GaAs pHEMT와 도파관-마이크로스트립 변환구조를 이용하여 고출력, 고이득 특성을 갖는 Ka-band 하이브리드 전력증폭기 모듈을 개발하였다. 본 전력증폭기는 10 mil 두께의 duroid 기판을 이용한 마이크로스트립 라인과 도파관 마이크로스트립 변환구조로 이루어져 있다. 제작된 도파관-마이크로스트립 변환구조는 32 40 GHz 대역까지 약 1 dB의 삽입손실(back to back)을 보인다. 전력증폭기 모듈의 측정 결과, 36.1 - 37.1 GHz에서 1W 이상의 출력 전력, 23dB 이상의 전력 이득을 보이며 36.5GHz에서 31dBm의 출력전력, 24dB의 전력 이득, 15%의 PAE을 나타내었다.
In this work, we developed a Ka-band hybrid 4-stage power amplifier module using GaAs pHEMTs and waveguide to microstrip transitions. It has high gain and high output power characteristics. We used a 10 mil- thickness duroid substrate to fabricate this power amplifier and waveguide to microstrip transitions. The fabricated waveguide to microstrip transition showed about 1 dB insertion loss(back to back) at 32 40 GHz. The measured results of power amplifier module showed over 1W output power at 36.1 - 37.1 GHz. And it showed 31 dBm output power, 24 dB power gain and 15 % power-added efficiency(PAE) at 36.5 GHz.
