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RF Reactive Sputtering법에 의한 산화주석 박막의 제조 및 특성
김영래, 김선필, 김성동, 김은경, Kim. Young-Rae, Kim. Sun-Phil, Kim. Sung-Dong, Kim. Sarah Eun-Kyung 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2010, Vol.20 No.9 494-499 (6 pages)
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RF reactive magnetron sputtering으로 제조한 TiO2 박막의 구조 및 광학적 특성
강계원, 이영훈, 곽재천, 이동구, 정봉교, 박성호, 최병호, Gang. Gye-Won, Lee. Yeong-Hun, Gwak. Jae-Cheon, Lee. Dong-Gu, Jeong. Bong-Gyo, Park. Seong-Ho, Choe. Byeon 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2002, Vol.12 No.6 452-457 (6 pages)
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RF Sputtering 법으로 제작한 강유전체 메모리의 하부전극용$RuO_2$ 박막의 특성에 관한 연구
강성준, 정양희 한국해양정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 8 Pages
한국해양정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 2000, Vol.4 No.5 1127-1134 (8 pages)
RF magnetron reactive sputtering 법으로 $RuO_2$ 박막을 제작하여, O2/(Ar+O2) 비와 기판온도에 따른 박막의 결정화 특성, 미세구조, 표면거칠기, 전기적 비저항을 조사하였다. O2/(Ar+O2) 비가 감소하고 기판온도가 증가함에 따라 $RuO_2$ 박막은 (110) 면에서 (101) 면으로 우선배향방향이 변하였다. O2/(Ar+O2) 비가20% 에서 50% 로 증가함에 따라, $RuO_2$박막의 표면거칠기는 2.38nm 에서 7.81nm로, 비저항은 $103.6 muOmega-cm; 에서; 227 muOmega-cm$로 증가하는 추세를 나타내는 반면에, 증착속도는 47nm/min에서 17nm/min 로... -
RF/DC 동시인가 마그네트론 스퍼터링 방법으로 증착된 ITO 박막의 열처리 특성 연구
문진욱, 김동원, Moon. Jin-Wook, Kim. Dong-Won 한국표면공학회 한국표면공학회지 8 Pages
한국표면공학회 한국표면공학회지 2007, Vol.40 No.3 117-124 (8 pages)
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반응성 RF 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 MgO 기판위에 증착한 TiO2 박막의 구조와 광촉매 특성
이정철, 송풍근, Lee. Jung-Chul, Song. Pung-Keun 한국표면공학회 한국표면공학회지 4 Pages
한국표면공학회 한국표면공학회지 2007, Vol.40 No.3 113-116 (4 pages)
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반응성 RF 마그네트론 스퍼터링에 의한 AlN 박막 제조 및 유압 감지 특성
석혜원, 김세기, 강양구, 홍연우, 이영진, 주병권, Seok. Hye-Won, Kim. Sei-Ki, Kang. Yang-Koo, Hong. Yeon-Woo, Lee. Young-Jin, Ju. Byeong-Kwon 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 5 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2014, Vol.27 No.12 815-819 (5 pages)
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증착 온도가 RF 반응성 마그네트론 스퍼터링법으로 성장된 InN 박막의 특성에 미치는 영향
조신호, Cho. Shin-Ho 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 6 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2009, Vol.22 No.10 808-813 (6 pages)
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반응성 RF 마그네트론 스퍼터링 법을 이용한 AIN/SiC 구조의 제작 및 특성
김용성, 김광호, Kim. Yong-Seong, Kim. Kwang-Ho 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 6 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2005, Vol.18 No.11 977-982 (6 pages)
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RF 마그네트론 스퍼터링을 이용한 Si 기판상의 AlN 박막의 제조
조찬섭, 김형표 한국반도체및디스플레이장비학회 반도체및디스플레이장비학회지 5 Pages
한국반도체및디스플레이장비학회 반도체및디스플레이장비학회지 2004, Vol.3 No.2 17-21 (5 pages)
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Contact resistance in graphene channel transistors
Seung Min Song, Byung Jin Cho 한국탄소학회 Carbon Letters 9 Pages
한국탄소학회 Carbon Letters 2013, Vol.14 No.3 4 162-170 (9 pages)
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Carbon Doping of TiO2 for Visible Light Photo Catalysis - A review
K. Palanivelu, Ji Sun Im, Young-Seak Lee 한국탄소학회 Carbon Letters 11 Pages
한국탄소학회 Carbon Letters 2007, Vol.8 No.3 6 214-224 (11 pages)
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N-doped ZnO 박막의 미세 구조 특성
이은주, 박재돈, 윤기완, Lee. Eun-Ju, Park. Jae-Don, Yoon. Gi-Wan 한국해양정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 6 Pages
한국해양정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 2009, Vol.13 No.11 2385-2390 (6 pages)
미세구조의 특성을 분석 비교하였다. ZnO박막은 $N_2O$ 가스 분위기에서 RF reactive magnetron sputtering 시스템을 사용하여 p-Si(100) 웨이퍼 위에 증착되었다. $N_2O$ 가스는 N doping source로 사용되었으며, 전체 가스 유량에 대한 $N_2O$ 가스의 비율 $N_2O/(N_2O+Ar)$과 증착 전력을 증착의 주요 공정 변수로 선택하여 다양한 가스 비율과 증착 전력에 대한 박막의 미세 구조 특성을 비교 분석하였다. 특히, Auger electron spectroscopy (AES)를 이용하여 ZnO 박막 내에 들어가 존재하는 불순물 N의 수직분포를 분석하였고, 여러... -
BST 박막의 두께 변화에 따른 전기적 특성에 관한 연구
강성준, 정양희 한국해양정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 7 Pages
한국해양정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 2002, Vol.6 No.5 696-702 (7 pages)
RF magnetron reactive sputtering 법으로 BST(Bal-xSrxTiO$_3$)(50/50) 박막을 제작하여, 박막의 결정화 특성 및 표면상태와 함께 박막의 두께에 따른 전기적 특성을 조사하였다. XRD와 AFM을 이용하여 BST 박막의 결정화 특성과 표면상태를 관찰한 결과, 80$0^{circ}C$ 에서 2분간 후열처리한 박막은 완전한 perovskite 구조를 가지며 표면거칠기도 16.1$AA$으로 양호한 값을 나타내었다. 박막의 두께가 80nm에서 240nm으로 증가함에 따라 10KHz에서 비유전률은 199에서 265로 증가하였고, 250㎸/cm의 전기장에서 누설 전류밀도는... -
산소 유량비 변화에 따른 AlN 박막의 구조, 표면 및 광학적 특성
조신호, 김문환, Cho. Shin-Ho, Kim. Moon-Hwan 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2010, Vol.19 No.4 287-292 (6 pages)
산소 유량비 변화에 따른 라디오파 반응성 마그네트론 스퍼터링 방법으로 성장된 AlN 박막의 구조, 표면 및 광학적 특성을 조사하였다. AlN 박막은 기판 온도 $300^{circ}C$에서 성장되었으며, 반응성 가스로 질소와 산소 가스를 사용하였다. 산소 유량비는 공급되는 질소와 산소 혼합 가스양에 대한 산소의 유량비로 선택하여 0%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%로 제어하였다. 성장된 AlN 박막의 구조, 표면과 광학적 특성은 각각 X-선 회절장치, 전자주사현미경과 자외선-가시광 분광기를 사용하여 조사하였다. 산소 유량비 10%로 증착된 AlN... -
라디오파 반응성 마그네트론 스퍼터링으로 증착된 In2O3 박막의 특성에 산소 유량비의 변화가 미치는 효과
곽준호, 조신호, Kwak. Jun-Ho, Cho. Shin-Ho 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2010, Vol.19 No.3 224-229 (6 pages)
산소 유량비의 변화가 라디오파 반응성 마그네트론 스퍼터링 방법으로 유리 기판 위에 증착된 $In_2O_3$ 투명 전도막의 특성에 미치는 효과를 조사하였다. 증착 온도는 $400^{circ}C$로 고정하였으며, 스퍼터링 가스와 반응성 가스로 각각 아르곤과 산소 가스를 사용하였다. 산소 유량비는 공급되는 혼합 가스양에 대한 산소의 유량으로 선택하여 10%, 20%, 30%, 40%, 50%로 조절하였다. 증착된 박막의 광학, 전기, 구조적인 특성은 자외선-가시광 분광기, 홀 측정 장치, X-선 회절장치와 전자주사현미경으로 조사하였다. 산소 유량비... -
ZnO 박막과 금속전극과의 계면특성조사
박성순, 임원택, 이창효 한국진공학회 韓國眞空學會誌 7 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1998, Vol.7 No.3 201-207 (7 pages)
본 연구는 rf reactive magnetron sputtering 방법으로 증착한 ZnO 박막을 압전진동 자로 제작하였을 때 발생하는 금속전극과의 계면특성에 대해 조사하였다. 이때 ZnO 박막은 금속 아연 target을 산소분위기에서 sputtering하여 얻었다. 미리 얻은 최적성장조건으로 Cr/ZnO/Cr의 구조을 갖는 압전 진동자를 제작한 후, 금속전극과 ZnO 박막과의 계면특성을 분석하였다. 제작된 압전진동자는 I-V 측정, AES depth profile, SEM, C-V 측정등을 이용 하여 분석하였고, 이러한 분석 결과 금속전극과 ZnO 박막 사이에 $SiO_2$... -
가변형 박막 유전체에 전극을 임베디드 시킨 고가 변형 커패시터
이영철, 홍영표, 고경현, Lee. Young-Chul, Hong. Young-Pyo, Ko. Kyung-Hyun 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 6 Pages
한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 2006, Vol.17 No.9 860-865 (6 pages)
가장자리 전계 효과를 이용한 가변성의 향상과 DC 전압의 감소를 위해 inter-digital capacitor의 전극이 박막 내부에 삽입되었다. 2.5D simulator를 이용한 설계 결과, 제 안된 구조의 inter-digital capacitor(IDC)가 일반적인 구조의 IDC에 비해 가변성이 10 % 향상되었다. 제안된 IDC는 설계 결과를 바탕으로 실리콘 기판 위에 BZN 박막을 이용하여 제작되었다. BZN 박막은 reactive RF magnetron sputtering 방법을 이용하여 증착되었다. 제작된 inter-digital capacitor는 5.8 GHz와 18 V의 DC 인가 전압에서 최대 가변율이 50... -
구리-바나듐 산화물 박막의 양극 특성 및 전 고상 전지의 제작
임영창, 남상철, 박호영, 윤영수, 조원일, 조병원, 전해수, 윤경석, Lim. Y. C., Nam. S. C., Park. H. Y., Yoon. Y. S., Cho. W. I., CHo. B. W., Chun. H. S., Yun. K. S. 한국전기화학회 전기화학회지 5 Pages
한국전기화학회 전기화학회지 2000, Vol.3 No.4 219-223 (5 pages)
산화물 박막은 reactive DC magnetron sputtering을 이용하여 co-sputtering에 의해 제조하였고 Lipon고체전해질은 순수한 질소 분위기 하에서 RF 스퍼터링으로 제조하였다. XRD분석을 통해 구리-바나듐 산화물 박막이 비정질임을 확인하였고, EC:DMC(1:1 in IM $LiPF_5$)액체전해질을 사용한 반전지 구조에서 그 전기화학적 특성을 고찰하였다. Lipon고체전해질의 이온전도도는 $25^{circ}C$에서 $1.02 imes10^{-6}S/cm$를 나타내었고 전고상 박막전지는 $1.5V~3.6V$의 전압구간, $50{mu}A/cm^2$의 전류밀도에서 500싸이클까지 약... -
6H-SiC 위에 형성한 에피택시 AIN 박막 구조에 대한 전기적 특성의 평가온도 의존성
김용성, 김광호, Kim. Yong-Seong, Kim. Kwang-Ho 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 5 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2006, Vol.19 No.1 18-22 (5 pages)
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고주파 반응성 스퍼터링에 의해 제작된 InN 박막의 특성
김영호, 최영복, 정성훈, 홍필영, 문동찬, 김선 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 8 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 1998, Vol.11 No.7 527-534 (8 pages)
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고주파 마그네트론 반응성 스퍼터링에 의해 제조한 $ extrm{TiO}_2$박막의 미세조직과 광학적 특성
노광현, 박원, 최건, 안종천, No. Gwang-Hyeon, Park. Won, Choe. Geon, An. Jong-Cheon 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1997, Vol.7 No.1 21-26 (6 pages)
고주파 마그네트론 반응성 스퍼터링(rf magnetron reactive sputtering)으로 티타늄산화물 박막을 제조하여 산소비율에 따른 반응성 스퍼터링의 증착기구를 조사하고 산소비율 및 기판온도에 따른 산화물 조성의 변화, 미세조직, 광학적 특성의 변화를 연구하였다. 기존의 진공기상증착법으로 증착만 박막에 비해, 금속타겟을 사용하여 높은 증착속도를 얻을 수 있는 반응성 마그네트론 스퍼터링으로 성막한 티타늄산화물 박막은 치밀도가 우수하여 높은 굴절률(2.06)과 높은 광투과율을 보였다. 상온에서 성막된 티타늄 산화물박막의... -
FeZrN/$SiO_2$ 연자성 다층 박막의 자기적 성질
김택수, 김종오, Kim. Taek-Su, Kim. Jong-O 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1996, Vol.6 No.11 1061-1066 (6 pages)
RF magnetron reactive sputtering법으로 Fe75.5Zr8.3N16.2/SiO2(250$AA$) 다층 박막을 FeZrN의 두께를 변화시키면서 제조하고, 제조된 박막을 진공 열처리하여 열처리 온도에 따른 포화자화, 보자력, 고주파에서의 투자율 그리고 열적 안정성을 조사하였다. Fe75.5Zr8.3N16.2/SiO2(250$AA$) 다층박막은 FeZrN의 두께가 800$AA$이상일 때 좋은 연자성을 나타내었다. Fe75.5Zr8.3N16.2/SiO2(250$AA$)다층 박막을 45$0^{circ}C$로 열처리 했을 때 포화자속밀도(1.08 T), 보자력 0.41 Oe, 1 MHz에서의 실효 투자율은 3000이상의 연자성을... -
CoFeHfO 박막의 자기적 특성
이광은, 느반더, 김상훈, 김철기, 김종오, Lee. K.E., Tho. L.V., Kim. S.H., Kim. C.G., Kim. C.O. 한국자기학회 韓國磁氣學會誌 4 Pages
한국자기학회 韓國磁氣學會誌 2006, Vol.16 No.4 197-200 (4 pages)
RF magnetron reactive sputtering법으로 CoFeHfO 박막을 상온에서 제작하여 산소분압에 따른 포화자화, 보자력, 이방성자계를 조사하였다. 최적조건인 산소분압 8%에서 제조한 $Co_{39}Fe_{34}Hf_{9.5}O_{17.5}$ 박막은 포자자속밀도($4{pi}M_s$) 19kG, 보자력($H_c$) 0.37Oe, 이방성자계($H_k$) 48.62Oe의 우수한 연자성을 나타내었다. CoFeHfO 박막의 전기비저항은 산소분압이 늘어남에 따라 증가하는 경향을 나타내었으며 우수한 연자기적 성질을 가지는 $Co_{39}Fe_{34}Hf_{9.5}O_{17.5}$ 박막의 경우, 300 ${mu}{Omega}cm$의 높은... -
Fe-Zr-N 연자성 박막의 자기적 성질
김택수, 김종오, 이중환, 윤선진, 김좌연 한국자기학회 韓國磁氣學會誌 6 Pages
한국자기학회 韓國磁氣學會誌 1996, Vol.6 No.5 317-322 (6 pages)
RF magnetron reactive sputtering 법으로 Fe-Zr-N 박막을 제작하여 열처리 온도와 질소 분압의 변화에 따른 포화자화, 보자력, 고주파에서의 투자율 그리고 열적 안정성을 조사하였다. Fe-Zr-N 박막은 비정질과 결정질의 경계 조성인 $Fe_{72-78}Zr_{7-10}N_{15-18}$의 조성범위에서 연자성을 나타내었다. 이러한 박막은 포화자속밀도 1.55 T, 1 MHz에서의 실효 투자율은 3000 이상의 연자성을 나타내고 열처리 온도 $550^{circ}C$ 까지도 실효투자율 2500 정도의 열적 안정성을 나타내었다. X-선 회절 분석 결과 열처리에 의해서 ZrN... -
직류 및 고주파 마그네트론 스퍼터링법으로 증착한 Ti-Al-V-N 박막의 특성
손용운, 정인화, 이영기, Sohn. Yong-Un, Chung. In-Wha, Lee. Young-Ki 한국열처리공학회 열처리공학회지 7 Pages
한국열처리공학회 열처리공학회지 2000, Vol.13 No.6 398-404 (7 pages)
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반응성 마그네트론 스퍼터링법으로 제조한 Ti-Al-V-N 박막의 미세조직 및 부착특성에 관한 연구
손용운, 이영기, Sohn. Yong-Un, Lee. Young-Ki 한국열처리공학회 열처리공학회지 7 Pages
한국열처리공학회 열처리공학회지 1999, Vol.12 No.3 199-205 (7 pages)
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Pressure Sensing Properties of AlN Thin Films Sputtered at Room Temperature
Seok. Hye-Won, Kim. Sei-Ki, Kang. Yang-Koo, Lee. Youn-Jin, Hong. Yeon-Woo, Ju. Byeong-Kwon 한국센서학회 Journal of sensor science and technology 5 Pages
한국센서학회 Journal of sensor science and technology 2014, Vol.23 No.2 94-98 (5 pages)
