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TCAD 시뮬레이션을 이용한 Fin형 SONOS Flash Memory의 모서리 효과에 관한 연구
양승동, 오재섭, 윤호진, 정광석, 김유미, 이상율, 이희덕, 이가원, Yang. Seung-Dong, Oh. Jae-Sub, Yun. Ho-Jin, Jeong. Kwang-Seok, Kim. Yu-Mi, Lee. Sang-Youl, Lee. Hee-De 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 5 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2012, Vol.25 No.2 100-104 (5 pages)
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고 에너지 이온 주입된 CMOS 쌍 우물 구조의 레치업 면역성 예측을 위한 TCAD 모의실험 연구
송한정, 김종민, 곽계달 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 8 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2000, Vol.13 No.2 106-113 (8 pages)
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The Short Channel Effect Immunity of Silicon Nanowire SONOS Flash Memory Using TCAD Simulation
Yang. Seung-Dong, Oh. Jae-Sub, Yun. Ho-Jin, Jeong. Kwang-Seok, Kim. Yu-Mi, Lee. Sang Youl, Lee. Hi-Deok, Lee. Ga-Won 한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 4 Pages
한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 2013, Vol.14 No.3 139-142 (4 pages)
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TCAD 툴을 이용한 제안된 얕은 트랜치 격리의 시뮬레이션
이용재, Lee. YongJae 한국시뮬레이션학회 한국시뮬레이션학회논문지 6 Pages
한국시뮬레이션학회 한국시뮬레이션학회논문지 2013, Vol.22 No.4 93-98 (6 pages)
MOSFET를 위한 높은 임계전압에서 제안한 구조의 얕은 트랜치 접합 격리 구조에 대한 시뮬레이션 하였다. 열전자 스트레스와 열 손상의 유전 강화 전계의 물리적 기본 모델들은 주위 온도와 스트레스 바이어스의 넓은 범위에 걸친 집적화된 소자들에 있어서 분석하는 전기적의 목표인 TCAD 툴을 이용하였다. 시뮬레이션 결과, 얕은 트랜치 접합 격리 구조가 수동적인 전기적 기능 일지라도, 소자의 크기가 감소됨에 따라서, 초대규모 집적회로 공정의 응용에서 제안된 얕은 트랜치 격리 구조가 전기적 특성에서 전위차, 전계와 포화 임계... -
Simultaneous Fluorimetric Determination of On-line Preconcentrated HANs, DCAD and TCAD by Using RPLC with a Postcolumn Derivatization System
Jung. Sung-Woon, Choi. Yong-Wook 대한화학회 Bulletin of the Korean Chemical Society 8 Pages
대한화학회 Bulletin of the Korean Chemical Society 2013, Vol.34 No.6 1783-1790 (8 pages)
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Characterization of Density-of-States in Polymer-based Organic Thin Film Transistors and Implementation into TCAD Simulator
Kim. Jaehyeong, Jang. Jaeman, Bae. Minkyung, Lee. Jaewook, Kim. Woojoon, Hur. Inseok, Jeong. Hyun Kwang, Kim. Dong Myong, Kim. Dae Hwan 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 5 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2013, Vol.13 No.1 43-47 (5 pages)
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Analytical Surface Potential Model with TCAD Simulation Verification for Evaluation of Surrounding Gate TFET
Samuel. T.S. Arun, Balamurugan. N.B., Niranjana. T., Samyuktha. B. 대한전기학회 Journal of electrical engineering & technology 7 Pages
대한전기학회 Journal of electrical engineering & technology 2014, Vol.9 No.2 655-661 (7 pages)
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Salbir 토성유적 3D Scan성과
한국고고학회 한국고고학연합대회 제1회 한국고고학연합대회 24 367-380 (14 pages)
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Analysis of electrical characteristics for p-type silicon germanium metal-oxide semiconductor field-effect transistors
고석웅, 정학기, Ko. Suk-woong, Jung. Hak-kee 한국해양정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 5 Pages
한국해양정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 2006, Vol.10 No.2 303-307 (5 pages)
갖는 p형 SiGe MOSFET에 대한 전기적 특성들을 TCAD 시뮬레이터를 이용하여 연구하였다. 또한 온도 300K와 77K일 때 2개의 캐리어 전송모델(하이드로 다이나믹 모델과 드리프트-확산 모델)을 사용하여 전기적 특성들을 비교 분석하였다. 본 논문에서는 드리프트-확산 모델보다는 하이드로 다이나믹 모델을 사용하였을 때 드레인 전류가 더 많이 흐름을 알 수 있었다. 게이트 길이가 $0.9{mu}m$일 때 문턱 전압은 온도가 300K, 77K에서 각각 -0.97V와 -1.15V의 값을 가짐을 알수 있었다. 또한 게이트 길이가 $0.1{mu}m$일 때 문턱전압들은... -
외부 전계 링을 갖는 LDMOST의 항복전압 특성
오동주, 염기수, Oh. Dong-joo, Yeom. Kee-soo 한국해양정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 6 Pages
한국해양정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 2004, Vol.8 No.8 1719-1724 (6 pages)
소자로 기대하고 있는 LDMOST의 BV(Breakdown; 항복전압) 특성을 향상시키는 새로운 구조를 제안하였다. 제안한 구조는 외부 전계 링이라 하며 드리프트 영역 둘레에 3차원적인 구조로 형성된다. 외부 전계 링은 드리프트 영역에서 전계를 완화시키는 역할을 함으로써 BV 특성을 향상시키는 효과를 얻을 수 있다. 3차원 TCAD 시뮬레이션 결과, 외부 전계 링의 접합깊이와 도핑 농도의 증가에 따라 LDMOST의 BV가 증가함을 확인할 수 있었다. 따라서 기존의 p+ sinker 공정을 사용하여 외부 전계 링 구조를 추가한다면 LDMOST의 BV 특성을... -
나노 구조 MOSFET의 스켈링에 대한 특성 분석
장광균, 정학기, 이종인 한국해양정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 7 Pages
한국해양정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 2001, Vol.5 No.3 573-579 (7 pages)
있다. 이에 따라 고집적 소자의 특성을 시뮬레이션을 통하여 이해하고 이에 맞게 제작하는 기술은 매우 중요한 과제 중의 하나가 되었다. 소자가 마이크론급에서 나노급 이하로 작아지면서 그에 맞는 소자개발을 위해 여러 가지 구조가 제시되고 있는데 본 논문에서는 TCAD를 이용하여 여러 가지 구조 중에서 고농도로 도핑된 ground plane 위에 적층하여 만든 EPI MOSFET를 조사하였다. 이 구조의 특성과 임팩트이온화와 전계 그리고 I-V특성 곡선을 저 농도로 도핑된 드레인(LDD)MOSFET와 비교 분석하였다. 또한 TCAD의 유용성을... -
초고집적용 새로운 회자 구조의 얕은 트랜치 격리의 특성 분석
이용재, Lee. Yong-Jae 한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 7 Pages
한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 2014, Vol.18 No.10 2509-2515 (7 pages)
유전 강화 전계를 분석 하고자 한다. 물리적 기본 모델들은 TCAD 툴을 이용하며, 집적화 소자들에 있어서 분석 조건은 주위 조건과 스트레스 인가이다. 분석 결과, 얕은 트랜치 격리 구조가 소자의 크기가 감소됨에 따라서 수동적인 전기적 기능이며, 트랜지스터 응용에서 제안한 회자 구조의 얕은 트랜치 격리 구조가 전기적 특성에서 전위차 전계와 포화 임계 전압이 높게 나타났으며, 활성영역에서 스트레스의 영향은 감소되었다. 이 결과 데이터를 바탕으로 제작한 소자의 결과 분석도 시뮬레이션 결과 데이터와 거의 동일하였다. -
실리콘 에피-웨이퍼 기반의 펄스감마선 검출센서 최적화 연구
이남호, 황영관, 정상훈, 김종열, 조영, Lee. Nam-Ho, Hwang. Young-Gwan, Jeong. Sang-Hun, Kim. Jong-Yeol, Cho. Young 한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 7 Pages
한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 2014, Vol.18 No.7 1777-1783 (7 pages)
개발하고 그 특성을 분석하였다. 먼저, 펄스방사선에 의한 다이오드 내부에서의 생성 전하를 계산한 후 TCAD로 모델링하여 $42{mu}m$ 진성층의 실리콘 에피텍시 웨이퍼 기반의 고속 신호탐지용 PIN 다이오드 센서를 다양한 구조로 설계하였다. PAL의 Test LINAC의 전자빔 변환 감마방사선 4.88E8 rad(Si)/sec에 대한 실측시험에서 소자의 면적에 비례하는 광감도와 응답속도 증가 결과를 얻었으며 포화특성과 소자의 균일성을 기준으로 2mm직경의 센서를 최적으로 판단되었다. 선정 센서를 대상으로 한 펄스감마선 고출력 범위(2.47E8... -
Edge Termination을 위해 Tilt-Implantation을 이용한 SiC Trench Schottky Diode에 대한 연구
송길용, 김광수, Song. Gil-Yong, Kim. Kwang-Soo 한국전기전자학회 전기전자학회논문지 6 Pages
한국전기전자학회 전기전자학회논문지 2014, Vol.18 No.2 214-219 (6 pages)
하여 항복전압(breakdown voltage) 특성도 경사 이온주입을 하지 않았을 때와 같게 유지하면서 trench oxide insulator가 모든 퍼텐셜을 포함하도록 함으로써 termination area를 감소시켰다. 트랜치 깊이(trench depth)를 $11{mu}m$로 깊게 하고 최적화된 폭(width)을 선택함으로써 2750V의 항복전압을 얻었고, 동급의 항복전압을 가진 가드링(guard ring) 구조보다 termination area를 38.7% 줄일 수 있다. 이에 대한 전기적 특성은 synopsys사의 TCAD simulation을 사용하여 분석하였으며, 그 결과를 기존의 구조와 비교하였다. -
파워 클램프용 래치-업 면역 특성을 갖는 SCR 기반 ESD 보호회로
최용남, 한정우, 남종호, 곽재창, 구용서, Choi. Yong-Nam, Han. Jung-Woo, Nam. Jong-Ho, Kwak. Jae-Chang, Koo. Yong-Seo 한국전기전자학회 전기전자학회논문지 6 Pages
한국전기전자학회 전기전자학회논문지 2014, Vol.18 No.1 25-30 (6 pages)
개선하기 위해 n+ 플로팅 영역을 삽입하고 추가적인 n-웰과 p-웰까지 확장된 p+ 캐소드 영역을 통해 높은 홀딩 전압을 가질 수 있도록 고안되었다. 제안된 ESD 보호회로는 높은 홀딩 전압을 통해 정상 동작 상태에서의 래치-업 면역 특성을 확보하였으며, 우수한 ESD 보호 능력을 가진다. 제안된 ESD 보호회로는 Synopsys사의 TCAD 시뮬레이션을 통해 전기적 특성을 검증하였다. 시뮬레이션 결과, 트리거 전압은 약 27.3 V에서 최대 32.71 V 사이에서 변화하는 반면, 홀딩 전압은 4.61 V에서 최대 8.75 V까지 상승하는 것을 확인하였다.... -
파워 클램프용 높은 홀딩전압을 갖는 사이리스터 기반 새로운 구조의 ESD 보호회로
이병석, 김종민, 변중혁, 박원석, 구용서, Lee. Byung-Seok, Kim. Jong-Min, Byeon. Joong-Hyeok, Park. Won-Suk, Koo. Yong-Seo 한국전기전자학회 전기전자학회논문지 6 Pages
한국전기전자학회 전기전자학회논문지 2013, Vol.17 No.2 208-213 (6 pages)
제안하였다. 제안된 보호회로는 기존의 SCR 구조의 p-well과 n-well에 floating p+, n+를 삽입하여 홀딩 전압을 증가 시켰다. 제안된 보호회로는 높은 홀딩전압 특성으로 높은 래치업 면역성을 갖는다. 본 연구에서 제안된 보호회로의 전기적 특성 및 ESD 감내특성을 확인하기 위해 Synopsys사의 TCAD Tool을 이용하여 시뮬레이션을 수행하였다. 시뮬레이션 결과 제안된 보호회로는 기존 SCR 기반 ESD 보호회로보다 약 4.98 V의 높은 홀딩전압과 추가적인 floating 영역의 사이즈 변화로 최대 13.26 V의 홀딩전압을 갖는 것을 확인하였다.... -
높은 홀딩전압을 갖는 사이리스터 기반 새로운 구조의 ESD 보호소자
원종일, 구용서, Won. Jong-Il, Koo. Yong-Seo 한국전기전자학회 전기전자학회논문지 7 Pages
한국전기전자학회 전기전자학회논문지 2009, Vol.13 No.1 87-93 (7 pages)
ESD(Electro-Static Discharge) 보호 소자를 제안하였다. 홀딩전압은 애노드단을 감싸고 있는 n-well에 p+ 캐소드를 확장시키고, 캐소드단을 n-well로 추가함으로써 홀딩전압을 증가시킬 수 있다. 제안된 소자는 높은 홀딩전압 특성으로 높은 래치업 면역성을 갖는다. 본 연구에서 제안된 소자의 전기적 특성, 온도특성, ESD 감내특성을 확인하기 위하여 TCAD 시뮬레이션 툴을 이용하여 시뮬레이션을 수행하였다. 시뮬레이션 결과 제안된 소자는 10.5V의 트리거 전압과 3.6V의 홀딩전압을 갖는다. 그리고 추가적인 n-well과 확장된 p+의... -
고집적을 위한 얕은 트랜치 격리에서 제안한 구조의 특성 모의 분석
이용재, Lee. YongJae 한국시뮬레이션학회 한국시뮬레이션학회논문지 6 Pages
한국시뮬레이션학회 한국시뮬레이션학회논문지 2014, Vol.23 No.3 27-32 (6 pages)
소자에서 전류-전압 특성을 분석 하고자 한다. 물리적 기본 모델들은 TCAD 툴을 이용하며, 집적화 소자들에 있어서 분석 조건은 주위 조건과 전류와 시간의 인가 스트레스 조건이다. 분석 결과, 얕은 트랜치 격리 구조가 소자의 크기가 감소됨에 따라서 수동적인 전기적 기능이었다. 트랜지스터 응용에서 제안한 회자 구조의 얕은 트랜치 격리 구조가 전기적 특성에서 전위차, 전계, 전자농도 분포가 높게 나타났으며, 활성영역에서 스트레스에 의한 산화막의 영향은 감소되었다. 이 결과 데이터를 바탕으로 소자의 전류-전압 특성 결과... -
Technology Computer-Aided Design과 결합된 SPICE를 통한 금속-강유전체-반도체 전계효과 트랜지스터의 전기적 특성 해석
김용태, 심선일, Kim. Yong-Tae, Shim. Sun-Il 한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 5 Pages
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 2005, Vol.12 No.1 59-63 (5 pages)
(TCAD)과 simulation program with integrated circuit emphasis (SPICE)를 결합하여 전산모사하는 방법을 제시하였다. 복잡한 강유전체의 동작 특성을 수치해석을 이용하여 해석한 다음, 이를 이용하여 금속-강유전체-반도체 구조에서 반도체 표면에 인가되는 표면 전위를 계산하였다. 계산된 TCAD 변수인 표면 전위를 전계효과 트랜지스터의 SPICE 모델에서 구한 표면 전위와 같다고 보고게이트 전압에 따른 전류전압 특성을 구할 수 있었다. 이와 같은 방법은 향후 MFS/MFISFET를 이용한 메모리소자의 집적회로 설계에 매우 유용하게... -
비균일 100V 급 초접합 트랜치 MOSFET 최적화 설계 연구
노영환, Lho. Young Hwan 대한전자공학회 Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea 6 Pages
대한전자공학회 Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea 2013, Vol.50 No.7 109-114 (6 pages)
항복전압사이에 절충(tradeoff)이 필요하다. 이러한 절충을 하지 않고 최적화를 하기위해 비균일 초접합 트랜치 MOSFET 를 설계하는데 동일한 항복전압에서 균일 초접합 트랜치 MOSFET보다 낮은 온-저항을 갖도록한다. 이를 위해 드리프트 영역에서 우수한 전기장 분포를 달성하기 위하여 선형구조의 도핑 프로파일을 제안하고, 단위 셀 설계, 도핑농도의 특성분석, 전위분포를 SILVACO TCAD 2D인 Atlas 소자 소프트웨어를 사용하여 시뮬에이션을 수행하였다. 결과로 100V 급 MOSFET에서 비균일 초접합 트랜치 MOSFET가 균일 초접합... -
VT-Modulation of Planar Tunnel Field-Effect Transistors with Ground-Plane under Ultrathin Body and Bottom Oxide
Sun. Min-Chul, Kim. Hyun Woo, Kim. Hyungjin, Kim. Sang Wan, Kim. Garam, Lee. Jong-Ho, Shin. Hyungcheol, Park. Byung-Gook 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 7 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2014, Vol.14 No.2 139-145 (7 pages)
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Enhanced Photoresponse of Plasmonic Terahertz Wave Detector Based on Silicon Field Effect Transistors with Asymmetric Source and Drain Structures
Ryu. Min Woo, Kim. Sung-Ho, Kim. Kyung Rok 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 5 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2013, Vol.13 No.6 576-580 (5 pages)
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과도방사선 검출을 위한 핵폭발 검출기 제작 및 검증
정상훈, 이승민, 이남호, 김하철, 조성익, Jeong. Sang-Hun, Lee. Seung-Min, Lee. Nam-Ho, Kim. Ha-Chul, Cho. Seong-Ik 대한전기학회 전기학회논문지= The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers 4 Pages
대한전기학회 전기학회논문지= The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers 2013, Vol.62 No.5 639-642 (4 pages)
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과도방사선에 의한 CMOS 소자 Latch-up 모델 연구
정상훈, 이남호, 이민수, 조성익, Jeong. Sang-Hun, Lee. Nam-Ho, Lee. Min-Su, Cho. Seong-Ik 대한전기학회 전기학회논문지= The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers 5 Pages
대한전기학회 전기학회논문지= The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers 2012, Vol.61 No.3 422-426 (5 pages)
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Evaluation of Radio-Frequency Performance of Gate-All-Around Ge/GaAs Heterojunction Tunneling Field-Effect Transistor with Hetero-Gate-Dielectric by Mixed-Mode Simulation
Roh. Hee Bum, Seo. Jae Hwa, Yoon. Young Jun, Bae. Jin-Hyuk, Cho. Eou-Sik, Lee. Jung-Hee, Cho. Seongjae, Kang. In Man 대한전기학회 Journal of electrical engineering & technology 9 Pages
대한전기학회 Journal of electrical engineering & technology 2014, Vol.9 No.6 2070-2078 (9 pages)
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Investigation of InAs/InGaAs/InP Heterojunction Tunneling Field-Effect Transistors
Eun. Hye Rim, Woo. Sung Yun, Lee. Hwan Gi, Yoon. Young Jun, Seo. Jae Hwa, Lee. Jung-Hee, Kim. Jungjoon, Kang. In Man 대한전기학회 Journal of electrical engineering & technology 6 Pages
대한전기학회 Journal of electrical engineering & technology 2014, Vol.9 No.5 1654-1659 (6 pages)
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다결정 실리콘의 확산 공정 시뮬레이션
이흥주, 이준하, Lee. Hoong-Joo, Lee. Jun-Ha 한국반도체및디스플레이장비학회 반도체및디스플레이장비학회지 5 Pages
한국반도체및디스플레이장비학회 반도체및디스플레이장비학회지 2005, Vol.4 No.1 23-27 (5 pages)
