Si, Mo 등을 substrate로 하고 Hot-Filament C.V.D법으로 저압으로 다이아몬드 박막을 생성시킬 때 탄화수소의 부착과정, 핵생성 및 성장을 조사하였다. 특성은 substrate의 종류, 온도, 압력, 유속 및 $CH_4-H_2$가스의 몰분율과 같은 process 변수로 조사하였으며 다이아몬드는 Ra-man spectroscopy로 측정하였다. 특히 다이아몬드 핵생성과 성장은 scratch와 같은 결함이 있는 곳에 발생하였고 표면확산 등이 핵생성 초기단계에서 중요한 역할을 하였다.
Diamond crystallization and discontinuous deposit phenomena depend on the process of hydrocarbon deposition, nucleation and growth. Then, it is investigated the concentration of methane, flow rate, structure and the growth process of $CH_4-H_2$ system in hot filament assisted C.V.D. There is a limited value of temperature, pressure, flow rate and the mole fraction of methane-hydrogen gas. Diamond nucleation occurs on substrate selectively and surface diffusion of species on the substrate plays an important role in the early stages of nucleation and growth.
