- Photoreflectance 측정에 의한 $In_{0.1}Ga_{0.9}As/GaAs$ 계면의 특성 조사
- ㆍ 저자명
- 이철욱,김인수,손정식,김동렬,임재영,배인호
- ㆍ 간행물명
- 韓國眞空學會誌
- ㆍ 권/호정보
- 1997년|6권 3호|pp.263-266 (4 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국진공학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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$In_{0.1}Ga_{0.9}As$/GaAs의 계면 특성을 상온에서 photoreflectance(PR) 측정을 통하여 연구 하였다. 에피층의 두께가 증가함에 따라 PR 신호에서 Franz-Keldysh oscillation(FKO)의 주 기가 감소하였고, 계면 전기장은 감소되었다. 이것은 InGaAs와 GaAs의 이종접합계면 부근 에서 격자부정합에 의한 결함이 증가되었기 때문으로 생각된다. 에피층의 두께가 300$AA$보다 적은 경우 두께가 얇아짐에 따라 InGaAs층이 임계 두께에 가까워져 strain의 영향으로 밴 드갭 에너지가 크게 이동하였다.
We studied an interfacial characteristics of $In_{0.1}Ga_{0.9}As$/ GaAs by photoreflectance (PR) measurement at room temperature. With increasing thickness of epitaxial layer, Franz-Keldysh oscillation (FKO) periods of PR signals were decreased, and interfacial electric field was decreased. This can be explained by the increases of defects due to lattice mismatch near the heterointerface between InGaAs and GaAs. For the thickness of epitaxial layer thinner than the 300$AA$, InGaAs epitazial layer closed to critical thickness and increased strain, and then the bandgap energy shifted high greatly.