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Sol-Gel 법으로 제작된 PLZT 박막의 Zr/Ti 비에 따른 구조 특성에 관한 연구
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  • Sol-Gel 법으로 제작된 PLZT 박막의 Zr/Ti 비에 따른 구조 특성에 관한 연구
저자명
최형욱,장낙원,박창엽
간행물명
전기전자재료학회논문지
권/호정보
1998년|11권 7호|pp.535-540 (6 pages)
발행정보
한국전기전자재료학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

Thin films of PLZT were prepared on indium tin oxide(ITO) coated glass substrates by sol-gel process and annealed by rapid thermal annealing(RTA) at $750^{circ}C$ for 5 minutes. The crystal structure of PLZT thin films were investigated for a different Zr mol% content. XRD results showed that the crystallographic structure was transitted from tetragonal to rhombohedral structure as Zr mol% increased. Raman spectroscopy results showed that the bands of spectra became broader as the amount of Zr mol% increased and two crystal phase coexisted at 2/55/45 PLZT film. Raman spectroscopy was useful for crystal structure analysis of PLZT thin films.