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Analysis of Silicon via Hole Drilling for Wafer Level Chip Stacking by UV Laser
Lee. Young-Hyun, Choi. Kyung-Jin 한국정밀공학회 International journal of precision engineering and manufacturing 7 Pages
한국정밀공학회 International journal of precision engineering and manufacturing 2010, Vol.11 No.4 501-507 (7 pages)
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A Study on the Void Free of Via Hole Filling by Vacuum Printing Method in PCB
목지수, 김기환, 윤종태, Mok. Jee-Soo, Kim. Ki-Hwan, Youn. Jong-Tae 한국인쇄학회 한국인쇄학회지 10 Pages
한국인쇄학회 한국인쇄학회지 2006, Vol.24 No.1 35-44 (10 pages)
본 연구에서는 PCB에 진공인쇄 방식이 적용된 스크린 인쇄방법을 이용하여 Pattern 및 Hole충전의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 기술을 적용하였다. 새로운 dry process 기술인 직접회로 인쇄 기술은 일반적으로 사용되고 있는 wet process 중 도금, 에칭, 박리 등의 공정을 줄일 수 있어 제조원가, 공정 리드타임 감소, 폐기물 감소로 환경 친화적 공정이라고 할 수 있다. 직접회로 인쇄는 진공도 100 Pa, 인쇄압력 0.45 MPa, 인쇄 속도 30 mm/sec, 인쇄각도 85도, 스크린 마스크와 기판 사이의 Gap 2 mm에서 인쇄될 때 가장 좋은 결과를... -
전류인가 방법이 3D-SiP용 Through Via Hole의 Filling에 미치는 영향
장근호, 이재호, Chang. Gun-Ho, Lee. Jae-Ho 한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 6 Pages
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 2006, Vol.13 No.4 45-50 (6 pages)
펄스-역펄스(PRC)의 전류파형을 인가하여 결함이 없는 via의 filling이 가능하다. 본 연구에서는 건식 식각 방법 중 하나인 DRIE법을 이용하여 깊이 $100{sim}190;{mu}m$, 직경이 각각 $50{mu}m,;20{mu}m$인 2가지 형태의 via을 형성하였다. DRIE로 via가 형성된 Si wafer위에 IMP System으로 Cu의 Si으로 확산을 막기 위한 Ta층과 전해도금의 씨앗층인 Cu층을 형성하였다. Via시편은 직류, 펄스-역펄스의 전류 파형과 억제제, 가속제, 억제제의 첨가제를 모두 사용하여 filling을 시도하였고, 공정 후 via의 단면을 경면 가공하여... -
PCB 재질 및 Via hole 구성에 따른 LED 패키지의 특성 분석
이세일, 양종경, 김성현, 이승민, 박대희, Lee. Se-Il, Yang. Jong-Kyung, Kim. Sung-Hyun, Lee. Seung-Min, Park. Dae-Hee 대한전기학회 전기학회논문지= The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers 5 Pages
대한전기학회 전기학회논문지= The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers 2010, Vol.59 No.11 2038-2042 (5 pages)
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Quasi M?bius Strip과 Via-Hole 구조를 응용한 선로결합 현상의 완화 및 소형화 설계
김미정, 박성균, 노승환, Kim. Mi Jung, Park. Seong Gyoon, Ro. Soong Hwan 한국통신학회 한국통신학회논문지. The Journal of Korea Information and Communications Society. 네트워크 및 서비스 7 Pages
한국통신학회 한국통신학회논문지. The Journal of Korea Information and Communications Society. 네트워크 및 서비스 2013, No.0 715-721 (7 pages)
활용한 논문과 뫼비우스 스트립의 특성을 활용한 평판형 구조의 논문이 제안되었으나 완전한 평판형구조가 아니고, 선로결합효과(coupling effect) 현상의 문제점이 있었다. 따라서 본 논문은 기존 M$ddot{o}$bius Strip과 위상동형인 Quasi M$ddot{o}$bius Strip과 via hole구조를 응용함으로써, RF회로의 소형화와 선로결합효과를 완화한 안테나를 제시하였다. 본 논문의 시뮬레이션 결과에 의하면, 2.4GHz의 공진주파수 일 때, 기존의 링 안테나와 대비하여 물리적 원주의 길이는 1/3배로 소형화 되었다. 그리고 기존의 헤리컬... -
FR4 PCB면적과 Via-hole이 LED패키지에 미치는 열적 특성 분석
김성현, 이세일, 양종경, 박대희, Kim. Sung-Hyun, Lee. Se-Il, Yang. Jong-Kyung, Park. Dae-Hee 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 6 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2011, Vol.24 No.3 234-239 (6 pages)
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Highly stable amorphous indium.gallium.zinc-oxide thin-film transistor using an etch-stopper and a via-hole structure
Mativenga. M., Choi. J.W., Hur. J.H., Kim. H.J., Jang. Jin 한국정보디스플레이학회 Journal of information display 4 Pages
한국정보디스플레이학회 Journal of information display 2011, Vol.12 No.1 47-50 (4 pages)
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A Reproducible High Etch Rate ICP Process for Etching of Via-Hole Grounds in 200μm Thick GaAs MMICs
Rawal. D.S., Agarwal. Vanita R., Sharma. H.S., Sehgal. B.K., Muralidharan. R. 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 7 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2008, Vol.8 No.3 244-250 (7 pages)