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Effect of Microstructure on Alternating Current-induced Damage in Cu Lines
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  • Effect of Microstructure on Alternating Current-induced Damage in Cu Lines
  • Effect of Microstructure on Alternating Current-induced Damage in Cu Lines
저자명
Park. Young-Bae
간행물명
마이크로전자 및 패키징 학회지
권/호정보
2005년|12권 1호|pp.27-33 (7 pages)
발행정보
한국마이크로전자및패키징학회
파일정보
정기간행물|ENG|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

The effect of microstructure on alternating current-induced damage in 200 and 300 nm thick polycrystalline sputtered Cu lines on Si substrates has been investigated. Alternating currents were used to generate temperature cycles (with ranges from 100 to $300^{circ}C$) and thermal strains (with ranges from 0.14 to $0.42\%$) in the Cu lines at a frequency of 10 kHz. Fatigue loading caused the development of severe surface roughness that was localized within individual grains which depends severely on grain orientations.