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위상지연을 이용한 Integer-N 방식의 위상.지연고정루프 설계
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  • 위상지연을 이용한 Integer-N 방식의 위상.지연고정루프 설계
저자명
최영식,손상우,Choi. Young-Shig,Son. Sang-Woo
간행물명
電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체
권/호정보
2010년|47권 6호|pp.51-56 (6 pages)
발행정보
대한전자공학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

본 논문에서는 전압제어위상지연단(Voltage Controlled Delay Line : VCDL)을 이용하여 기존의 위상고정루프와 다른 형태의 위상 지연고정루프(Phase Delay Locked Loop)를 제안 하였다. 이 구조는 기존의 위상고정루프의 2차 또는 3차 루프필터(Loop Filter)를 단하나의 커패시터로 구현하여 넓은 면적을 차지하던 루프필터의 면적을 크게 줄여 전체 칩을 $255{mu}m$ $ imes$ $935.5{mu}m$ 크기로 집적하였다. 제안된 회로는 1.8V $0.18{mu}m$ CMOS 공정의 파라미터를 이용하여 HSPICE로 시뮬레이션을 수행하고 회로의 동작을 검증하였다.

기타언어초록

In this paper, a novel Integer-N phase-delay locked loop(P DLL) architecture has been proposed using a voltage controlled delay line(VCDL). The P DLL can have the LF of one small capacitance instead of the conventional second or third-order LF. The size of chip is $255{mu}m$ $ imes$ $935.5{mu}m$ including the LF. The proposed P DLL has been designed based on a 1.8V $0.18{mu}m$ CMOS process and proved by HSPICE simulation.