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Monolithic SiGe HBT Feedforward Variable Gain Amplifiers for 5 GHz Applications
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  • Monolithic SiGe HBT Feedforward Variable Gain Amplifiers for 5 GHz Applications
  • Monolithic SiGe HBT Feedforward Variable Gain Amplifiers for 5 GHz Applications
저자명
Kim. Chang-Woo
간행물명
ETRI journal
권/호정보
2006년|28권 3호|pp.386-388 (3 pages)
발행정보
한국전자통신연구원
파일정보
정기간행물|ENG|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

Monolithic SiGe heterojunction bipolar transistor (HBT) variable gain amplifiers (VGAs) with a feedforward configuration have been newly developed for 5 GHz applications. Two types of the feedforward VGAs have been made: one using a coupled-emitter resistor and the other using an HBT-based current source. At 5.2 GHz, both of the VGAs achieve a dynamic gain-control range of 23 dB with a control-voltage range from 0.4 to 2.6 V. The gain-tuning sensitivity is 90 mV/dB. At $V_{CTRL}$= 2.4 V, the 1 dB compression output power, $P_{1-dB}$, and dc bias current are 0 dBm and 59 mA in a VGA with an emitter resistor and -1.8 dBm and 71mA in a VGA with a constant current source, respectively.