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PECVD방법으로 형성한 $W_{67}N_{33}$/GaAs구조의 열적 특성
이세정, 홍종성, 이창우, 이종무, 김용태, 민석기, Lee. Se-Jeong, Hong. Jong-Seong, Lee. Chang-U, Lee. Jong-Mu, Kim. Yong-Tae, Min. Seok-Gi 한국재료학회 한국재료학회지 8 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1993, Vol.3 No.5 443-450 (8 pages)
실리콘이 주입된 CaAs 기판위에 플라즈마 화학 증착법으로 자기정렬 gate구조의 Schottky contact을 형성하였다. 갈륨비소 소자 제조를 위하여 두께 1600$AA$의 턴스텐질화막을 $350^{circ}C$에서 증착하여 $750^{circ}C$에서 $900^{circ}C$까지 급속 열처리 하였다. 텅스텐 질화막과 GaAs계면의 열적 안정성을 XRD(X-ray diffraction), PL(photoluminescence),ODLTS(optical deep livel transient spectroscopy)측정으로 조사하였으며, W보다 $W_{67}N_{33}$ gate를 형성시킬 경우에 GaAs에 미치는 열적손상이 적음을 알 수 있으며 이온... -
열산화법 및 PECVD 법에 의한 T$a_2O_5$ 유전 박막
문환성, 이재석, 한성욱, 박상균, 양승기, 이재학, 박형호, 박종완, Mun. Hwan-Seong, Lee. Jae-Seok, Lee. Jae-Seok, Lee. Jae-Seok, Yang. Seung-Gi, Lee. Jae-hak, Park. Hyun 한국재료학회 한국재료학회지 7 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1992, Vol.2 No.5 353-359 (7 pages)
열산화법과 PECVD법으로 p-type (100) Si 기판위에 T$a_2O_5$ 박막을 형성시킨 후 A1/T$a_2O_5$/p-Si capacitor를 제작하였다. 제작된 시편의 제반 물성은 XRD, AES, high frequency C-V analyzer, I-V meter, TEM 등을 사용하여 분석하였다. XRD 분석을 통해 T$a_2O_5$ 박막은 비정질임이 확인되었으며 65$0^{circ}C$ 열처리의 경우에는 hexagonal $delta$-T$a_2O_5$ 상으로 결정화가 일어남을 확인할 수 있었다. AES spectrum의 분석을 통해 T$a_2O_5$ 박막의 조성이 2:5의 stoichiometry에 근접해 있음이 관찰되었다. 열산화법에 의해... -
이층 배선공정에서 층간 절연막의 층덮힘성 연구 : PECVD와 $O_3$ThCVD 산화막
박대규, 김정태, 고철기, Park. Dae-Gyu, Kim. Chung-Tae, Go. Cheol-Gi 한국재료학회 한국재료학회지 11 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1992, Vol.2 No.3 228-238 (11 pages)
소자의 이층 배선 공정에서 다챔버 장비를 이용한 금속 층간절연막의 공극없는 평탄화를 위하여 PECVD와 $O_3$ ThCVD산화막의 증착시 층덮힘성을 연구하였다. 산화막의 두께가 증가됨에 따라 변화되는 순간단차비의 개념을 도입하여 공극형성의 개시점을 예측할 수 있는 관계식을 모델링하였고, 금속배선간격의 초기 단차비가 다양한 패턴에서 산화막의 두께에 따른 순간 단차비의 변화를 조사하였다. 모델링 검정결과 $5^{circ}$이하의 re-entrant각을 갖는 TEOS에 의한 PECVO 산화막의 순간단차비가 모델링에 잘 일치하였다. 공극없는... -
PECVD에 의한 TiN 코팅의 마모특성 연구
한국윤활학회 윤활학회지 1990, Vol.6 No.1 116-125 (10 pages)
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PECVD법에 의한 TiN, TiCN 증착 시 gradient plasma power가 코팅층에 미치는 영향
김동진, 신창현, 허정, 남태운, Kim. D.J., Shin. C.H., Hur. J., Nam. T.W. 한국열처리공학회 열처리공학회지 5 Pages
한국열처리공학회 열처리공학회지 2004, Vol.17 No.4 236-240 (5 pages)
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PECVD에 의해 생성된 TIBN 박막의 특성
허정, 유용주, Huh. J., You. Y.Z. 한국열처리공학회 열처리공학회지 6 Pages
한국열처리공학회 열처리공학회지 2002, Vol.15 No.3 136-141 (6 pages)
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PECVD 에 의해 형성된 TiCN 박막의 형상 및 밀착성
허정, 남태운, Huh. J., Nam. T.W. 한국열처리공학회 열처리공학회지 9 Pages
한국열처리공학회 열처리공학회지 2002, Vol.15 No.3 118-126 (9 pages)
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PECVD 법에 의해 제작된 저굴절률 차이 평판 SiON광도파로
김용탁, 윤석규, 윤대호, Kim. Yong-Tak, Yoon. Seok-Gyu, Yoon. Dae-Ho 한국세라믹학회 한국세라믹학회지 4 Pages
한국세라믹학회 한국세라믹학회지 2005, Vol.42 No.3 178-181 (4 pages)
Silicon oxynitride (SiON) 막은 플라즈마 화학기상증착법(PECVD)으로 $SiH_4,;N_2O$와 $N_2$ 가스를 사용하여 $SiO_2/Si$ 위해 증착되었다. 증착 변수에 따라서 SiON 막의 굴절률은 prism coupler를 사용하여 1552nm 파장에서 $1.4480~1.4958$까지 변화하였다. 평판 광도파로 코어로 사용되는 SiON 막의 두께는 $6{mu}m$이고, buffer 막과의 굴절률 차이(An)는 $0.36\%$이다. 또한 식각 공정으로 $SiO_2$ 막 위에 증착된 SiON 막은 건식식각을 통해서 수행되었다. 광화이버에 $1.55{mu}m$ 파장의 레이저론 입력단에 조사하였다....