감지막 내부로의 수소이온 확산은 pH-ISFET에서 드리프트로 작용하므로 초박막화된 감지막은 드리프트 시간을 최소화할 것이라는 새로운 인식을 가지고 pH-ISFET의 최대 단점인 드리프트 특성을 개선하기 위하여 sol-gel법으로 $Ta_{2}O_{5}$ 수소이온 감지막을 약 $70{AA}$정도로 초박막화시킨 ISFET를 제조하고 그 동작특성을 조사하였다. 제조한 $Ta_{2}O_{5}$ 게이트 pH-ISFET는 약 59 mV/pH의 높은 감도를 나타내었고, pH $3{sim}11$ 범위에서 pH에 따른 ISFET의 출력전압변화는 우수한 선형성을 나타내었으며, 또한 출력전압의 변동에 의한 평균 pH 드리프트는 약 0.06 pH/day로서 비교적 작은 값을 나타내었다.
The diffusion of hydrogen ions into a sensing membrane causes the output voltage of pH-ISFET to vary with time, which might be considered to be drift in this sensor. We tried to deposit ultra-thin film for minimizing tile drift that has been considered to be main obstacle for putting pH-ISFET to practical use. In this paper, tantalum pentoxide, known as a good pH sensing membrane, was formed to about $70{AA}$ thick by sol-gel method on $Si_{3}N_{4}/SiO_{2}$-gate of pH-ISFET. The fabricated $Ta_{2}O_{5}$-gate pH-ISFET showed good sensitivity(about 59mV/ pH) and good lineality in the range of pH $3{sim}11$, and had relatively small average pH drift of about 0.06 pH/day.
