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소성 조건과 Zr/Ti 몰비에 따른 졸겔 $Pb(Zr_{1-x}Ti_x)O_3$ 박막의 구조 및 강유전 특성
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  • 소성 조건과 Zr/Ti 몰비에 따른 졸겔 $Pb(Zr_{1-x}Ti_x)O_3$ 박막의 구조 및 강유전 특성
저자명
김준한,윤현상,박정흠,장낙원,박창엽
간행물명
電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
권/호정보
1996년|9권 8호|pp.836-850 (15 pages)
발행정보
한국전기전자재료학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

In this study, we have analyzed structural analysis and measured ferroelectric characteristics of PZT thin films prepared by sol gel process with different sintering conditions and different Zr/Ti mot%. When the Zr mot% of PZT thin film was increased, it was found that the remanent. polarization and coercive field were decreased and increased, respectively. Also, the maxium dielectric constant of PZT(50/50) thin film was 786.8. We got double hysteresis(anti-fcrroelectric) curve from PbZrO$_{3}$ thin film. As heating rate goes up, pyrochlore phase of PZT thin film was decreased and dielectric and ferroelectric characteristics were improved. As a result of variation of sintering temperature and time 500.deg. C-800.deg. C and 5 sec.-8 hours, respectively, we got optimal sintering temperature and time. The optimium sintering temperature and time of conventional furnace method and rapid thermal processing method were 650.deg. C-700.deg. C for 30-60 minutes and 700.deg. C/20 seconds-2 minutes, respectively.