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펄스레이저 증착법의 레이저 파장변환에 의한 실리콘 나노결정의 발광 특성 연구
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  • 펄스레이저 증착법의 레이저 파장변환에 의한 실리콘 나노결정의 발광 특성 연구
저자명
김종훈,전경아,최진백,이상렬
간행물명
전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문
권/호정보
2003년|52권 4호|pp.169-172 (4 pages)
발행정보
대한전기학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

Silicon nanocrystalline thin films on p-type (100) silicon substrate have been fabricated by pulsed laser deposition technique using a Nd:YAG laser with the wavelength of 355, 532, and 1064 nm. The base vacuum in the chamber was down to $10^-6$ Torr and the laser energy densities were 1.0~3.0 J/$ extrm{cm}^2$ After deposition, silicon nanocrystalline thin films have been annealed at nitrogen gas. Strong Blue and green luminescence from silicon nanocrystalline thin films have been observed at room temperature by photoluminescence and its peak energies shift to green when the wavelength is increased from 355 to 1064 nm.