합한 것으로 알려져 있는 총퍼텐셜 선형보강 평면파(Full-potential Linearized Augmented Plane Wave; FLAPW) 방법을 사용하였으며 일반화 물매근사(generalized gradient approximation: GGA)을 도입하여 전자 상호간의 교환-상관 퍼텐셜을 기술하였다. B2 구조의 FeX(X = Al, Si, Ni, Ga, Ge, Sn)의 합금들 중에 FeSi와...
30.

GE 삼각화를 이용한 효율적인 LT 복호 기법 연구

정호영, Cheong. Ho-Young 한국인터넷방송통신학회 한국인터넷방송통신학회 논문지 6 Pages

한국인터넷방송통신학회 한국인터넷방송통신학회 논문지 2011, Vol.11 No.6 57-62 (6 pages)

정호영, Cheong. Ho-Young 저

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본 논문에서는 GE 삼각 화를 이용해 LT 부호의 복호 과정을 수행함으로써 복잡도와 오버헤드 성능을 모두 개선한 효율적인 복호 방식을 제안하였다. BP 복호 방식은 간단하고 빠르기는 하나 부호 블록이 짧을수록 복호하는데 큰 오버헤드가 필요하다는 단점이 있고, OFG 알고리즘은 오버헤드는 작으나 연산 양이 많다. 시뮬레이션 결과 제안한 복호 방식은 OFG 알고리즘에 비해 연산 양이 5배 이상 감소되었으며 오버헤드는 1~5%의 적은 양을 보였다.
31.

A Potential Application of Ge (Li) Detectors in Fast Neutron Leakage Spectrum Determination

Kang. Chang-Sun 한국원자력학회 Journal of the Korean Nuclear Society 4 Pages

한국원자력학회 Journal of the Korean Nuclear Society 1979, Vol.11 No.2 133-136 (4 pages)

Kang. Chang-Sun 저

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이 논문은 Ge(Li)를 이용하여 고속 중성자 에너지 스펙트럼을 재는데 사용하는 방법을 제시한다. Ge$^{72}$ 의 고속 중성자의 비탄성 충돌에 의한 691.4 KeV에서의 스펙트럼을 분석함으로써 고속중성자와 에너지 스펙트럼을 측정할 수 있는 방법을 가질 수 있음을 시사한다.
32.

Relative Full-Energy Peak Detection Efficiency of Ge(Li) Detectors

Chung. Woon-Hyuk 한국원자력학회 Journal of the Korean Nuclear Society 4 Pages

한국원자력학회 Journal of the Korean Nuclear Society 1975, Vol.7 No.3 223-226 (4 pages)

Chung. Woon-Hyuk 저

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${gamma}$-선의 full-energy Peak에 대한 상대적 검출효율을 Pair-Point method에 의해서 결정하였다. 이때 사용된 방사선원은 ${gamma}$-선의 상대적 방출율이 이미 잘 측정된 $^{56}$ Co 이 됐다. 이 방법을 통해서, ${gamma}$-선 에너지 범위 800-3500keV에 걸쳐, 반응치적 43.8cc, 32.6cc 및 6cc의 Ge(Li) 검출기들의 검출효율을 보정하였다.
33.

고분해능 Ge(Li) 검출기를 이용한 Uranium 시료내의 $U^{235}$ /$U^{238}$ 함유량의 신속측정

정문규, 조성원, 서두환 한국원자력학회 Journal of the Korean Nuclear Society 6 Pages

한국원자력학회 Journal of the Korean Nuclear Society 1969, Vol.1 No.1 33-38 (6 pages)

정문규, 조성원, 서두환 저

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34.

GE사의 ABWR과 SBWR

한국원자력산업회의 한국원자력산업회의 원자력산업 6 Pages

한국원자력산업회의 원자력산업 1993, Vol.13 No.1 57-62 (6 pages)

한국원자력산업회의 저

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35.

대만 GE사와 대만전력, Maanshan원전 터빈발전기소손사고 변상합의

한국원자력산업회의 한국원자력산업회의 원자력산업 2 Pages

한국원자력산업회의 원자력산업 1987, Vol.7 No.8 100-101 (2 pages)

한국원자력산업회의 저

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36.

미국의 원자력사정 - GE원자력정보부장 H.D.헥시머씨에게 들어본다.

한국원자력산업회의 한국원자력산업회의 원자력산업 3 Pages

한국원자력산업회의 원자력산업 1981, Vol.9 No.4 26-28 (3 pages)

한국원자력산업회의 저

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37.

GE Jenbacher사(社)의 가스엔진 원격감시시스템과 HES 원격감시체제

한국열병합발전협회 한국열병합발전협회 열병합발전 3 Pages

한국열병합발전협회 열병합발전 2010, Vol.75 No.3 20-22 (3 pages)

한국열병합발전협회 저

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38.

강활(羌活)의 캘러스 및 식물체(植物體) 중(中) Ge함량(含量)에 미치는 $GeO_2$와 Citric Acid의 영향(影響)

박병우, 이중호, 권태오, Park. Byoung-Woo, Lee. Joong-Ho, Kwon. Tae-Oh 한국약용작물학회 韓國藥用作物學會誌 8 Pages

한국약용작물학회 韓國藥用作物學會誌 1996, Vol.4 No.2 101-108 (8 pages)

박병우, 이중호, 권태오, Park. Byoung-Woo, Lee. Joong-Ho, Kwon. Tae-Oh 저

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배지에서 구연산 농도와 pH별로는 구연산 0. 1, 1mM, pH 6에서 캘러스 증식이 가장 좋았다. 3. 캘러스 중 Ge 함량은 $GeO_2$ 시용량이 20ppm까지는 많을수록 높았고, 구연산과 pH 별로는 구연산은 0. 1mM, pH는 낮을수록 Ge 함량이 높았다. 4. 식물체 부위별 Ge 함량은 잎 > 뿌리 > 줄기 순으로 함량이 높았으며, $GeO_2$ 시용으로 Ge 함량이 높았고, 구연산 시용은 구연산 1mM에서 Ge 함량(含量)이 가장 높았고, 10mM 이상에서는 오히려 감소되었다. 5. $GeO_2$ 시용량 증가는 캘러스나 식물체 중 $GeO_2$ 함량을 증가시키나 기타...
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UV 폴링용 Ge와 B가 첨가된 실리카 유리 광섬유 제조 및 특성 평가

김복현, 안태정, 허종, 신동욱, 한원택, Kim. Bok-Hyeon, Ahn. Tae-Jun, Heo. Jong, Shin. Dong-Wook, Han. Won-Taek 한국세라믹학회 한국세라믹학회지 6 Pages

한국세라믹학회 한국세라믹학회지 2002, Vol.39 No.12 1158-1163 (6 pages)

김복현, 안태정, 허종, 신동욱, 한원택, Kim. Bok-Hyeon, Ahn. Tae-Jun, Heo. Jong, Shin. Dong-Wook, Han. Won-Taek 저

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2차 비선형 광특성을 유도하기 위한 UV 폴링용 Ge와 B가 첨가된 광민감성 광섬유를 제조하였다. 248 nm KrF 엑시머 레이저 조사에 의하여 수소처리 없이 장주기 격자를 형성할 수 있었다. 116 mJ/$cm^2$의 펄스 에너지와 10 Hz의 조사 빈도로 1분간 광민감성 광섬유에 레이저를 조사할 경우 -4 dB의 큰 band rejection 특성을 얻을 수 있었다. 제조된 광섬유의 광민감성은 장주기 격자쌍 방법을 이용하여 측정하였으며, 8.67 kJ/$cm^2$의 fluence로 KrF 엑시머 레이저를 조사할 경우 3.3${ imes}10^{-3}$의 큰 코어 굴절률 변화를 얻었다....
40.

Bi계 산화물 초전도체 2212상에 있어서 Bi 자리에 Ge 치환에 따른 초전도 특성

신재수, 이민수, 최봉수, 송승용, 송기영 한국세라믹학회 한국세라믹학회지 5 Pages

한국세라믹학회 한국세라믹학회지 2000, Vol.37 No.8 787-791 (5 pages)

신재수, 이민수, 최봉수, 송승용, 송기영 저

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41.

금속알콕사이드를 이용한 LAS계 내열세라믹스의 제조시 Ge 성분의 치환에 관한 연구

장성중, 김형태, 이응상 한국세라믹학회 요업학회지 8 Pages

한국세라믹학회 요업학회지 1995, Vol.32 No.11 1233-1240 (8 pages)

장성중, 김형태, 이응상 저

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42.

탄화텅그스텐개발은 모아산이 - 상업화는 크룹과 GE회사가 -

한국발명진흥회 한국발명진흥회 特協 1 Pages

한국발명진흥회 特協 1981, Vol.6 No.4 50-50 (1 pages)

한국발명진흥회 저

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43.

파생접환사 ge-+-e

조견, Cho. Kyun 한국독어학회 독어학 21 Pages

한국독어학회 독어학 2001, Vol.3 No.2 211-231 (21 pages)

조견, Cho. Kyun 저

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44.

Bi 첨가 알루미노실리케이트 유리에서 Li 및 Ge 공첨가가 광 특성에 미치는 영향

서영석, Seo. Young-Seok 한국광학회 한국광학회지 5 Pages

한국광학회 한국광학회지 2007, Vol.18 No.3 221-225 (5 pages)

서영석, Seo. Young-Seok 저

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근적외선에서 발광하는 새로운 증폭 매질인 Bi 첨가 알루미노실리케이트 유리의 용융 온도를 낮추면서도 증폭 특성이 향상될 수 있도록 금속 산화물을 첨가한 샘플을 제작하여 분광학적 특성을 분석하였다. $Li_{2}O$의 조성비가 증가하면 형광스펙트럼의 반폭치는 증가하지만 형광 강도가 저하되고, $GeO_{2}$의 영향으로는 반폭치와 형광 강도가 동시에 증가하였다. $GeO_{2}$를 첨가한 시료에서 광 증폭 특성을 측정한 결과, 이전의 벌크 샘플에서 얻었던 것보다 우수한 증폭 특성을 가지고 있음을 확인하였다.
45.

가열용융 방법에 의한 Ge-BPSG 마이크로렌즈 어레이 제작

정진호, 오진경, 최준석, 최기선, 이형종, 배병성, Jeong. Jin-ho, Oh. Jin-Gyeong, Choi. Jun-Seok, Choi. Gi-Seon, Lee. Hyeong-Jong, Bae. Byeong-Seong 한국광학회 한국광학회지 5 Pages

한국광학회 한국광학회지 2005, Vol.16 No.4 340-344 (5 pages)

정진호, 오진경, 최준석, 최기선, 이형종, 배병성, Jeong. Jin-ho, Oh. Jin-Gyeong, Choi. Jun-Seok, Choi. Gi-Seon, Lee. Hyeong-Jong, Bae. Byeong-Seong 저

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: Flame Hydrolysis Deposition)으로 제작된 Ge이 첨가된 BPSG(Boro-Phospho-Silicate-Glass)막의 표면을 절단톱(dicing saw)을 이용하여 일정한 깊이로 절단함으로써 각 단위 마이크로렌즈 셀들을 형성시켰다. 또한 절단된 각 단위 마이크로렌즈 셀들을 가열용융(thermal reflow) 방법을 이용하여 $1200^{circ}C$에서 가열용응시킴으로써 직경이 $53.4{mu}m$인 마이크로렌즈 어레이를 제작할수 있었다. 이 때 렌즈간 간격은 $70{mu}m,$ 렌즈 두께는 약 $28.4{mu}m$이었다. 제작된 마이크로렌즈 어레이의 형상을 이미지-프로세스로...
46.

In situ 타원법을 사용한 광기록매체용 Ge-Sb-Te 박막의 최적성장조건 연구

김상열, 이학철, Kim. Sang-Youl, Li. Xue-Zhe 한국광학회 한국광학회지 10 Pages

한국광학회 한국광학회지 2003, Vol.14 No.1 23-32 (10 pages)

김상열, 이학철, Kim. Sang-Youl, Li. Xue-Zhe 저

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타원법(ellipsometry)을 사용하여 광기록 매체용 Ge$_2$ Sb$_2$ Te$^{5}$ (GST) 박막의 성장과정에 따른 타원상수 Ψ와 $Delta$를 측정하여. GST 박막의 최적성장조건을 연구하였다. 아르곤기체압력과 DC 출력 그리고 기판의 온도를 변화시키면서 GST 박막을 성장시켰다. 제작된 시료들의 분광타원 데이터를 모델링 분석하여 GST박막의 밀도분포를 구하고 한편으로는 GST 박막이 성장하는 동안 측정한 in situ 타원 성장곡선을 분석하여 박막의 밀도분포의 변화를 추적하였다. 아르곤기체압력이 7 mTorr일 때 박막의 상대적인 밀도분포가...
47.

In-situ ellipsometry를 사용한 광기록매체용 Ge-Sb-Te 다층박막성장의 실시간 제어

김종혁, 이학철, 김상준, 김상열, 안성혁, 원영희 한국광학회 한국광학회지 8 Pages

한국광학회 한국광학회지 2002, Vol.13 No.3 215-222 (8 pages)

김종혁, 이학철, 김상준, 김상열, 안성혁, 원영희 저

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Ge-Sb-Te 다층박막을 ex-site 분광타원법으로 확인하였다. 보호층인 ZnS-SiO$_2$와 기록층인 Ge$_2$Sb$_2$Te$_{5}$을 단결정실리콘 기층 위에 스퍼터링 방법으로 각각 성장시키면서 구한 타원상수 성장곡선을 분석하여 성장에 따르는 보호층의 균일성 및 기록 층의 밀도변화를 파악하고 이를 기초로 하여 Ge-Sb-Te광기록 다층박막의 두께를 정밀하게 제어하였다. Ge$_2$Sb$_2$Te$_{5}$ 단층박막 시료의 복소굴절율은 eX-Situ 분광타원분석을 통하여 구하였다. 제작된 다층구조는 설정된 다층구조인 ZnS-SiO$_2$(1400$AA$)$mid$ GST(200...
48.

GE/Honeywell 결합사건에 나타난 미국과 EU의 시각차이

신영수 한국공정경쟁연합회 경쟁저널 12 Pages

한국공정경쟁연합회 경쟁저널 2005, Vol.113 No.7 52-63 (12 pages)

신영수 저

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49.

ICP 표면 처리된 Si 기판 위에 성장된 Ge 층의 초기 성장 상태 연구

양현덕, 길연호, 심규환, 최철종, Yang. Hyun-Duk, Kil. Yeon-Ho, Shim. Kyu-Hwan, Choi. Chel-Jong 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 5 Pages

한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2011, Vol.21 No.4 153-157 (5 pages)

양현덕, 길연호, 심규환, 최철종, Yang. Hyun-Duk, Kil. Yeon-Ho, Shim. Kyu-Hwan, Choi. Chel-Jong 저

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위에 Low Pressure Chemical Vapor Deposition(LPCVD)를 이용하여 Ge 층을 이종접합 성장하고, Ge 층 성장 초기의 표면 상태를 Scanning Electron Microscopy(SEM)을 통해 분석하였다. ICP를 이용하여 표면 처리된 Si(100) 기판 위에 성장된 Ge 층의 경우 ICP 처리하지 않은 시편보다 Ge 성장율이 약 5배 이상 증가되었다. ICP 처리된 시편의 Ge 성장률 증가는 ICP 표면 처리 공정으로 Si 기관 표면에서 떨어져 나간 missing dimer가 Ge adatom들에 핵을 형성할 자리를 제공하여 Ge island의 형성과 융합을 촉진시키는 것으로 사료된다.
50.

청색 및 녹색 발광 다공성 Ge 및 스파크 제조된 Ge의 광발광의 온도의존성

장성식 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 6 Pages

한국결정성장학회 한국결정성장학회지 1998, Vol.8 No.3 442-447 (6 pages)

장성식 저

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Ge은 광발광 피크가 520nm에서 관찰되었고 420nm 및 610nm에서 shoulder 피크가 나타났다. 온도감소(300K에서 20K까지)에 따른 연속적인 광발광 피크의 청색전이값은 자외선 조사하에 양극 산화부식법으로 제조한 다공성 Ge에서는 0.53meVK-1이었고 자외선 조사없이 제조한 다공성 Ge에서는 약 3배정도 큰 값인 $1.89;meVK^{-1}$을 나타내었다. 한편 스파크 방법에 의하여 제조된 Ge은 온도 감소에 따른 연속적인 광발광 피크 청색 전이가 나타나지 않았다. 이러한 온도에 따른 광발광 현상으로부터 청색 및 녹색 광발광 현상을 나타내는...

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