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RF 마그네트론 스퍼터링 법에 의한 ATO 투명전도막의 특성
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  • RF 마그네트론 스퍼터링 법에 의한 ATO 투명전도막의 특성
저자명
이성욱,박용섭,홍병유,Lee. Sung-Uk,Park. Yong-Seob,Hong. Byung-You
간행물명
한국결정성장학회지
권/호정보
2008년|18권 2호|pp.76-80 (5 pages)
발행정보
한국결정성장학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

본 연구에서는 ATO 박막의 전도 특성향상을 위하여 RF 마그네트론 스퍼터링을 이용하여, 6 wt%의 Sb가 첨가된 $SnO_2$ 박막을 합성을 진행하였으며, 박막합성시 스퍼터링 가스인 아르곤(Ar)과 반응가스인 산소($O_2$)의 분압 비율의 증가에 따른 ATO 박막의 구조적, 전기적, 광학적 특성들의 고찰하였다. 결과적으로 산소/아르곤의 비율이 0.11에서 $8{ imes}10^{-3}[{Omega}{cdot}cm]$의 비저항과 85.17%, 그리고 retile 구조의 이상적인 전도특성과 투과특성, 그리고 결정화를 이룬 ATO 박막 얻었다.

기타언어초록

In this study, we synthesized ATO films using RF magnetron sputtering method consisted of $SnO_2$ target added Sb of 6 wt% and investigated the effect of $O_2$ on structural, electrical, and optical properties of ATO films. As a result, in case of $O_2$/Ar ratio of 0.11, we obtained ATO films exhibit the properties such as the resistivity about $8{ imes}10^{-3}[{Omega}-cm]$, the transmittance of 85.17%, and retile structure.