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Effects of Doping with Al, Ga, and In on Structural and Optical Properties of ZnO Nanorods Grown by Hydrothermal Method
Kim. Soaram, Nam. Giwoong, Park. Hyunggil, Yoon. Hyunsik, Lee. Sang-Heon, Kim. Jong Su, Kim. Jin Soo, Kim. Do Yeob, Kim. Sung-O, Leem. Ja 대한화학회 Bulletin of the Korean Chemical Society 7 Pages
대한화학회 Bulletin of the Korean Chemical Society 2013, Vol.34 No.4 1205-1211 (7 pages)
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Effect of VO(II) Doping on Structural and Optical Properties of Diaquamalonato(1,10-phenanthroline)zinc(II)
Hema. Ramesh, Parthipan. Krishnan, Ramachitra. Somasundaram, Balaji. Subramanian 대한화학회 Bulletin of the Korean Chemical Society 6 Pages
대한화학회 Bulletin of the Korean Chemical Society 2013, Vol.34 No.12 3547-3552 (6 pages)
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The Root Cause of the Rate Performance Improvement After Metal Doping: A Case Study of LiFePO4
Park. Chang-Kyoo, Park. Sung-Bin, Park. Ji-Hun, Shin. Ho-Chul, Cho. Won-Il, Jang. Ho 대한화학회 Bulletin of the Korean Chemical Society 6 Pages
대한화학회 Bulletin of the Korean Chemical Society 2011, Vol.32 No.3 921-926 (6 pages)
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Preparation and Characterization of NiO/CeO2-ZrO2/WO3 Catalyst for Ethylene Dimerization: Effect of CeO2 Doping and WO3 Modifying on Catalytic Activity
Sohn. Jong-Rack, Han. Jong-Soo, Kim. Hae-Won, Pae. Young-Il 대한화학회 Bulletin of the Korean Chemical Society 8 Pages
대한화학회 Bulletin of the Korean Chemical Society 2005, Vol.26 No.5 755-762 (8 pages)
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Doping된 Ⅲ-Ⅴ族 化合物 半導體 界面에서 空間電荷效果
천장호, Chun. Jang-Ho 대한전자공학회 전자공학회논문지 5 Pages
대한전자공학회 전자공학회논문지 1990, Vol.27 No.2 93-97 (5 pages)
도핑된 半導體 界面의 界面電荷 近似式과 構造를 提案하였다. III-V族 化合物 半導體인 p-GaP,p-InP,n-GaAs와 <TEXT>$C_sNO_3$</TEXT> 水性 電解質 界面에서 整流現象은 循環電流-電壓特性으로 定性的 解析을 하였다. 半導體 界面의 電流-電壓 特性曲線, 이온 吸着과 電位障壁 過程은 連續循環電壓方法으로 實證하였다. 도핑된 半導體-電解質 界面에서 pn 또는 np 接合構造와 그에 따른 整流形은 空間電荷에 의하여 決定된다.