적외선 센서의 재료로 활용되고 있는 PLT박막 (두께:8000$AA$-9000$AA$)을 Pt/Ti/SiO2/Si와 Pt/Mulcorner의 하부 구조상에 50$0^{circ}C$, 55$0^{circ}C$ 및 $600^{circ}C$에서 스퍼터링 증착하여 결정성 및 전기적 특성을 조사하였다. $600^{circ}C$로 in-situ 성장된 PLT박막은 Si기판을 이용한 경우 randomly oriented perovskite 결정구조를 나타내었으며, Pt/MgO 구조위에서는 c-축(00ι)방향으로 배향 성장되었다. $600^{circ}C$에서 in-situ 성장된 PLT박막의 비유전상수($varepsilon$r)와 유전정접(tan $delta$)을 10kHz-100kHz의 주파수에서 측정한 결과 Pt/Ti/SiO2/Si 구조상에 증착된 박막은$varepsilon$r=90과 tan $delta$=0.02의 값을 Pt/MgO 구조상에 증착된 박막은 $varepsilon$e=35와 tan$delta$=0.01의 값을 나타내었다. 잔류분극량(2Pr)과 초전계수(${gamma}$)는 상온부근에서 Si 기판을 이용한 경우 각각 0.6$mu$C/$ extrm{cm}^2$.。C과 0.5x10-8C/$ extrm{cm}^2$.。C정도로 매우 작게 나타났으나 PLT/Pt/MgO 구조에서는 2Pr=5$mu$C/$ extrm{cm}^2$, r=4x10-8C/$ extrm{cm}^2$.。C로 비교적 양호한 초전박막의 전기적 특성을 나타내었다.