- DRAM의 한계
- ㆍ 저자명
- 박영준
- ㆍ 간행물명
- 전기학회지= The Processing of the Institute of Electrical Engineers
- ㆍ 권/호정보
- 1989년|38권 4호|pp.36-45 (10 pages)
- ㆍ 발행정보
- 대한전기학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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보 소고에서는 1T cell을 이용한 DRAM 집적도의 향상에 따른 몇가지의 한계요인을 생각해 보았다. 특별한 물질의 획기적 방법이 없는한, Cell의 수직대 수평 Aspect Ratio가 2이상 되고, 스위칭 소자의 채널 도평이 5 * $10^{17}$/$cm^{3}$ 이상이 되는 64M DRAM에 필요한 최소 선폭은 0.3-0.4.mu.m정도로 예측되는데 실제로 최소 선폭에 관한한 한계는 이보다 훨씬 더 작아질 것이다.다.