펄스형 신경세포를 구현하기 위하여 호지킨-헉슬리 모델을 참조하여 $0.5{mu}m$ CMOS 공정을 이용한 집적회로를 설계하고 칩 제작하였다. 펄스형 단위 신경세포는 취합기능을 갖는 입력단과 임계값이상에서 신호발생을 일으키는 펄스생성회로로 구성된다. 입력단을 입력전류신호를 취합하는 범프회로, 펄스생성회로는 몇 개의 트랜스콘덕터와 커패시터 전하공급기능을 갖는 부성저항회로로 이루어진다 SPICE 모의실험결과 임계신호전류 70 nA이상에서 펄스생성이 일어남을 확인하였고, 제작된 칩을 5V 조건하에서 측정하여 모의실험결과와 비교분석하였다.
Integrated circuit of a pulse-type neuron for Hodgkin-Huxley model is implemented in a $0.5{mu}m$ 1 poly 2 metal CMOS technology. Proposed pulse-type neuron model consist of input stage with summing function and pulse generating block which make neuron pulse above threshold value. Pulse generating circuit consist of several transistors, capacitors and negative resistor with a charge supply function. SPICE simulation results show that neuron pulse is generated above threshold current of 70 nA. Measurements of the fabricated pulse type neuron chip in condition of 5 V power supply are shown and compared with the simulated results.
