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Silicon기반 고감도 PIN Photodiode의 전기적 및 광학적 특성 분석
이준명, 강은영, 박건준, 김용갑, 황근창, Lee. Jun-Myung, Kang. Eun-Young, Park. Keon-Jun, Kim. Yong-Kab, Hoang. Geun-Chang 한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 6 Pages
한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 2014, Vol.18 No.6 1407-1412 (6 pages)
근적외선 파장대역 850 nm ~ 1000 nm에서 레이저를 검출하기 위해 포토다이오드의 분광감응도를 향상시키고자 본 논문에서 실리콘 기반 고감도 PIN 포토 다이오드를 제작하고 전기적 및 광학적 특성을 분석하였다. 제작된 소자는 TO-18형으로 패키징 하였고 포토다이오드의 전기적 특성으로 역 바이어스 전압이 5V일 때 암전류는 Anode 1과 Anode 2는 약 0.055 nA 의 값을 나타내었으며 정전용약은 0V 일 때 1 kHz 주파수 대역에서 약 19.5 pF, 200 kHz 주파수 대역에서 약 19.8 pF의 적은 정전용약을 나타내었다. 또한 출력신호의... -
Avalanche Photodiode의 연구 현황과 전망
박찬용, 유지범, 김홍만, Park. Chan-Yong, Yu. Ji-Beom, Kim. Hong-Man 한국전자통신연구원 전자통신동향분석 19 Pages
한국전자통신연구원 전자통신동향분석 1993, Vol.8 No.1 92-110 (19 pages)
증가시키는 방법의 한가지로 전송속도의 증대에 관한 연구개발이 국내외에서 진행되어 왔다. 전송속도가 증가하여 Gb/s 급 이상이 되면 수신단 전치증폭기의 잡음이 급격히 증가하게 되어 수신감도가 떨어지게 되는데 이는 곧 중계기의 간격 감소로 인한 경제성의 저하를 의미한다. 이러한 수신단의 수신감도 저하를 극복하는 방법의 하나로 내부 이득을 갖는 APD(Avalanche Photodiode)를 수광소자로 사용하고자 하는 연구가 진행되어 왔다. 본 고에서는 InGaAs를 흡수층으로 하는 광통신용 APD의 구조, 동작특성 및 최근 연구동향을... -
HPLC의 Photodiode Array Detector에 의한 과채류중의 Diamino Diphenyl Sulfone 분석
김명희, 명노홍, 박성배 한국식품위생안전성학회 한국식품위생안전성학회지 5 Pages
한국식품위생안전성학회 한국식품위생안전성학회지 1996, Vol.11 No.2 143-147 (5 pages)
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Extension of the Dynamic Range in the CMOS Active Pixel Sensor Using a Stacked Photodiode and Feedback Structure
Jo. Sung-Hyun, Lee. Hee Ho, Bae. Myunghan, Lee. Minho, Kim. Ju-Yeong, Choi. Pyung, Shin. Jang-Kyoo 한국센서학회 Journal of sensor science and technology 6 Pages
한국센서학회 Journal of sensor science and technology 2013, Vol.22 No.4 256-261 (6 pages)
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4분할 photodiode를 이용한 scanning confocal microscope
유석진, 김수철, 이진서, 권남익 한국광학회 한국광학회지 4 Pages
한국광학회 한국광학회지 1997, Vol.8 No.2 165-168 (4 pages)
때 actuator에 흐르고 있는 전류를 시료면의 높이로 나타내어 3차원 영상으로 표현하였다. 또한 재질의 차이는 4분할 photodiode에 검출되는 합산 신호를 이용하여 컬러 프린터에 나타나는 3차원 영상의 색을 다르게 나타내었다. 전체적인 크기도 30 mm * 20 mm * 20 mm 로서 작고 간단하며 scan 영역은 최대 1.6 mm * 1.6 mm이다. 반사광의 세기를 이용한 scanning confocal microscope의 영상과 4분할 photodiode에 검출되는 오차 신호를 적분하는 방식을 이용한 scanning confocal microscope의 영상을 구하여 그 차이를 비교하였다. -
Floating Guard Ring 구조를 갖는 InP/InGaAs Avalanche Photodiode의 이중확산 방법에 의한 제작
박찬용, 강승구, 현경숙, 김정수, 김홍만 한국광학회 한국광학회지 6 Pages
한국광학회 한국광학회지 1996, Vol.7 No.1 66-71 (6 pages)
Floating guard ring(FGR) 구조를 갖는 avalanche photodiode(APD)는 제작이 매우 간단하고 제작된 소자의 신뢰성이 뛰어나기 때문에 고감도 특성의 고속동작 수광소자로 적합하다. 본 연구논문에서는 FGR APD의 구조설계, 제작공정 및 특성 측정 결과에 대해 논의하였다. FRG-APD는 이중확산 방법으로 제작하였으며 FGR이 가드링으로서 동작함을 2차원 이득특성 측정으로부터 확인할 수 있었다. 제작된 APD는 35GHz의 이득-대역폭 곱을 나타내었으며 2.5Gbps NRZ(Non-return-to-zero) 광신호에 대한 수신감도는 비트오율이 $10^{-9}$일... -
2.5Gbps 광통신용 InGaAs separate absorption grading multiplication (SAGM) advanche photodiode의 제작 및 특성분석
유지범, 박찬용, 박경현, 강승구, 송민규, 오대곤, 박종대, 김흥만, 황인덕 한국광학회 한국광학회지 7 Pages
한국광학회 한국광학회지 1994, Vol.5 No.2 340-346 (7 pages)
2.5Gbps 광통신시스템용 수광소자로서 charge plate층을 갖는 링구조의 separate absorption grading multiplication avalanche photodiode를 제작하고 그 특성을 조사 분석하였다. Avalanche Photodiode의 제작은 Metal-Organic Chemical Vapor Deposition 과 Liquid Phase Epitaxy법을 이용한 에피성장과 Br:Methanol을 이용한 채널식각 방법을 사용하였고, passivation과 평탄화는 photosensitive polyimide를 이용하였다. 제작된 ADP는 10nA 이하의 작은 누설전류를 나타내었고, -38~39 V의 항복전압을 나타내었다. 제작된 ADP를 GaAs...


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