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Al(Cu 1%)막의 플라즈마 식각후 부식 억제를 위한 $SF_6$ 처리시 fluorine passivation 효과
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  • Al(Cu 1%)막의 플라즈마 식각후 부식 억제를 위한 $SF_6$ 처리시 fluorine passivation 효과
저자명
김창일,권광호,백규하,윤용선,김상기,남기수
간행물명
전기전자재료학회논문지
권/호정보
1998년|11권 3호|pp.203-207 (5 pages)
발행정보
한국전기전자재료학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

After etching Al-Cu alloy films using $SiCl_4/Cl_2/He/CHF_3$ plasma, a corrosion phenomenon on the metal surface has been studied with XPS (X-ray photoelectron spectroscopy) and SEM (Scanning electron microscopy). In Al-Cu alloy system, the corrosion occurs rapidly on the etched surface by residual chlorine atoms. To prevent the corrosion, the $SF_6$ plasma treatment subsequent to the etch has been carried out. A passivation layer is formed by fluorine-related compounds on etched Al-Cu alloy surface after $SF_6$ treatment, and the layer suppresses effectively the corrosion on the surface as the RF power of $SF_6$ treatment increases. The corrosion could be suppressed successfully with $SF_6$ treatment in the RF power of 150watts.