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광통신용 GaAs/(Ga, Al)As DH-LED의 최적 주파수 응용에 대한 연구
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  • 광통신용 GaAs/(Ga, Al)As DH-LED의 최적 주파수 응용에 대한 연구
저자명
오환술,김영권
간행물명
電子工學會誌
권/호정보
1984년|21권 3호|pp.60-65 (6 pages)
발행정보
대한전자공학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

본 논문은 광통신용 광원의 가장 중요한 설계변수인 주파수응답의 최적화를 위하여 대칭 CaAs/(Ca, Al)As DH-LED를 모델로 채택하여 다이오드의 설계변수들인 활성층의 불순물농도, 활성층폭, 소수캐리어수명, 금지대폭, 굴절률, 공간전하용량, 주입전류밀도 등의 물리적 제인자들의 백호관계를 체계적으로 정립하여 컴퓨터 시뮬레이션에 의한 최적설계변수치들을 설정하는데 그 목적이 있다.

기타언어초록

In this paper, we have used symmetrical GaAs/(Ga, Al) As DH-LED as a model for the optimization of frequency response which is the most important design parameter of the optical communication-LED. And optimum design parameters have been chosen to improve performance factors of the DH-LED by computer simulation. This is for the purpose of systematic consideration of the interrelation of the physical parameters such as impurity concentration of the active layer, thickness of the active layer, minority carrier lifetime, space charge capacitance and injected current density.