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Cu가 도핑된 LSM의 구조분석과 열팽창특성 연구
노태민, 류지승, 김진성, 정철원, 이희수, Noh. Tai-Min, Ryu. Ji-Seung, Kim. Jin-Seong, Jeong. Cheol-Weon, Lee. Hee-Soo 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 6 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2011, Vol.21 No.4 175-180 (6 pages)
이종 원자가를 가시는 Cu의 도핑이 LSM에 미치는 영향을 구조적인 분석과 열팽창계수를 통해서 고찰하였다. 고상반응을 이용하여 $La_{0.8}Sr_{0.2}Mn_{1-x}Cu_xO_3$($0{leq}x{leq}0.3$)음 제조하였으며, Cu의 도핑 함량에 따른 결정구조 및 열팽창계수를 확인하였다. Cu 함량이 증가함에 따라서 격자상수외 열팽창계수가 감소하는 경향을 나타냈지만, x = 0.3인 경우에는 증가 하였다. 이러한 격자상수와 열팽창계수의 변화는 Cu 이온의 B-site에서의 Mn 자리에 치환될 때 $0{leq}x{leq}0.2$의 범위에서는 $Cu^{3+}$의 존재로 인한 이온... -
졸-겔법으로 제조한 Al-doped ZnO 박막의 특성에 관한 연구
김용남, 이승수, 송준광, 노태민, 김정우, 이희수, Kim. Yong-Nam, Lee. Seoung-Soo, Song. Jun-Kwang, Noh. Tai-Min, Kim. Jung-Woo, Lee. Hee-Soo 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 6 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2008, Vol.18 No.1 50-55 (6 pages)
Al doping 을 위한 전구체로는 aluminum nitrate 와 aluminum chloride 를 사용하였다. Sol 내의 Zn 농도는 0.5 mol/l 로 하였고, Al doping 양은 Zn 대비 1 at%로 고정하였다. 유리기판 위에 졸을 spin-coating 한 후 $550^{circ}C$에서 2 시간 동안 열처리한 후, $N_2$와 $H_2$의 비가 9 : 1인 환원 분위기 내에서 $300^{circ}C,;400^{circ}C,;500^{circ}C$인 온도에서 2시간 동안 post-annealing을 진행하였다. 제조된 AZO 박막의 구조적, 전기적, 광학적 특성은 XRD, FE-SEM, AFM, Hall effect measurement system 및 UV-Visible... -
Cobalt가 첨가된 이트리아 안정화 큐빅지르코니아(YSZ) 단결정의 리간드장에 따른 색상변화
석정원, 최종건, Seok. Jeong-Won, Choi. Jong-Koen 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 6 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2007, Vol.17 No.1 35-40 (6 pages)
스컬(skull)용융법에 의해 성장시킨 코발트($Co^{2+}$)가 도핑(doping)된 $25{sim}50wt%$의 서로 다른 $Y_2O_3$ 함량을 가진 이트리아 안정화 큐빅지르코니아(YSZ) 단결정을 $N_2$ 분위기 $1000^{circ}C$에서 5시간 동안 열처리하였다. 적갈색의 단결정들은 각각 보라색 또는 청색으로 변화되었으며, Co가 첨가(doping) 된 처리 전 후의 YSZ들은 직경 6.5, 두께 2 mm의 웨이퍼 또는 직경 10 mm의 라운드브릴리언트 컷(round brilliant cut)으로 연하 하였으며, 광학적 또는 구조적 특성은 UV-VIS 분광광도계와 XRD(X-ray diffraction)로... -
RF-DC magnetron co-sputtering법에 의한 p-ZnO 박막의 성장
강승민, Kang. Seung Min 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 4 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2004, Vol.14 No.6 277-280 (4 pages)
p형 ZnO 에피 박막을 사파이어 기판의 (0001)면 상에 RF-DC magnet co-sputtering 법으로 성장시켰다. 약 120nm두께의 단결정상 박막을 성공적으로 얻어내었다. p형 ZnO를 만들기 위해서 Al 금속 타켓을 이용하여 DC 스퍼터링으로 $400^{circ}C$와 $600^{circ}C$에서 ZnO를 rf magnetron sputtering으로 증착하고, 동시에 Al의 doping을 행하였으며, 성장된 박막의 결정성과 광특성에 대하여 고찰하였다. -
Czochralski법에 의해 성장시킨 Nd : $LiNbO_3$ 단결정의 주기적인 domain제어에 관한 연구
최종건 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 6 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2002, Vol.12 No.1 50-55 (6 pages)
$LiNbO_3$ 단결정에 $Nd_2O_3$0.2~0.5 wt.%를 칭량하여 결정을 성장 시켰다. 그리고 광손상을 억제하기 위해 ZnO 2~8 mole%를 첨가하여 광손상에 대한 저항성을 높였다. 본 연구에서는 Nd가 doping된 단결정을 성장시켜 주기적인 domain을 만들고자 하였다 -
MgO 또는 ZnO를 첨가한 $LiNbO_{3}$ 단결정 성장 및 특성 : (I) 단결정 성장 및 결함구조
조현, 심광보, 오근호 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 9 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 1996, Vol.6 No.3 368-376 (9 pages)
균일한 조성과 doping 효과를 얻을 수 있는 floating zone(FZ)법으로 조화용융조성의 undoped $LiNbO_{3}$ 및 5 mol%의 MgO 또는 ZnO를 각각 첨가한 $LiNbO_{3}$ 단결정을 육성하였다. 결정성장시 최적성장조건을 실험적으로 확립하였으며, 결정내에 존재하는 domain 구조, 전위구조, slip band, 미세쌍정등의 결함구조를 조사 및 분석하였다. -
압력센서용 Boron이 첨가된 다결정 Silicom 박막의 제조
유광수, 신광선 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 7 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 1993, Vol.3 No.1 59-65 (7 pages)
다결정 silicon 박막은 여러온도에서 quartz 기판위에 증착되었으며, boron은 BN 웨이퍼를 사용하여 확산로에서 doping하였다. $500^{circ}C$의 기판온도에서 증착된 silicon 박막은 비정질이었으며, $600^{circ}C$에서 결정을 보이기 시작하였고, $700^{circ}C$에서 다결정이 되었다. $900^{circ}C$에서 10분동안 boron을 dopion한 후, 박막의 비저항은 $0.1{Omega}cm~1.5{Omega}cm$의 범위에 있었으며, boron 밀도(농도)는 $9.4$ imes$10^{15}~2.1$ imes${10}^{17}cm^{-3}$</TEX>이었고, 입자의 크기는 $107{AA}~191{AA}$이었다. -
실리콘 기판위에 분자선속법으로 생장한 GaAs 에피층
이동선, 우덕하, 김대욱, 우종천 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 10 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 1991, Vol.1 No.1 82-91 (10 pages)
이를 분석한 결과를 보고한다. 두 종류의 실리콘 기판에 생장 조건을 다르게 한 시료를 준비하고, SEM, TEM, X-ray회절, PL, Hall 등의 방법으로 분석하였다. 결정면에서 약간 기울여 절삭한 기판에 이단계 성장법으로 성장한 에피층이 보다 좋은 결정 구조를 갖으며, multi-quantum well buffer layer를 삽입하는 것이 stress 해소 등에 도움이 된다. 또 GaAs 에피층은 저절로 실리콘으로 doping이 되는데, exciton bound 에너지 준위를 통한 radiative recombination은 homoepitaxial GaAs 에피층보다 잘 일어나지 않는 것으로... -
BF3 생산에 관한 연구
이택홍, 김재영, Lee. Taeck-Hong, Kim. Jae-Young 한국가스학회 한국가스학회지 5 Pages
한국가스학회 한국가스학회지 2011, Vol.15 No.3 74-78 (5 pages)
반도체용 특수가스인 BF3는 반도체 생산공정에서 웨이퍼의 플라즈마 식각 공정과 화학증기증착(CVD : Chemical vapor deposition) chamber 세정공정 등에 사용되며, $BF_3$ 가스는 boron Ion Implant 공정에서 p-type doping을 위한 원료 등으로 사용된다. 본 연구에서는 간단한 공정으로 $NaBF_4$ 와 $KBF_4$의 열분해를 통하여 $BF_3$ 가스의 생산에 대해서 연구 하였다. -
고전압용 LDI 칩의 정전기 보호를 위한 EDNMOS 소자의 특성 개선
양준원, 서용진, Yang. Jun-Won, Seo. Yong-Jin 통신위성우주산업연구회 통신위성우주산업연구회논문지 7 Pages
통신위성우주산업연구회 통신위성우주산업연구회논문지 2012, Vol.7 No.2 18-24 (7 pages)
본 논문에서는 ESD 방지를 위한 최적 방법론에 목표하여 확장된 드레인을 갖는 EDNMOS 소자의 더블 스냅백 현상 및 백그라운 도핑 농도 (BDC)의 영향을 조사하였다. 고전류 영역에서 낮은 BDC를 가진 EDNMOS 소자는 강한 스냅백으로 인해 취약한 ESD 성능과 높은 래치업 위험을 가지게 되나, 높은 BDC를 가진 EDNMOS 소자는 스냅백을 효과적으로 방지할 수 있음을 알 수 있었다. 따라서 BDC 제어로 안정적인 ESD 방지 성능과 래치업 면역을 구현할 수 있음을 밝혔다.