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Al 합금막의 식각후 $CHF_3$ 처리에 의한 부식억제 효과
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  • Al 합금막의 식각후 $CHF_3$ 처리에 의한 부식억제 효과
저자명
김창일,권광호,윤용선,백규하,남기수,장의구
간행물명
전기전자재료학회논문지
권/호정보
1998년|11권 7호|pp.517-521 (5 pages)
발행정보
한국전기전자재료학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

After etching Al-Cu alloy films using $SiCl_4/Cl_2/He/CHF_3$ plasma, a corrosion phenomenon on the metal surface has been studied with XPS(X-ray pheotoelectron spectroscopy) and SEM (Scanning electron microscopy). In Al-Cu alloy system, the corrosion occurs rapidly on the etched surface by residual chlorine atoms. To prevent the corrosion, $CHF_3$ plasma treatment subsequent to the etch has been carried put. A passivation layer is formed by fluorine-related compounds on the etched Al-Cu surface after $CHF_3$ treatment, and the layer suppresses effectively the corrosion on the surface as the $CHF_3$treatment in the pressure of 300m Torr.