- Furnace의 $N_2O$ 분위기에서 성장시킨 Oxynitride MOS 캐패시터 특성
- ㆍ 저자명
- 박진성,문종하,이은구
- ㆍ 간행물명
- 요업학회지
- ㆍ 권/호정보
- 1995년|32권 11호|pp.1241-1245 (5 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국세라믹학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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Ultrathin oxynitride (SiOxNy) films, 8nm thick, were formed on Si(100) in furnace using O2 and N2O as reactant gas. Compared with conventional furnace grown oxide, oxynitride dielectrics show better characteristics of Qbd and I-V, and less flat-band voltage shift. Excellent diffusion barrier property to dopant (BF2) is also confirmed.