- 고주파 반응성 스퍼터링법에 의한 ${SiO_x}{N_y}$ 박막의 제작
- ㆍ 저자명
- 조승현,최영복,김덕현,정성훈,문동찬,김선태
- ㆍ 간행물명
- 한국광학회지
- ㆍ 권/호정보
- 2000년|11권 1호|pp.13-18 (6 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국광학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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Si(100) 위에 RF 스퍼터링법으로 SiOxNy 박막을 제작하였다. 제작 조건은 반응 가스 비율에 따른 증착율과 RF 출력으로 하였다. XRD, XPS, n&k analyzer 그리고 FTIR로 SiOxNy 박막의 특성을 조사하였다. XRD 측정결과 ${SiO_x}{N_y}$ 박막은 비정질이었으며, XPS와 n&k analyzer 측정 결과 ${SiO_x}{N_y}$ 박막의 질소성분이 증가할수록 굴절률은 증가함을 알 수 있었다.