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몬테칼로 방법을 사용한 HgCdTe에서의 전자 전송 특성에 관한 연구
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  • 몬테칼로 방법을 사용한 HgCdTe에서의 전자 전송 특성에 관한 연구
  • A study on the electron transport properties in HgCdTe using monte carlo method
저자명
유상동,곽계달
간행물명
電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D
권/호정보
1998년|2호|pp.40-51 (12 pages)
발행정보
대한전자공학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

Electron transport properties are investigated by Monte Carlo simulation in n-HgCdTe. The material is easily degenerated at low temperature or being slightly doped, and is characterized by small band gap and large nonparabolic factor. The degeneracy is incorporated in the Monte Carlo simulation by taking into account the electron-electron scattering and the pauli exclusion principle. In the conventional method, however, the electron-electron scattering rate was developed under the assumption of parabolic conduction band. A new formulation of the electron-electron scattering rate is develop considering the band nonparabolicity and overlap integral. The electron-electron scattering effects on the electron distribution,impact ionization coefficienty, electron temperature, drift velocity and electron energy are presented.