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3차원 실장용 TSV 고속 Cu 충전 및 Non-PR 범핑
홍성철, 김원중, 정재필, Hong. Sung-Chul, Kim. Won-Joong, Jung. Jae-Pil 한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 5 Pages
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 2011, Vol.18 No.4 49-53 (5 pages)
TSV(through-silicon-via)를 이용한 3차원 Si 칩 패키징 공정 중 전기 도금을 이용한 비아 홀 내 Cu 고속 충전과 범핑 공정 단순화에 관하여 연구하였다. DRIE(deep reactive ion etching)법을 이용하여 TSV를 제조하였으며, 비아홀 내벽에 $SiO_2$, Ti 및 Au 기능 박막층을 형성하였다. 전도성 금속 충전에서는 비아 홀 내 Cu 충전율을 향상시키기 위하여 PPR(periodic-pulse-reverse) 전류 파형을 인가하였으며, 범프 형성 공정에서는 리소그라피(lithography) 공정을 사용하지 않는 non-PR 범핑법으로 Sn-3.5Ag 범프를 형성하였다.... -
비아 홀(TSV)의 Cu 충전 및 범핑 공정 단순화
홍성준, 홍성철, 김원중, 정재필, Hong. Sung-Jun, Hong. Sung-Chul, Kim. Won-Joong, Jung. Jae-Pil 한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 6 Pages
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 2010, Vol.17 No.3 79-84 (6 pages)
3차원 Si 칩 패키징 공정을 위한 비아 홀(TSV: Through-Si-Via) 및 Au 시드층 형성, 전기 도금을 이용한 Cu 충전기술과 범핑 공정 단순화에 관하여 연구하였다. 비아 홀 형성을 위하여 $SF_6$ 와 $C_4F_8$ 플라즈마를 교대로 사용하는 DRIE(Deep Reactive Ion Etching) 법을 사용하여 Si 웨이퍼를 에칭하였다. 1.92 ks동안 에칭하여 직경 40 ${mu}m$, 깊이 80 ${mu}m$의 비아 홀을 형성하였다. 비아 홀의 옆면에는 열습식 산화법으로 $SiO_2$ 절연층을, 스퍼터링 방법으로 Ti 접합층과 Au 시드층을 형성하였다. 펄스 DC 전기도금법에 의해... -
기판접합기술을 이용한 MEMS 컨덴서 마이크로폰의 설계와 제작
권휴상, 이광철, Kwon. Hyu-Sang, Lee. Kwang-Cheol 한국소음진동공학회 한국소음진동공학회논문집 7 Pages
한국소음진동공학회 한국소음진동공학회논문집 2006, Vol.16 No.12 1272-1278 (7 pages)
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기판접합기술을 이용한 두꺼운 백플레이트와 수직음향구멍을 갖는 정전용량형 마이크로폰의 설계와 제작
권휴상, 이광철, Kwon. Hyu-Sang, Lee. Kwang-Cheol 한국센서학회 센서학회지 6 Pages
한국센서학회 센서학회지 2007, Vol.16 No.1 62-67 (6 pages)
