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SAS법을 이용한 ITO 나노입자의 합성과 ITO 도포에 의한 도전필름의 제조
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  • SAS법을 이용한 ITO 나노입자의 합성과 ITO 도포에 의한 도전필름의 제조
저자명
김문선,윤상호,김병우,Kim. Moon-Sun,Yun. Sang-Ho,Kim. Byung-Woo
간행물명
청정기술
권/호정보
2007년|13권 3호|pp.180-187 (8 pages)
발행정보
한국청정기술학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

도전성 PET투명 필름을 제조하기 위해 PET필름를 기재로 사용하여 그 위에 습식 도포법으로 인듐주석산화물(ITO) 필름을 제조하였다. 압력 15 MPa, 온도 $50^{circ}C$의 SAS 합성조건으로 ITO를 합성하였으며 ITO의 최적 조성비(In/Sn)는 65이며 이 조건에서 합성된 ITO의 평균입경은 $15{pm}2;nm$, 표면저항 값은 $4{ imes}10^4;{Omega}{cdot}cm$였다. ITO 도포액은 pH 10에서 제조하였으며 PET 필름 위에 0.1, 0.5, 1, 2 ITO wt%를 첨가한 도포액을 붓고 바코터(bar-coater)로 ITO 필름을 제조하였다. ITO 필름의 표면조도는 4, 10, 12, 16 nm였으며 표면저항 값은 $3.7{ imes}10^6,;2.4{ imes}10^6,;8{ imes}10^5,;2{ imes}10^5;{Omega}{cdot}cm$였다. ITO 필름의 빛투과율은 각각 89, 88, 86, 82%였으며 ITO 농도가 높아질수록 표면조도와 도전성은 높아졌으나 빛투과율은 낮아졌다.

기타언어초록

The indium tin oxide(ITO) film on PET was prepared by a wet coating method to obtain the transparent film with a high conductance. ITO nano-particles was synthesized by a SAS method at 15 MPa and $50^{circ}C$, where optimized rate of In/Sn was 65. Average diameter and resistivity of ITO obtained from SAS are $15{pm}2;nm$ and $4{ imes}10^4;{Omega}{cdot}cm$. Coating solution was prepared at pH 10. The ITO film was obtained by solution including 0.1 0.5, 1, and 2 ITO wt% on PET. Roughness(Ra) of ITO film with 0.1, 0.5, 1. and 2 ITO wt% is 4, 10, 12, and 16 nm. Resistivity with an increasing ITO concentration is $3.7{ imes}10^6,;2.4{ imes}10^6,;8{ imes}10^5,;and;2{ imes}10^5;{Omega}{cdot}cm$. Transmissivity of ITO film decreased as 89, 88, 86, and 82% with an increasing ITO concentration as 0.1, 0.5, 1, and 2 wt%.