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2차원 자기장에 의한 spin-valve 터널링 자기저항 소자의 자유층 반전 거동에 관한 연구
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  • 2차원 자기장에 의한 spin-valve 터널링 자기저항 소자의 자유층 반전 거동에 관한 연구
저자명
이영우,김철기,김종오,Lee. Young-Woo,Kim. Cheol-Gi,Kim. Chong-Oh
간행물명
한국재료학회지
권/호정보
2003년|13권 6호|pp.394-397 (4 pages)
발행정보
한국재료학회
파일정보
정기간행물|
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주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

MTJ devices are fabricated using metal shadow masks and switching characteristics are investigated under 2 dimensional magnetic field. When the hard axis field is less than $pm$ 16 Oe, switching behavior is similar to that based on the Stoner-Wohlfarth model. As the hard axis field is larger than $pm$ 16 Oe, deviation from the expectation by Stoner-Wohlfarth model is observed. These phenomena are induced by the generation of multi-domain and inhomogeneous magnetization reversal.