고속 메모리의 인터페이스를 위한 8 ${ imes}$ 8-Gb/s/채널 4-레벨 펄스진폭변조 입출력회로를 1.35V의 공급전압을 가지는 70nm DRAM 공정을 이용하여 설계하였다. 4-레벨 펄스진폭변조를 위한 3 가지의 eye opening에서 상위와 하위 eye의 전압과 시간의 마진을 증가시키기 위해 비균형 4-레벨 펄스진폭변조의 신호전송 기법을 제안한다. 제안한 기법은 수신 단에서의 기준 전압 노이즈 영향을 33% 감소시키며, 이를 통계적인 수식을 통해 분석한다 일반적인 직렬 인터페이스 대비 신호 손실이 적은 DRAM 채널의 ISI(신호간의 간섭)를 줄이기 위해 수신 단에서 단일 비트 펄스의 테스트 신호를 적분함으로 ISI를 측정하는 적응형 프리앰퍼시스 기법을 구현한다. 또한, 이를 위해 정해진 테스트 패턴에 의해 최적의 ISI를 측정하기 위한 적분 클럭의 시간 보정기법을 제안한다.
An 8${ imes}$8-Gb/s/channel 4-PAM transceiver was designed for high speed memory applications by using 70nm DRAM process with 1.35V supply. An asymmetric 4-PAM signaling scheme is proposed to increase the voltage and time margin of upper and lower eyes in 3-class eye opening. A mathematical basis shows that this scheme statistically reduces 33% of reference noise effect in a receiver. Also, an adaptive pre-emphasis scheme, which utilizes a lone-bit pulse with integrator at the receiver, is introduced to reduce ISI for a simple DRAM channel. In this scheme, an integrating clock timing calibration by using a pre-determined pattern is proposed for the optimum ISI measurement.
