- Erbium 첨가에 의한 GaSe 단결정의 광학적 특성
- ㆍ 저자명
- 이우선,김형곤,정용호,김남오
- ㆍ 간행물명
- 전기전자재료학회논문지
- ㆍ 권/호정보
- 1998년|11권 3호|pp.188-194 (7 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국전기전자재료학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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The GaSe:$Er^{3+}$(5mol%) single crystals grown by the Bridgman technique displayed a direct energy gap at 1.79 eV and an indirect energy gap of 1.62 eV at 300 ${circ}^$K. Also an optical absorption peak by impurity was found at 6505 $cm^{-1}$. The peak identified the origin of the electronic transitions to be between the energy levels of $Er^{3+}$ ions.