- 간섭방법을 이용한 비정질 $As_40Ge_{10}S_{35}Se_{15}$ 박막에서의 광유기 이방성 크기 측정
- ㆍ 저자명
- 전진영,박수호,이현용,정홍배
- ㆍ 간행물명
- 전기전자재료학회논문지
- ㆍ 권/호정보
- 1998년|11권 9호|pp.746-751 (6 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국전기전자재료학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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There are several methods capable of determining he magnitude of optical anisotropy, such as spectrometric ellipsometry and polarized light reflectometry. The interference method is estimated to be no influence of surface scattering. The magnitude of anisotropy is a-As40Ge10S35Se15 thin film is analyzed by the reflection interference analysis method based on the difference depending on a phase of s- and p-polarized light. The theoretically analyzed value is compared with the result obtained by the measured technique.