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Gate-tunable Supercurrent in Graphene-based Josephson Junction
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  • Gate-tunable Supercurrent in Graphene-based Josephson Junction
  • Gate-tunable Supercurrent in Graphene-based Josephson Junction
저자명
정동찬,이길호,도용주,이후종,Jeong. D.,Lee. G.H.,Doh. Y.J.,Lee. H.J.
간행물명
Progress in superconductivity
권/호정보
2011년|13권 1호|pp.47-51 (5 pages)
발행정보
한국초전도학회
파일정보
정기간행물|ENG|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

Mono-atomic-layer graphene is an interesting system for studying the relativistic carrier transport arising from a linear energy-momentum dispersion relation. An easy control of the carrier density in graphene by applying an external gate field makes the system even more useful. In this study, we measured the Josephson current in a device consisting of mono-layer graphene sheet sandwiched between two closely spaced (~300 nm) aluminum superconducting electrodes. Gate dependence of the supercurrent in graphene Josephson junction follows the gate dependence of the normal-state conductance. The gate-tunable and relatively large supercurrent in a graphene Josephson junction would facilitate our understanding on the weak-link behavior in a superconducting-normal metal-superconducting (SNS) type Josephson junction.