PZT seed에 의해 형성된 단결정립 PZT 박막을 이용하여 Pt/PZT/Pt 구조에서의 피로(fatigue) 및 정보 유지(data retention) 특성에 관하여 연구하였다. 피로 특성의 경우 1㎒의 주파수에서 ±10V의 square wave를 인가하여 측정한 결과 2×1011 cycle 동안 전혀 특성의 변화가 관찰되지 않았으며, 정보 유지 능력의 경우 상온에서 30000초 동안 기억 상태의 변화가 없었으며, 고온에서의 retention 측정으로 계산된 활성화 에너지로부터 구한 상온에서의 20% 잔류분극간 감소를 보이는 시간은 6.6×107 년이었다.
Fatigue and data retention characteristics of the Pt/PZT/Pt structure using single grain PZT thin films by PZT seeding method were investigated. In case of fatigue, there is no loss in switched polarization up to 2$ imes$10$^{11}$ cycles using 1MHz square wave form at $pm$10V and no data loss after 30000sec of memory retention at room temperature. From the activation energy measured at high temperatures, the time required 20% loss in remanent polarization is estimated to be 6.6$ imes$10$^{7}$ years at room temperature.
