보른이 고농도 도핑된 $ extrm{p}^{+}$-Si 영역상에서 비저항이 낮고 열적 안정성이 우수한 Co/Ti 이중막 실리사이드의 형성을 연구하였다. 본 연구에서는 Co/Ti 이중막 실리사이드는 청결한 $ extrm{p}^{+}$-Si 기판상에 Co(150${AA}$)/Ti(50${AA}$) 박막을 E-beam 기술로 진공증착하고 질소분위기($ extrm{10}^{-1}$atm)에서 2단계 RTA 공정(1차열처리:$650^{circ}C$/20sec, 2차열처리:$800^{circ}C$/20sec)을 수행하여 제작된다. 실험에서 얻어진 Co/Ti 이중막 실리사이드는 약 500${AA}$의 균일한 두께를 갖고 18$muOmega$-cm의 낮은 비저항 특성을 나타내었으며, $1000^{circ}C$에 이르기까지 장시간 후속 열처리를 실시하여도 면저항 변화나 열응집 현상이 발생되지 않았다.
We have studied the formation of Co/Ti bilayer silicide with low resistivity and good thermal stability on the heavily boron doped $ extrm{p}^{+}$-Si region. In this paper, Co/Ti bilayer silicides were fabricated by depositing Co($150AA$)/Ti($50AA$) films on the clean $ extrm{p}^{+}$-Si substrates in an E-beam evaporator and performing the two step RTA process (first annealing: 650$50^{circ}C$/20sec, second annealing: $800^{circ}C$/20sec) in a $N_2$ambient with the pressure of $ extrm{10}^{-1}$atm. Co/Ti bilayer silicides obtained from our experiments exhibited the low resistivity of about $18muOmega$-cm and the uniform thickness of about $500AA$ without change of sheet resistance and agglomeration under the long post0annealing time up to $1000^{circ}C$.
